Л.: «Энергия», 1968. - 240 с.
В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход.
Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремниевых диодов и транзисторов, так и полупроводниковых интегральных схем, посвящена вторая часть книги. Здесь основное внимание уделено фотолитографии и получению пассивирующих слоев двуокиси кремния на кремнии, а также рассмотрены принципы построения интегральных схем на основе полевых транзисторов типа металл-окисел-полупроводник.
Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся Конструированием и производством полупроводниковых приборов и интегральных схем. Она будет полезна также студентам высших учебных заведений, специализирующихся в области полупроводниковой электроники.
В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход.
Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремниевых диодов и транзисторов, так и полупроводниковых интегральных схем, посвящена вторая часть книги. Здесь основное внимание уделено фотолитографии и получению пассивирующих слоев двуокиси кремния на кремнии, а также рассмотрены принципы построения интегральных схем на основе полевых транзисторов типа металл-окисел-полупроводник.
Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся Конструированием и производством полупроводниковых приборов и интегральных схем. Она будет полезна также студентам высших учебных заведений, специализирующихся в области полупроводниковой электроники.