Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение

формат djvu
размер 5.32 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Издательский дом Додэка-XXI, 2001. -384с.

Представлена эволюция развития основных семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и рассмотрены особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии.
Для специалистов, занимающихся применением силовых полупроводниковых ключей, и разработчиков силовых схем.

Возможность скачивания данного файла заблокирована по требованию правообладателя.

Смотрите также

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

формат djvu
размер 9.61 МБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree

формат doc
размер 2.46 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов

Курсовая работа

формат doc
размер 425.63 КБ
добавлен 27 июня 2010 г.

Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Матвиенко В.А. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат pdf
размер 457.28 КБ
добавлен 08 сентября 2009 г.

Методические указания к четырём лабораторным работам "Характеристики и параметры полупроводниковых диодов", "Характеристики и параметры биполярных транзисторов", "Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющин p-n-переходом", "Операционный усилитель" для специальностей 230101 , 230102.

Мощные полупроводниковые приборы

формат pdf
размер 8.16 МБ
добавлен 04 января 2010 г.

Автор неизвестен. Содержание: Принципы работы мощных полупроводниковых приборов Основы процесса переключения Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов Силовые электронные ключи Основы Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей Силовые IGBT и MOSFET -Различие структур и функциональных принципов -Статический режим -Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT -Улучшения в технологии MOSFET и IGBT...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 15

формат djvu, txt
размер 5.6 МБ
добавлен 18 марта 2011 г.

Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...

Ответы по Силовым полупроводниковым устройствам автоматики

Шпаргалка

формат doc, jpg, dwg, gif
размер 3.97 МБ
добавлен 04 октября 2011 г.

НУК, 2011 г. Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности, применения. Силовые полевые транзисторы (MOSFET). области их применения, преимущества перед биполярными транзисторами, характеристики. Силовые биполярные транзисторы (ВТ). Их параметры, характеристики; особенности работы в ключевом режиме, применение Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особенности, параметры, применен...

Справочник - Полупроводниковые приборы: транзисторы

Словарь

формат djv
размер 9.79 МБ
добавлен 24 января 2010 г.

Наиболее полное издание о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторах. Приведены электрические и эксплуатационные характеристики транзисторов, классификация и система обозначений. 906 с. , 1982 год.

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

формат djvu
размер 6.23 МБ
добавлен 03 апреля 2010 г.

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...