Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в
составе IGBT".
МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы".
Работа содержит 102 стр.
Идеальная МДП-структура.
Приповерхностная область пространственного заряда.
Ёмкость ОПЗ.
Характеристики идеальной МДП-структуры.
Реальная Si-SiO2 – МОП-структура.
Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии.
Собственные дефекты в SiO2.
Водородосодержащие примеси в SiO2.
Вольт-фарадные методы исследования МДП-структур.
Высокочастотный метод Термана.
Низкочастотный метод Берглунда, реализованный по квазистатической методике.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором.
Радиационная технология уменьшения времени жизни.
Вывод.
Экспериментальная часть.
Требования к экспериментальным методикам.
Измерительный комплекс для контроля состояния границы раздела Si-SiO2.
Технология изготовления образцов и структура МДП-конденсаторов.
Исследования структур с тонким окислом.
Исследования высокочастотной вольт-фарадной характеристики.
Определение уровня легирования.
Статистические исследования однородности распределения напряжения плоских зон по образцу.
Квазистатические вольт-фарадные исследования по методу Берглунда.
Исследование подвижного заряда методом динамических вольт-амперных характеристик.
Термополевые испытания.
Исследование структур с толстым окислом.
Высокочастотные исследования структур с толстым окислом.
Исследование подвижного заряда методом термостимулированных ионных токов.
Заключение.
МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы".
Работа содержит 102 стр.
Идеальная МДП-структура.
Приповерхностная область пространственного заряда.
Ёмкость ОПЗ.
Характеристики идеальной МДП-структуры.
Реальная Si-SiO2 – МОП-структура.
Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии.
Собственные дефекты в SiO2.
Водородосодержащие примеси в SiO2.
Вольт-фарадные методы исследования МДП-структур.
Высокочастотный метод Термана.
Низкочастотный метод Берглунда, реализованный по квазистатической методике.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором.
Радиационная технология уменьшения времени жизни.
Вывод.
Экспериментальная часть.
Требования к экспериментальным методикам.
Измерительный комплекс для контроля состояния границы раздела Si-SiO2.
Технология изготовления образцов и структура МДП-конденсаторов.
Исследования структур с тонким окислом.
Исследования высокочастотной вольт-фарадной характеристики.
Определение уровня легирования.
Статистические исследования однородности распределения напряжения плоских зон по образцу.
Квазистатические вольт-фарадные исследования по методу Берглунда.
Исследование подвижного заряда методом динамических вольт-амперных характеристик.
Термополевые испытания.
Исследование структур с толстым окислом.
Высокочастотные исследования структур с толстым окислом.
Исследование подвижного заряда методом термостимулированных ионных токов.
Заключение.