Полупроводниковые приборы

Изд.: Солон-Пресс; Год: 2008; Стр. : 591; ISBN: 978-5-91359-043-5 Шестое издание, дополненное и исправленное. В cпpавочном поcобии cиcтематизиpованы в табличной фоpме в алфавитно-цифpовой поcледовательноcти данные по оcновным электpичеcким паpаметpам и конcтpуктивному иcполнению на отечеcтвенные биполяpные и полевые тpанзиcтоpы, выпpямительные диоды, cтолбы и блоки, ваpикапы, cтабилитpоны и cтабиcтоpы, тиpиcтоpы, cветоизлучающие и инфpакpаcные ди...

Лекции по курсу электронные промышленные устройства Информационные основы построения электронных промышленных устройств (ЭПУ) Сигналы в электронных промышленных устройствах .Дискретизация сигналов Коды и кодирование . Структура цифровой системы записи-воспроизведения звука на основе оптического компакт-диска(ЦАП) Параллельные Последовательные ЦАП Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей Применение ЦАП. Основные параметры ЦАП Аналого-цифровые...

Монография. Ульяновск: УлГТУ, 2009, 215 с. Современное машиностроение и приборостроение в значительной степени зависят от уровня развития как полупроводниковой, так и гибридной технологий микроэлектроники. Пленочные резисторы и гибридные интегральные схемы находят применение в тех областях, где требуется, прежде всего, высокая точность и надежность. Монография посвящена применению моделирования лазерной подгонки пленочных резисторов для прогнозир...

- Ульяновск, - УГТУ, - 2009, – 38 стр. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Специальность: 05.13.18 Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ. (На правах рукописи). Аннотация. Объектом исследования диссертационной работы является физический процесс воздействия лазерного излучения на пленочные РЭ, применяемого для подгонки сопротивления в целях увеличения выхода годных гибридных...

АГУ, Астрахань/Россия; Аксенов О.И; 83 с. Специальность: Электроника и микроэлектроника Фотоэлектрические преобразователи; Диоды; Солнечные элементы; Нитевидные нанокристаллы; Сложные полупроводниковые структуры; Излучающие устройства

Лабораторный практикум/ В.В. Беляков, В.С. Першенков, В.Н. Улимов, И.Н. Швецов-Шиловский. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. – 64 с. Комплекс лабораторных работ, описанный в практикуме, знакомит студентов с физическими процессами, происходящими в современных полевых и биполярных микроэлектронных структурах. При выполнении работ студенты также получают навыки проведения автоматизированного физического эксперимента. В настоящем 3-ем издании заново написана работ...

Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. 719с. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены зарубежные аналоги отечественных микросхем, а также таблицы зарубежных диодов и транзисторов и их отечественные аналоги. Для те...

Воронеж: Издательско-полиграфическая фирма «Воронеж». - 722 с. (электронный вариант) Аннотация издательства: В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены зарубежные аналоги отечественных микросхем, а также таб...

Лекционные слайды по темам. Биполярные транзисторы схема замешения. виды диодов. Включение p-n-перехода в обратном. Влияние температуры на вах контакт металл. Вольт-амперная характеристика. Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ). Динистор. Инерционные свойства транзисторов шум вах при т. Емкости p-n-перехода. МЕП транзисторы ячейка памяти. Модели полевого транзистора. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ. Подключение внешнего источника напряжения к p...

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

М.: Информэлектро, 1984. — 68 с. — (Серия 5. Полупроводниковые приборы и преобразователи). Брошюра посвящена принципам построения микропроцессорных систем управления (МПСУ) вентильными преобразователями (ВП) электрической энергии. Проводится классификация систем управления ВП по виду преобразуемой энергии. Рассматриваются основные области применения ВП с МПСУ, отечественные и зарубежные микропроцессоры и микро-ЭВМ, нашедшие применение при построе...

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

Издательство: Энергоатомиздат Год: 1991 Страниц: 200 Приведены конструкции, параметры и характеристики полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. А также практические схемы устройств с применением единичных, цифровых, буквенно-цифровых и матричных индикаторов. Описаны принципы и методы создания многорежимных пультов управления и конструктивно-функциональных модулей. Даны рекомендации по монтажу, пайке и оформлению индикаторных устройств. Д...

2-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Радио и связь, 1990 — 264 с.: ил. ISBN 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В...

Радио и связь,1990. – 264 с. ISBN: 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В отличие от первого издания (1980 г.) расширены главы...

Издательский дом Додэка-XXI, 2001. -384с. Представлена эволюция развития основных семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и рассмотрены особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии. Для специалистов, занимающихся применением силовых полупроводниковых ключей, и разработчи...

Сборник трудов конференции. — Москва: ФИАН, 2015. — 146 с. Основные направления конференции: Сильноточная электроника, электровзрывные процессы, проекционная рентгенография, электронная и фотоэмиссия, взаимодействие фемтосекундных лазерных импульсов с наноантеннами, фемтооптоэлектроника и терагерцовая электроника, полупроводниковые гетероструктуры.

МФТИ, Черноголовка, 2009. 22с. Работа состоит из разделов: Введение и постановка задачи. Литературный обзор. Технология изготовления экспериментальных образцов. Экспериментальная установка. Экспериментальные результаты. Выводы. Литература.

Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

- Москва: ДМК Пресс, 2008. - 352 с. В книге рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом (АЛП УД) по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД «Электроника», в том числе входящего в ее состав аппаратно-программного комплекса (АПК) «Электроника», разработанного на основе технологии корпорации National Instruments в региональном инновацион...

Глух Е. М., Зеленов В. Е. Защита полупроводниковых преобразователей. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоиздат, 1982. - 152 с. Рассмотрены аварийные режимы силовых полупроводниковых преобразователей, приведены расчетные формулы и построены кривые мгновенных и амплитудных значений аварийных токов и их теплового воздействия на полупроводниковые приборы. Определены требования, предъявляемые к защите полупроводниковых преобразователей, описаны ра...

Глух Е. М., Зеленов В. Е. Защита полупроводниковых преобразователей. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоиздат, 1982. - 152 с. Рассмотрены аварийные режимы силовых полупроводниковых преобразователей, приведены расчетные формулы и построены кривые мгновенных и амплитудных значений аварийных токов и их теплового воздействия на полупроводниковые приборы. Определены требования, предъявляемые к защите полупроводниковых преобразователей, описаны ра...

М.: Техника, 1977. — 104 с. Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов. Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью...

Диссертация на соискание ученой степени доктора физ-мат. наук. С-Пб. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2002. — 362 с. Специальность 01.04.10 – Физика полупроводников. Цель работы: всестороннее изучение проблем динамики и устойчивости сверхмощных полупроводниковых переключателей микросекундного диапазона, выработка новых адекватных физических представлений, развитие аналитических методов и теории нелинейных механизмов пререключения...

Учеб. пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического ун-та, 2009. — 80 с. Проявления неустойчивости тока в полупроводниковых структурах. Структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Пространственно-распределенные бистабильные системы. Анализ устойчивости точечных бистабильных систем. Нелинейная теория распределенных S-систем. Нелинейные системы со скрытой активностью. Моделирование контрастных расслоений тока

Минск. БГУ. 2007. 222 с. В коллективной монографии представлены наиболее важные результаты достижений последних лет по основным проблемам полупроводниковой гелиоэнергетики. В издании изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции по-лупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, а также показаны перспективы внедрения фотопреобразователй в практику. Книга будет полезна с...

М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2009. - 24 с. Кратко изложены возможности конструирования различных профилей распределения примеси методом имплантационного полиэнергетического легирования. Представлено описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники различных примесей. Описана методика выполнения лабораторной работы.

Москва 1958г. Немного о строении вещества. Тайна электропроводности полупроводников. Полупроводниковые выпрямители. Усилители электрических колебаний. Термоэлектричество. Полупроводниковые термосопротивления. Тепловой электрический генератор. Фотоэлектрические явления. Основные области применения фотоэлементов и фотосопротивлений. Использование явлений люминесценции. Пьезоэлементы.

Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2009. — 80 c. В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.

Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2011.— 79 c. В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть посо...

Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет, 2014.— 418 c. В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно...

ГОУ СПО КАТ, 22 с., 2006 г. Дисциплина - "Электропитание СВТ". Содержание. Введение. Первичные ИИП. Прямоходовые и обратноходовые преобразователи. Двухтактный (Push Pull) преобразователь. Полумостовой преобразователь. Мостовой преобразователь. Вторичные ИИП. Импульсные преобразователи. Однотактный преобразователь напряжения. Импульсный однотактный преобразователь постоянного напряжения. Конвертор. Заключение. Литература.

Приведены свойства, конструктивные особенности и основы технологии новых высокочувствительных гальваномагнитных приборов. Основное внимание уделено описанию эксплуатационных характеристик и параметров приборов, выпускаемых промышленностью. Рассмотрены наиболее важные применения магнитодиодов и магнитотраизисторов и соответствующие схемы их включения.

Электронное учебное пособие / Н. М. Егоров, А. С. Глинченко, В. А. Комаров, А. В. Сарафанов. – Красноярск : ИПК СФУ, 2008. – 361с. ISBN 978-5-7638-0896-4 (пособия) Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Электроника», включающего учебную программу, конспект лекций, интерактивное электронное техническое руководство к АПК УД «Электроника», демо-версию системы OrCAD 9.1, файлы проектов для математ...

Шумы в полупроводниковых устройствах. Под общей ред. А. К. Нарышкина. Совместное советско-чешское издание. М., «Сов радио», 1977, 416 с. Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства усилитетей в интегральном исполнении. Книга пред...

СПб.: Наука и Техника, 2008. - 816 с. - ISBN: 978-5-94387-375-1 (4-е изд.) Перед ВАМИ российское издание популярного в Европе справочника vrt по микросхемам, транзисторам, тиристорам, диодам, названия которых начинаются с букв. В данном томе - A.R. При составлении справочника использовалась техническая документация ведущих фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована достоверная информация. Именно систематизация я...

СПб.: Наука и Техника, 2008. - 816 с. - ISBN: 978-5-94387-376-8 Файл разбит на 2 rar-архива. Перед ВАМИ российское издание популярного в Европе справочника vrt по микросхемам, транзисторам, тиристорам, диодам, названия которых начинаются с букв. В данном томе - R.Z. При составлении справочника использовалась техническая документация ведущих фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована достоверная информация. Именн...

СПб.: Наука и Техника, 2008. - 672 с. Перед вами российское издание самого популярного в Европе справочника vrt по микросхемам, транзисторам, тиристорам, диодам, названия которых начинаются с цифр. При составлении справочника использовалась техническая документация ведущих фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована достоверная информация. Именно систематизация является сильной стороной этого справочника. Для чит...

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

М, Мир, 1984 - 456 с. (300dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p–n-переходом и барьером Шоттки). Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной тех...

М.: Мир, 1984. — 456 с. (300 dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 2 посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей). Для научных работников и инженеров, работающих с области электроники и вычислительной техники, а также студентов с...

Чебоксары: Издательство Чувашского университета, 2010. - 448 с./Иванов А.Г., Белов Г.А., Сергеев А.Г. Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники. Для специалистов в области силовой электроники и автоматизированного электропривода, а также студентов, магистрантов и аспирантов. Содержание Системы управления и регулирования преобразователями силовой электроники...

Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2010. - 448 с. Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники. Оглавление. введение. Системы управления и регулирования преобразователями силовой электроники. Особенности современной полупроводниковой элементной базы, классификация и примеры применения преобразователей силовой электроники в электроприводе. Системы управления тири...

Санкт-Петербург: ЛЭТИ СПб, 2015. - 54 с. Высоковольтные GaAs-AlGaAs pin диодные структуры, полученные методом жидкофазной эпитаксии. Темой работы является освоение метода получения высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии. Цель данной работы – получение высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии в графитовой кассете поршневого типа и поиск оптимального состава твёрдой фазы...

Вероятностные методы расчета полупроводниковых преобразователей / И. П. Исаев, Ю. М. Иньков, М. А. Маричев. - М: Энергоиздат. 1983. - 96 с. На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров элемен...

Минск 2013 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования: «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники». Кафедра «Программное обеспечение информационных технологий». Отчет по лабораторной работе № 1 по курсу «Электронные приборы» на тему «Исследование полупроводниковых диодов». Снятие и анализ вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов. Определение их параметров по...

М. : «Энергия», 1975. − 112 с. В книге рассмотрены процессы образования, накопления и рассеивания электростатических зарядов. Анализируются причины электризации и условия разрядов статического электричества в полупроводниковом производстве. Приводятся результаты экспериментальных исследований воздействия электростатических разрядов на структуру и элементы конструкций полупроводниковых изделий. Рассмотрены методы электростатических измерений. Даны...

Омск : ОмГУПС, 2016. — 103 с. В учебном пособии приведены сведения о физических основах работы полупроводниковых приборов, необходимые для понимания процессов, происходящих в полупроводниковых приборах в различных режимах работы. Материал учебного пособия изложен в соответствии с требованиями образовательного стандарта. Предназначено для студентов всех форм обучения по специальности «Системы обеспечения движения поездов», специализаций «Телекомму...

Москва: "Радио и Связь", 1984 - 136 c. Даны общие принципы проектирования однокристальных ЗУ и основные расчетные соотношения для МДП транзисторных и ПЗС элементов памяти. Проанализированы электронные схемы (обеспечивающие выбор требуемых ячеек памяти и запись или считывание информации), сформированные на одном кристалле с запоминающими элементами, приведена методика их проектирования. Рассмотрены перспективы дальнейшего развития запоминающих уст...

М.: Энергоатомиздат, 1988. — 130 с. Описан новый класс полупроводниковых приборов, созданный за последние десятилетия. Изложены физические процессы, приводящие к формированию симметричных нелинейных вольт-амперных характеристик и принципы действия приборов на основе поликристаллических и аморфных полупроводников: нелинейных резисторов, переключателей элементов памяти и др. Рассмотрены функциональные возможности указанных приборов, конструктивные...

2-е вид. / За ред. А.Г. Соскова. — К.: Каравела, 2009. — 416 с. Розглянуто принцип дії, характеристики, параметри та області застосування електронних напівпровідникових приладів; побудову та роботу пристроїв інформаційної електроніки: підсилювачів напруги змінного та постійного струмів, імпульсних і цифрових пристроїв, виконаних на основі дискретних елементів та інтегральних мікросхем; пристроїв енергетичної електроніки: вентильних ведених мереже...

Навч. посіб./За ред. А.Г. Соскова. 2-е вид. - К.: Каравела, 2004.- 432с. Для студентів, які навчаються за напрямками «Електромеханіка» та «Електротехніка» Стислий зміст Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів Напівпроводникові прилади та їх стисла характеристика Підсилювачі електричних сигналів Підсилювачі постійного струму Імпульсні пристрої Логічні елементи Тригери Цифрові мікроелектронні пристрої Перетворювальні пристрої. Регулятори...

Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум: Навч. посіб. /Колонтаєвський Ю. П., Сосков А. Г. За ред. А. Г. Соскова. 2-е вид. -К.: Каравела, 2004. -432 с. Рекомендовано Міністерством освіти і науки України як навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів, які навчаються за напрямками «Електромеханіка» та «Електротехніка» (лист № 14/18.2-1266 від 14.06.2002) Розглянуто принцип дії, характеристики, параметри та о...

Мотоока Т., Хорикоси X., Сакаути М. и др. - M.: Мир, 1988. - 392 с. Книга является переводом восьмого тона 11-тонной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования компьютеров па основе наиболее перспективных СБИС. Значительное внимание уделено структурным решениям построения процессоров, запоминающих устройств, систем ввода-вывода данных. Даны рекомендации по использованию для этих целей систем...

Мотоока Т., Хорикоси X., Сакаути М. и др. - М.: Мир, 1988. - 336 с. Книга является переводом девятого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования ЭВМ специального назначения на основе БИС и СБИС. Рассмотрены методы параллельной обработки цифровых данных, а также символьной и графической информации. Описаны способы построения баз данных и аппаратные средства управления операциями...

Учебное пособие. — М.: МИФИ, 2009. — 52 c. В пособии приводится краткая классификация полупроводниковых приборов, определения режимов работы транзисторов и линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы (схемы замещения) транзисторов в активном режиме, а также методика и примеры расчетов параметров этих эквивалентных схем. Предназначено для студентов дневного и вечернего отделений, обучающихся по специальности 200600 Электроника и автоматика физич...

Предмет-Материалы электронной техники. 15 стр. КПУ(Запорожье)

-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

СибГИУ, Преподаватель Миллер Ю. М. , 2005 г. 30 стр. Разработка принципиальной схемы. Расчет параметров и выбор схем. Расчёт энергетических показателей установки в диапазоне номинального режима. Расчёт характеристик установки.

Усилитель мощности класса А. Курсовая работа. НТУ Украины КПИ, Кафедра физической и медицинской электроники Курсовая работа по курсу: Проектирование биомедицинской аппаратуры Киев 2006 р.24 с.

Усилитель мощности класса Б. Курсовая работа. НТУ Украины КПИ, Кафедра физической и медицинской электроники. Курсовая работа по курсу: Проектирование биомедицинской аппаратуры. Киев 2006 р.11 с. язык - украинский.

В курсовой работе проведен обзор современных светодиодов, изложены такие вопросы: основные термины и определения, классификация, условные графические обозначения, физический принцип действия, параметры и характеристики, эквивалентные схемы, типичные схемы включения, конструкции. В расчетной части выполнен расчет трансформатора питания электронной апаратуры аналогичного промышленной серии ТПП 238 в соответствии с заданием рассчитана мощность втори...

Киев, 1966, 308 с. Справочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпрямителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных транзисторов с указанием области их применения. В справочнике дана новая классификация диодов и транзисторов и сведения по новым типам полупроводниковых приборов. Предназначен для инженеров, техников и радиолюбителей, работающих в области использования полупроводниковых п...

К.: Видавничий центр "Київський університет", 2000. - 72 с. Матеріал, що міститься у даному навчальному посібнику, являє собою перший розділ загального курсуОснови радіоелектроніки, який викладається студентам радіофізичного факультету на четвертому семестрі. Цей розділ ставить за мету ознайомити студентів з роботою напівпровідникових приладів, що знаходять застосування у сучасних радіоелектронних пристроях. Напівпровідникові прилади є зараз осн...

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Жуков. Инжекционный лазер. Феноменология усиления. Плотность состояний. Оптическое усиление. ДГС и РОДГС лазеры. Гетеропереходы. Уравнение Шредингера. Уровни в GaAs. Напряжнные квантовые ямы. Критическая толщина. КЯ лазеры. Модовый характер излучения. Мощные лазеры. Температурная зависимость. Идеальные КТ. Кристаллическая структура. Методы формирования КТ. Режим островкового роста. Упорядоченные массивы КТ. Электронный спектр КТ. Энергия локализа...

Материалы лекций по электронике из 13-пунктов. От диодов до операционных усилителей. Автор неизвестен. Материал c Интернета.rn

К.: Наукова думка, 1978. - 316 с. Оглавление Биполярные генерационные процессы в структурах МДП Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках Полевая генерация в полупроводниковой подложке Туннельная спектроскопия Туннельные генерационные явления в структурах МДП с толст...

М.: Радио и связь, 1982. — 137 с. Изложены основы различных химических и физико-химических методов обработки поверхности полупроводников. Описаны методы химико-механического, химико-динамического, электрохимического, фотохимического, фотоэлектрохимического и плазмохимического травления и полирования монокристаллических подложек из кремния, германия и соединений AIIIBV, а также химические и электрохимические методики локального травления полупрово...

М.: МИЭМ, 2011. - 60 с. Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 210104 «Твердотельная электроника и микроэлектроника», а также для магистратуры по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника». В пособии рассматриваются особенности пробоя реальных p-n-переходов и обсуждаются методы повышения пробивного напряжения. Список русскоязычной учебной литературы, посвященной физическим процессам в p-n-перех...

Учебное пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 210100 «Электроника и микроэлектроника». — М.: МИЭМ, 2009. — 97 с. Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 654100 – «Электроника и микроэлектроника» и ориентировано на дисциплину государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования «Твердотельная электрони...

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. — Казань: Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева, 2016. — 132 с. Специальность: 05.11.13 – Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Саиткулов В.Г. Цель работы. Повышение быстродействия контроля теплового сопротивления переход-корпус светодиодов, тр...

Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводник...

Автоколебательный мультивибратор. Однотактный релаксатор. Мультивибратор как делитель частоты. Триггер. СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты. 12 стр.

Лабораторна робота 1 - "Дослідження напівпровідникової аналогової інтегрованої мікросхеми серії 140"; лабораторна робота 2 - "Дослідження гібридноі інтегрованої мікросхеми серії 237"; лабораторна робота 3 - "Дослідження аналогового перемикача на мдн транзисторах серії 168"; лабораторна робота 4 - "Дослідження цифрових інтегрованих мікросхем серії 155" для студентів НТУУ "КПІ" напряму підготовки "Елетронні апарати"

Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. – 3-е изд., перераб. и доп. – Таганрог, 204 с., ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы элек-тронной техники, его отличает компактное изложен...

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Мн.: Университетское, 1989. — 368 с. — ISBN 5-7855-0045-0. Монография посвящена вопросам постановки, методам и алгоритмам решения задачи численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее введение в проблему получения математических моделей полупроводниковых структур, берущую свое начало в закономерностях электромагнитных процессов, выраженных уравнениями Максвелла. Главное внимание уделяется аспектам автоматизации численного...

Лабораторний практикум, Ужгород, УжДУ 1995, -122с. Посібник містить лабораторні роботи з фізики напівпровідникових приладів. Приведені теоретичні відомості, порядок проведення експериментальних досліджень, рекомендації по оформленню звіту та перелік запитань для цілеспрямованої підготовки до занять.

Електрони в атомі. Електропровідність. Електронно-дірковий перехід. Напівпровідникові прилади та їх стисла характеристика. Напівпровідникові терморезистори. Напівпровідникові діоди. Біполярні транзистори. Польові транзистори. Тиристори. Система позначень напівпровідникових прилад.

Брежнева К.М., Сметанина Д.И., Машарова Т.С., Супов С.В., Николаевский И.Ф., Фишбейн Т.И., Хотимский А.Б. под общей редакцией И.Ф.Николаевского. - Справочник. – М.: Государственное издательство литературы по вопросам связи и радио, 1963. – 648 с. Транзисторы Общие сведения Принципы маркировки и классификации Схемы включения, области и режимы работы транзистора Вольтамперные характеристики р-п перехода (диода) Характеристики транзистора в схеме...

Определение полупроводниковых приборов и принцип действия (типы проводимостей). Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод, принцип действия. Транзистор, принцип действия, схемы включения транзисторов.

М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Элементная база электронных аппаратов (пассивные элементы)/ В.П. Олейник, Н.В. Долженков. - Учеб. пособие. - Харьков: Нац. аэрокосм. ун-т "Харьк. авиац. ин-т", 2004. - 62 с. Приведена структура элементной базы радио- и электронных аппаратов. Рассмотрены: функциональное назначение, основные электрические и эксплуатационные параметры, маркировка и обозначение резисторов, конденсаторов, индуктивных компонентов. Для студентов, обучающихся по направ...

Основы теории p-n Перехода: Учебное пособие / В. И. Елфимов, Н. С. Устыленко. Екатеринбург: Ооо изд-во Умц упи, 2000, 55 с.

Отчет о практике: задание на практику,реферат,содержание,список литературы. Отчет Содержит информацию о предприятии,о технологических процессах создания полупроводниковых приборов и модулей,о процессах фотолитографии,диффузии,фаски.

Под ред. Малинина А.Ю. М.: Энергия, 1979, 88 с. Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии. Рассмотрены вопросы получения монокристаллических слоев кремния газотранспортными методами, особенности кристаллическог...

Л.: ЛДНТП. 1963, Выпуск 11, 37 с. Настоящая серия «Полупроводники», издаваемая ЛДНТП, предназначается _для инженерно-технических работников, в той или иной степени соприкасающихся в своей повседневной работе с полупроводниковыми приборами и материалами. Предпринятое третье по счету издание цикла монографий по полупроводникам служит дополнением к предыдущим сериям, изданным ЛДНТП. Общие сведения о нелинейных полупроводниковых сопротивлениях. Основ...

Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавро...

2001 г. 5-е переработанное и иправленное издание известной книги по полупроводниковым приборам. Приведены физические свойства, конструкции, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей приборов.

Учебник для вузов. — 6-е изд., стер. — CПб.: Лань, 2002. — 480 с.: ил. —- (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 5-8114-0368-2. В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена дл...

2003 г. Книга рекомендованная УМО по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской и автоматизации. Содержит в себе массу сведений о всех основных типах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а так же описания принципа физических процессов протекающих в них.

Учебное пособие. — СПб.: Питер, 2003. — 506 с. ISBN: 5-94723-378-9 Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с расширением масштабов применения радиотехнических систем и систем телекоммуникаций. Составной частью этих систем является радиоэлектронная аппаратура (РЭА), содержащая огромное количество радиокомпонентов, для изготовления которых используются современные радиоматериалы. Повышение эффективности систем и улучшение параметр...

М.: Наука, 1965.- 448 с. В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, не отсылая читателя к оригинальным работам, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом виде. Книга предназначена для инженеров и научных работников, специализир...

Работа содержит новую систематизированную методику расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств, основанную на использовании специальных номограмм и графиков, облегчающих и значительно ускоряющих процесс расчета по сравнению с обычным аналитическим методом. Представленные номограммы и графики могут применяться также для теоретического анализа функциональных связей между термоэлектрическими параметрами, для анализа выбранного режима, поиск...

Л.: Наука, 1969, 206 с. В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств. Издание рассчитано на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой...

Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

Сборка из единой коллекций цифровых образовательных ресурсов на темы: - Электронно-дырочный переход. - Полупроводниковый диод и его применение. - Полупроводники. Полупроводниковые приборы. 13 файлов в формате swf: Анимация "Нагревание полупроводника". Анимация "Освещение полупроводника". Анимация "Работа полупроводникового диода". Анимация "Работа полупроводникового транзистора". Анимация "Работа фотоэлемента". Рисунок "p-n контакт". Рисунок...

Автор не определен. Промышленность по производству ПП приборов ГДР. Справочник-каталог, 1982, -120 с. Данный каталог содержит в сжатой форме важнейшие предельные значения и параметры полупроводниковых приборов, выпускавшихся в ГДР. Пользуясь им, можно легче производить выбор соответствующих типов приборов. Приборы, предусматриваемые только для замены, в каталог не включены.

М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Программа для расчета пятикомпонентных полупроводниковых твердых растворов семейства А3В 5. Будет очень полезна студентам и аспирантам в области микро- и наноэлектроники. . Пятикомпонентные тв. растворы можно исследовать: - на изопериодичность к бинарным подложкам. - программа строит изопараметрические линии. - графики зависимости ширины запрещенной зоны от состава. - графики зависимости состава жидкой фазы от состава твердой фазы. - Спинодальные...

Методические указания к лабораторным работам. – Оренбург: ОГУ, 2011. – 47 с. В методических указаниях изложен материал, помогающий студентам при выполнении лабораторных работ исследовать характеристики полупроводниковых приборов, усвоить основные принципы измерений, анализировать результаты измерения, творчески применять знания по курсам в процессе обучения, на лабораторных занятиях, в дипломных и исследовательских работах. Методические указания...

КПУ(Запорожье), 4 курс, 7стр. ,

Введение. Логический элемент И. . Логический элемент ИЛИ. Логический элемент НЕ. Логический элемент И-НЕ . Логический элемент ИЛИ-НЕ. Литература.

ЧГУ им. Петра Могилы. г. Николаев. Преподователь: Прыщепов О.Ф. 2011 г. 37 с. Особливості напівпровідникових матеріалів Власна електропровідність напівпровідників Домішкова електропровідність Дрейфовий та дифузійний струми Фотопровідність напівпровідників Формування контакту напівпровідник- напівпровідник Енергетична діаграма р-n переходу Фотоефект в р-n переході

Содержание. Электрический взрыв проводников. Моделирование ЭВП. Процессы протекающие при ЭВП. Основные направления работ по ЭВП. Применение ЭВП. Заключение. Список использованной литературы.

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Перев.: В. Климов, В. Пальянов - М.: Наука, 1983. - 362 стр. В книге кратко излагаются теоретические основы ионной имплантации. Описаны различные методы исследования имплантированных слоев, оборудование и технология ионного легирования. Рассмотрены проблемы, связанные с пассивацией и локализацией р-n-структуры. Приведены примеры использования ионной имплантации для создания различных классов дискретных полупроводниковых и оптоэлектронных приборов...

М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов ра...

Москва: Энергоатомиздат, 1987. — 184 с.: ил. Изложены принципы построения различных типов полупроводниковых преобразователей средней мощности, содержащих транзисторные или тиристорные звенья повышенной частоты. Рассмотрены электромагнитные процессы в типовых схемах, описаны энергетические характеристики преобразователей, принципы регулирования и некоторые вопросы взаимодействия преобразователей между собой, первичными источниками питания и потреб...

Honeywell Inc., 126 pages. Table of contents: Hall Effect Sensing; Hall Effect Sensors; Magnetic Considerations; Electrical Considerations; Hall-based Sensing Devices; Applying Hall-effect Sensing Devices; Application Examples.

М.: Знание, 1990,-64 с. Серия "Радиоэлектроника и связь", №7. В брошюре представлен анализ методов синтеза полупроводниковых аналогов реактивностей (индуктивностей,емкостей, трансформаторов) используемых разработчиками радиоэлектронной аппаратуры. Подробно рассмотрен широкий класс управляемых аналогов индуктивности, выполненных в интегральном исполнении. Рассмотрены индуктивности, выполненные на навесных элементах. Материал рассчитан на читателей...

Общие предстовления. Применения в бытовой аппаратуре. особенностьи работы тиристора и симистора, принцип действия статические характеристики, динамические, регулирование напряжения и тока, выбор и т. д.

В настоящее время практически каждому радиолюбителю и профессионалу приходится работать с различными справочными данными по подбору полупроводниковых приборов. При этом возникают определенные трудности, когда необходимо разобраться с тем, что означает то или иное сокращение. Для того, чтобы восполнить этот пробел приводится таблица общепринятых сокращений при обозначении параметров полупроводниковх приборов.

Вашему вниманию предоставляется справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам, оптоэлектронным приборам, включающий около трех тысяч элементов. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики полупроводниковых приборов. Одним из главных достоинств справочника является наличие информации о производителях и продавц...

Справочник для определения сопротивления по цветным полосам на резистореrn

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...

Л.: ЛДНТП. 1964, Выпуск 13, 37 с. Выпуск 13. Гальваномагнитные приборы используются в различных устройствах автоматики, в устройствах для регистрации механических перемещений, в бесконтактных механических переключателях, в преобразователях постоянного тока в переменный, для измерения магнитного поля, для бесконтактного измерения токов и др. устройствах. Введение. Влияние магнитного поля на равновесную проводимость полупроводника. L-диоды. Магнит...

М.: Наука, 2007. - 220 с. - ISBN: 9785020361195. (Качество: хорошее, 600 dpi, OCR, bookmark) В книге систематически изложены основные результаты, полученные авторами в следующих областях: временной анализ цифровых КМОП-схем с учетом логических ограничений, статистический временной анализ; логический и логико-временной анализ помехоустойчивости цифровых КМОП-схем, алгоритмы характеризации элементов КМОП СБИС. Основой большинства предлагаемых здес...

Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по сравнению с третьим- изданием, вышедшим в 1978 г., первая часть книги, во...

Брянск, ЗАО НТЦ СИТ, 2011, 16 с. Других данных нет. Микросхема 1182ПМ1 является новым решением проблемы регулировки мощности в классе высоковольтных мощных электронных схем. Благодаря уникальной технологии возможно применение ИС для сети переменного тока до 230В, при этом необходимо минимальное количество внешних элементов. Непосредственное применение ИС - для плавного включения и выключения электрических ламп накаливания или регулировки их яркос...

Магістерська дисертація Спеціальность 8.090804 Фізична та біомедична електроніка. Київ, КПИ, 2011, 72 с., 4 розділи, 15 ілюстрацій, 9 джерел в переліку посилань. На русском. Метою даної роботи є реалізація у середовищі MatLab7.0 програми самоузгодженого моделювання електронних процесів у квантовій ямі та виявлення впливу процесу самоузгодження на результати моделювання. У зв’язку з цим було необхідно вирішити наступні завдання: розробити алгоритм...

Учебное пособие. — М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. Представлены ключевые аналитические соотношения и задачи по расчету параметров и характеристик полупроводниковых приборов, принцип работ которых базируется на механизмах инжекции и переноса неосновных носителей заряда (диодов и биполярных бездрейфовых и дрейфовых транзисторов), а также приборов на основе контакта металл-окисел-полупроводник. Типовые и наиболее трудные задачи содержат подробные решения и...

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Учебное пособие, МАДИ(ГТУ). - М. , 2007 Учебное пособие содержит краткий обзор истории изучения полупроводниковых материалов и возникновения полупроводниковых приборов, а также вычислительной техники. В нем рассмотрены модели кристаллической и энергетической структур полупроводниковых материалов, энергетические состояния в кристаллах полупроводников, зонная структура, виды химической связи. Изложены сведения о свойствах полупроводниковых материал...

Издательство М: Энергоатомиздат, 1990 576 страниц Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника...

М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника» В книге приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов.

Лектор Колосницын Б.С. — Мн.: БГУИР, 2012. — 165с. В 2006 году в электронную библиотеку университета автором был сдан электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов ч. I», который анализирует физику работы активных элементов интегральных схем. Предлагаемый вашему вниманию учебно-методический комплекс посвящен физике работы мощных и СВЧ полупроводниковых приборов. Первый раздел конспекта лекций учебного...

Книга. — Москва: Издательство "Знание", 1969. — 80 с. В предлагаемой брошюре сделана попытка кратко изложить физические процессы и основные принципы схемного использования наиболее интересных полупроводниковых приборов, появившихся после транзистора. В силу фрагментарности и сжатости изложения, явившегося в значительной степени следствием ограниченного объёма брошюры, ни в коей мере не соответствующего сложности и разнообразию рассматриваемых явл...

М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.

Издательство: Ленинградский электротехнический институт связи. 1968. — 197 С. Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Они подразделяются на электропреобразовательные полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования электрических величин в другие электрические величины, фотоэлектрические полупроводниковые приборы, служащие для преобразования световых величин...

Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. — 258 с. — ISBN 978-5-94621-556-5 Монография является обобщением результатов обширных исследований структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами, проводимых в Томском государственном университете, Сибирском физико-техническом институте и Научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов. Изложены методы легирования GaAs примесями пере...

Методические указания к лабораторным работам по дисциплине «Электроника» для студентов дневной формы обучения направлениям 21020062 «Проектирование и технология электронных средств», 21030062 «Радиотехника», специализация «Опто- и наноэлектроника». – Ульяновск : УлГТУ, 2010. – 40 с. Разработаны в соответствии с программой курса «Электроника». Содержат описание лабораторной установки и трех лабораторных работ, созданных на базовой кафедре «Радиоте...

Методические указания к лабораторным работам Полупроводниковая электроника: методические указания к лабораторным работам по дисциплине «Электроника» для студентов дневной формы обучения направлениям 21020062 «Проектирование и технология электронных средств», 21030062 «Радиотехника», спе- циализация «Опто- и наноэлектроника» / сост. : А. А. Черторийский, В. В. Юдин. – Ульяновск: УлГТУ, 2010. – 40 с. Разработаны в соответствии с программой к...

М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1958. — 150 с. — (Физико-математическая библиотека инженера). Брошюра предназначена для ознакомления инженерно-технических работников с характеристиками и параметрами термосопротивлений, особенностями работы их в схемах и возможностями, открывающимися в результате использования термосопротивлений при решении различных технических задач. В брошюре изложены основы технологии изготов...

Автор книги - Атанас Иванов Шишков, Издание: 5, Издатель - Деликом, 2004, ISBN - 9549042723, 9789549042726, Количество страниц - Всего страниц: 475 Можно ли понимать процесы в полупроводниковой технике и оптимально использоват элементы (диоды, транзисторы и т.д.) посредством их каталожные данны, изпользуя менше формулы и тежелые вычисления? Положительны ответ на этом вопросе можно найти в этой прекрасной книги известного болгарского автора. Дело...

Основные понятия. Основные параметры резисторов. Система обозначений резисторов. Маркировка резисторов. Непроволочные постоянные резисторы. Непроволочные переменные резисторы. Проволочные постоянные и переменные резисторы. Полупроводниковые резисторы. Проверка, ремонт и взаимозаменяемость резисторов.

Шпаргалка составленная по дисциплине "Электронные сверхвысокочастотные и кывантовые приборы". Содержит теорию полупроводников и краткие сведения по полупроводниковым приборам. Содержание Электроника. Электронные приборы. Физические явления в электронных приборах. Классификация электронных приборов. Электропроводность твердых тел. Классификация твердых тел по проводимости. Влияние температуры, наличия примеси, освещенности на электропроводность п/...

Справочник. Infineon Technologies AG, 2004, 590 с. Справочник посвящен описанию основ полупроводниковой техники и технологий. Содержание: Полупроводники, основные сведения и исторический обзор. Диоды и транзисторы. Силовые полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные приборы. Датчики. Память. Микроконтроллеры. Смарт-карты. Полупроводниковые устройства для автомобилей. Развлекательная бытовая электроника. Коммуникационные модули. Заказные интегральн...

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...

Доцент Гребенников В.В. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Томск. Россия. Учебная дисциплина «Электроника». 2016г. –26с. Электронные полупроводниковые приборы Строение полупроводников Электропроводность собственных (беспримесных) полупроводников Электропроводность примесных полупроводников Акцепторные примеси Особенности полупроводников Время жизни носителей заряда Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряд...

Учебное пособие. Самара: Изд-во "Самарский университет", 2003 г. 155 с.: ил. Соответствует программе курса "Полупроводниковая электроника". Содержит последовательное изложение теоретических основ электроники твердого тела. Цель книги ? дать студенту начальную базу в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Основное внимание при изложении материала уделяется выяснению физической сущности явлений и процессов в полупроводника...

The Institution of Engineering and Technology, 2009, 350 pages. Scope: This book provides fundamental and practical information on all aspects of GaAs processing. The book also gives pragmatic advice on cleaning and passivation, wet and dry etching and photolithography, and dry etching. Other topics covered include device performance for HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) and FETs (Field Effect Transistors), how these relate to processin...

John Wiley & Sons, Inc., 2002, - 460 pages. The book contains nine chapters in total. The first chapter provides an overview of emerging trends in compound semiconductors and computing technology. Authors have tried to focus the book on the three emerging areas: telecommunications, quantum structures, and challenges and alternatives to CMOS technology. The balance of the book examines these three issues in detail. There are sections throughou...

Contents. Introduction to Semiconductor Manufacturing. Technology Overview. Process Monitoring. Statistical Fundamentals. Yield Modeling. Statistical Process Control. Statistical Experimental Design. Process Modeling. Advanced Process Control. Process and Equipment Diagnosis. of the book places the manufacture of integrated circuits into its. historical context, as well as provides anoverviewof modern semiconductorman. ufacturing. n the Chapter 2...

Retaining the comprehensive and in-depth approach that cemented the bestselling first edition's place as a standard reference in the field, the Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition features new and updated material that keeps it at the vanguard of today's most dynamic and rapidly growing field. Iconic experts Robert Doering and Yoshio Nishi have again assembled a team of the world's leading specialists in every area...

McGraw-Hill, 2010. - 448 p. 3rd edition. The Industry Standard Guide to Wire Bonding - Fully Updated. The definitive resource on the critical process of connecting semiconductors with their packages. Wire Bonding in Microelectronics, Third Edition, has been thoroughly revised to help you meet the challenges of today's small-scale and fine-pitch microelectronics. This authoritative guide covers every aspect of designing, manufacturing, and evalua...

Prentice Hall; 2 edition, 2002, ISBN: 0201444941, 316 pages Modular Series on Solid State Devices This introductory book assumes minimal knowledge of the existence of integrated circuits and of the terminal behavior of electronic components such as resistors, diodes, and MOS and bipolar transistors. It presents to readers the basic information necessary for more advanced processing and design books. Focuses mainly on the basic processes used...

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).

Woodhead Publishing Limited, 2011, 340 pages Understanding and limiting electromigration in thin films is essential to the continued development of advanced copper interconnects for integrated circuits. Electromigration in thin films and electronic devices provides an up-to-date review of key topics in this commercially important area. Part one consists of three introductory chapters, covering modeling of electromigration phenomena, modeling...

World Scientific Publishing, 2005, 208 pages. Impact ionization, avalanche and breakdown phenomena form the basis of many very interesting and important semiconductor devices, such as avalanche photodiodes, avalanche transistors, suppressors, sharpening diodes (diodes with delayed breakdown), as well as IMPATT and TRAPATT diodes. In order to provide maximal speed and power, many semiconductor devices must operate under or very close to breakdow...

Cambridge University Press, 1995, 239 Pages. This book is the first to give a comprehensive description of the physics and applications of resonant tunneling diodes. The opening chapters of the book set out the basic principles of coherent tunneling theory. The authors describe in detail the effects of impurity scattering, femtosecond dynamics, non-equilibrium distribution, and intrinsic bistabilities. They review the applications of RTDs, such...

SPIE, Bellingham, Washington, 2010, 861 pages Chemistry and Lithography provides a comprehensive treatment of the chemical phenomena in lithography in a manner that is accessible to a wide readership. The book presents topics on the optical and charged particle physics practiced in lithography, with a broader view of how the marriage between chemistry and optics has made possible the print and electronic revolutions of the digital age. The rela...

Сборник статей. Springer, 2010.- 445p. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a review of specific properties of III-V semiconductors and available technologies making them attractive to MOSFE...

William Andrew, Noyes Publications, 2000, 571 pages. Wide bandgap semiconductors, made from such materials as GaN, SiC, diamond and ZnSe, are undergoing a strong resurgence in recent years, principally because of their direct bandgaps which give them a huge advantage over the indirect gap SiC. As an example, more than 10 million blue LEDs using this technology are sold each month, and new, high-brightness (15 lumens per watt), very-long-lifetim...

Prentice Hall, 2000, 666 p. Язык - английский. Технология производства полупроводников. Книга известных американских специалистов (Michael Quirk, Julian Serda) охватывает практически все важнейщие аспекты технологии субмикронных СБИС. Несмотря на то, что она написана в 2000 г., до сих пор книга не потеряла своей ценности и актуальности и не только для отечественного читателя, она по прежнему является одним из основных хрестоматийных учебников по...

Springer-Verlag, 2006, - 304 с. (англ. яз.) Книга представляет собой введение в физику полупроводниковых гибридных матричных детекторов. Подробно рассматривается механизм формирования сигнала в сенсоре. Даны основные сведения о технологии производства сенсоров. Дан обзор свойств сенсоров из материалов, отличных от кремния. Рассматриваются принципы проектирования электроники считывания и технология соединения с сенсором. Дан обзор различных прилож...

3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов...

Berlin Heidelberg, Springer-Verlag, 1998, p. 616. Руководство от техники очистки Ultraclean для всех этапов кремниевой технологии VLSI. Ключевые слова: технология очистки, кремниевая технология, технология VLSI, Ultraclean, silicon technology, cleaning particle contamination, Takeshi Hattori

Cambridge University Press, 2010, 196 pages If you are a semiconductor engineer or a magnetics physicist developing magnetic memory, get the information you need with this, the first book on magnetic memory. From magnetics to the engineering design of memory, this practical book explains key magnetic properties and how they are related to memory performance, characterization methods of magnetic films, and tunneling magnetoresistance effect devi...

Springer 1986 (Tokyo 1981) pp.450. VLSI – Very Lage Scale Integration – Технология больших интегральных схем. . VLSI Technology summarizes the main results of the research performed by the Japanese VLSI Technical Research Association. The studies concentrated on silicon as the major basis of modern semiconductor devices. The results presented are on microfabrication technology, the electron-beam concept, the required software, the pattern transfe...

Wiley, 2003, 666 pages More than 1,100 TEM images illustrate the science of ULSI The natural outgrowth of VLSI (Very Large Scale Integration), Ultra Large Scale Integration (ULSI) refers to semiconductor chips with more than 10 million devices per chip. Written by three renowned pioneers in their field, ULSI Semiconductor Technology Atlas uses examples and TEM (Transmission Electron Microscopy) micrographs to explain and illustrate ULSI proce...

New York: Prentice Hall, 2002. - 235 p. Книга "The Essential Guide to Semiconductors" - это полное руководство по бизнесу и технологии проектирования и производства полупроводников. Достаточно концептуально для дилетантов и нетехнических инвесторов, но достаточно подробно для технических специалистов, Джим Терли объясняет как именно кремниевые чипы проектируются и производятся, освещает ключевые рынки и возможности, и показывает, как вся индустри...

Springer Science+Business Media, 2008, 330 pages Providing an important link between the theoretical knowledge in the field of non-linier physics and practical application problems in microelectronics, the purpose of the book is popularization of the physical approach for reliability assurance. Another unique aspect of the book is the coverage given to the role of local structural defects, their mathematical description, and their impact on the...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1995. - 744 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 3-й том известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению важнейшей для технологии современных СБИС области - МДП-транзисторам с субмикронной длиной канала. В книге рассматривается многосторонняя взаимосвязь физики, конструкции и технологии субмикронных транзисторных структур. Значительное внимание уделяется рассмотре...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 2002. - 826 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 4-й (и последний на сегодняшний день) том широко известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению технологических нововведений, появившихся на рубеже тысячелетий и характерных для поколений СБИС с минимальным размером элемента 0,18 мкм и менее. Все эти направления активно развиваются и в настоящее время. К числу этих...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1990. - 785 p. (на англ яз. ). Книга известного американского специалиста проф. Стэнли Волфа является вторым томом широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все аспекты технологии СБИС. Несмотря на то, что этот том написан в 1990 г., во многом книга не потеряла своей ценности и в настоящее время, в частности, из-за полноты охвата темы, а также ясного и точного стиля изложения. Книга посвящена во...

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1986. - 684 pp. (на англ яз. ). Книга представляет собой первый том широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все вопросы технологии СБИС. Несмотря на то, что книга написана в 1986 г., во многом она не потеряла своей ценности и в настоящее время. В книге удачно воплощено стремление осветить все аспекты технологии СБИС с единой точки зрения, при этом весь материал книги отличается высоким уровнем...