Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 3. The Submicron MOSFET

формат pdf
размер 36.58 МБ
добавлен 02 февраля 2011 г.

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1995. - 744 pp. (на англ яз. )
Книга представляет собой 3-й том известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС.
Настоящий том посвящен рассмотрению важнейшей для технологии современных СБИС области - МДП-транзисторам с субмикронной длиной канала. В книге рассматривается многосторонняя взаимосвязь физики, конструкции и технологии субмикронных транзисторных структур. Значительное внимание уделяется рассмотрению физических моделей субмикронных транзисторов.

Смотрите также

Мощные полупроводниковые приборы

формат pdf
размер 8.16 МБ
добавлен 04 января 2010 г.

Автор неизвестен. Содержание: Принципы работы мощных полупроводниковых приборов Основы процесса переключения Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов Силовые электронные ключи Основы Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей Силовые IGBT и MOSFET -Различие структур и функциональных принципов -Статический режим -Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT -Улучшения в технологии MOSFET и IGBT...

Справочник по мощным TMOS транзисторам (MOTOROLA)

Словарь

формат pdf
размер 18.48 МБ
добавлен 13 июля 2009 г.

На английском языке. TMOS Power MOSFETs with new advances in silicon and packaging technology, MOTOROLA, стр.1183 Справочник по мощным TMOS, MOSFET транзисторам, рассмотрены устройства с напряжением D-S до 1200 V, представлено семейство HDTMOS стандартных и логических входных уровней, N и P - канальных в корпусе SO-8, DPAK и D2PAK с планарной установкой, а также в стандартных корпусах TO- 220. В данном справочнике рассмотрены DATASHEETS всей ном...

Basu S. (ed.). Crystalline Silicon - Properties and Uses

формат pdf
размер 29.25 МБ
добавлен 23 января 2012 г.

InTech, 2011. - 344 pages. The exciting world of crystalline silicon is the source of the spectacular advancement of discrete electronic devices and solar cells. The exploitation of ever changing properties of crystalline silicon with dimensional transformation may indicate more innovative silicon based technologies in near future. For example, the discovery of nanocrystalline silicon has largely overcome the obstacles of using silicon as optoele...

Kasper Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices. 2005

формат pdf
размер 6.16 МБ
добавлен 21 декабря 2009 г.

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).

Oktyabrsky S., Ye P.D. (Eds.) Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs

Статья

формат pdf
размер 12.24 МБ
добавлен 14 января 2012 г.

Сборник статей. Springer, 2010.- 445p. Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a review of specific properties of III-V semiconductors and available technologies making them attractive to MOSFE...

Suzuki K., Smith B.W. Microlithography - Science and Technology

формат pdf
размер 15.33 МБ
добавлен 04 декабря 2011 г.

CRC Press, 2007, 864 pages. 2nd Edition (Opitcal Science and Engineering Series). This new edition of the bestselling Microlithography: Science and Technology provides a balanced treatment of theoretical and operational considerations, from elementary concepts to advanced aspects of modern submicron microlithography. Each chapter reflects the current research and practices from the world's leading academic and industrial laboratories detailed by...

Tarui Y. VLSI Technology (Fundamentals and Aplications)

формат djvu
размер 7.6 МБ
добавлен 07 марта 2011 г.

Springer 1986 (Tokyo 1981) pp.450. VLSI – Very Lage Scale Integration – Технология больших интегральных схем. . VLSI Technology summarizes the main results of the research performed by the Japanese VLSI Technical Research Association. The studies concentrated on silicon as the major basis of modern semiconductor devices. The results presented are on microfabrication technology, the electron-beam concept, the required software, the pattern transfe...

Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 4. Deep Submicron Process Technology

формат pdf
размер 79.9 МБ
добавлен 02 февраля 2011 г.

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 2002. - 826 pp. (на англ яз. ) Книга представляет собой 4-й (и последний на сегодняшний день) том широко известной серии из 4 книг, посвященной технологии СБИС. Настоящий том посвящен рассмотрению технологических нововведений, появившихся на рубеже тысячелетий и характерных для поколений СБИС с минимальным размером элемента 0,18 мкм и менее. Все эти направления активно развиваются и в настоящее время. К числу этих...

Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol.2. Process Integration

формат pdf
размер 44.19 МБ
добавлен 30 января 2011 г.

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1990. - 785 p. (на англ яз. ). Книга известного американского специалиста проф. Стэнли Волфа является вторым томом широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все аспекты технологии СБИС. Несмотря на то, что этот том написан в 1990 г., во многом книга не потеряла своей ценности и в настоящее время, в частности, из-за полноты охвата темы, а также ясного и точного стиля изложения. Книга посвящена во...

Wolf S., Tauber R.N. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 1. Process Technology

формат pdf
размер 37.7 МБ
добавлен 01 февраля 2011 г.

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1986. - 684 pp. (на англ яз. ). Книга представляет собой первый том широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все вопросы технологии СБИС. Несмотря на то, что книга написана в 1986 г., во многом она не потеряла своей ценности и в настоящее время. В книге удачно воплощено стремление осветить все аспекты технологии СБИС с единой точки зрения, при этом весь материал книги отличается высоким уровнем...