Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Лекции - Полупроводниковые приборы
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов.
Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ".

Физика полупроводников.
Теория p-n перехода.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Малосигнальные схемы замещения и параметры биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы.
Тиристоры.
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.
Смотрите также

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

  • формат djvu
  • размер 9.61 МБ
  • добавлен 03 декабря 2010 г.
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 4.41 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree
  • формат doc
  • размер 2.46 МБ
  • добавлен 20 сентября 2010 г.
Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат pdf
  • размер 8.57 МБ
  • добавлен 05 марта 2010 г.
Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам

  • формат pdf
  • размер 1.91 МБ
  • добавлен 17 апреля 2009 г.
Таганрог, – 219 с., ил. Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледже...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 15

  • формат djvu, txt
  • размер 5.6 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

  • формат djvu
  • размер 3.46 МБ
  • добавлен 24 октября 2010 г.
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

  • формат djvu
  • размер 6.23 МБ
  • добавлен 03 апреля 2010 г.
М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

  • формат doc
  • размер 63.69 КБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров. Справочник

Справочник
  • формат djvu
  • размер 1.59 МБ
  • добавлен 02 марта 2011 г.
Издательство: КУбК-а (Москва). Год издания: 1997. ISBN: 5-85554-156-8. Страниц: 224. Справочник построен в виде таблицы, в которой приведены типо-номиналы отечественных диодов и тиристоров в соответствии с действующим рубрикатором на полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги с указанием различных фирм изготовителей США, Японии и Западной Европы. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...