Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний
о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах
полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования
полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов
на параметры и характеристики приборов.
Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ".
Физика полупроводников.
Теория p-n перехода.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Малосигнальные схемы замещения и параметры биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы.
Тиристоры.
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.
Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ".
Физика полупроводников.
Теория p-n перехода.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Малосигнальные схемы замещения и параметры биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы.
Тиристоры.
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.