Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа

формат doc
размер 625 КБ
добавлен 28 сентября 2011 г.

Содержание.
Введение.
Назначение и область применения.
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов.
Общий принцип действия.
Конструкция полупроводниковых диодов.
Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды.
Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
Эффекты полупроводника.
Переход Шоттки.
Изготовление.
Достоинства и недостатки.
Перспективы развития.
Заключение.
Список литературы.

Смотрите также

Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы

формат djvu
размер 15.45 МБ
добавлен 30 июля 2010 г.

Изд.: Солон-Пресс; Год: 2008; Стр. : 591; ISBN: 978-5-91359-043-5 Шестое издание, дополненное и исправленное. В cпpавочном поcобии cиcтематизиpованы в табличной фоpме в алфавитно-цифpовой поcледовательноcти данные по оcновным электpичеcким паpаметpам и конcтpуктивному иcполнению на отечеcтвенные биполяpные и полевые тpанзиcтоpы, выпpямительные диоды, cтолбы и блоки, ваpикапы, cтабилитpоны и cтабиcтоpы, тиpиcтоpы, cветоизлучающие и инфpакpаcные ди...

Барсуков С.Н. Элементная база радиоэлектроники. Часть 1. Полупроводниковые диоды. Учеб. пособие

формат pdf
размер 806.73 КБ
добавлен 27 мая 2010 г.

Рассмотрены физические основы работы различных полупроводниковых диодов. Приведены основные параметры, характеристики и примеры применения приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

формат djvu
размер 9.61 МБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree

формат doc
размер 2.46 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов

Курсовая работа

формат doc
размер 425.63 КБ
добавлен 27 июня 2010 г.

Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Методическое указание по полупроводникам и диодам

формат pdf
размер 468.02 КБ
добавлен 31 декабря 2006 г.

Полупроводниковые диоды. Основы физики полупроводников. Удельная электропроводность. Влияние температуры. Влияние примеси. Влияние света, ионизирующих излучений, энергетических воздействий. Зонная теория твердого тела. Статистическая функция Ферми-Дирака. Электронно-дырочные пары. Рекомбинация. Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Дрейфовый ток. Подвижность носителей заряда. Диффузионный ток. Коэффициент диффузии. Электронно-дыро...

Реферат - Полупроводниковые диоды

Реферат

формат doc
размер 88.8 КБ
добавлен 06 мая 2009 г.

Содержание, введение, плоскостной выпрямительный диод, кремниевый стабилитрон, туннельный диод, точечный диод, импульсный диод, варикапы, диоды Шоттки, список литературы,

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

формат doc
размер 63.69 КБ
добавлен 16 января 2010 г.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Федоров М.А. Полупроводниковые диоды и триоды

формат djvu
размер 210.35 КБ
добавлен 06 февраля 2010 г.

Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами огромного количества физических и радиотехнических приборов. Если Вы б...