Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов

Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...

Издательство М: Энергоатомиздат, 1990 576 страниц Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника...