Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары:
Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с.
Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы.
Оглавление:
Введение.
Структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников.
Электронно-дырочный переход.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью.
Силовые транзисторы.
Тиристоры.
Элементы интегральных схем.
Общие сведения об усилителях и усилительные каскады на транзисторах.
Интегральные логические элементы.
Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы.
Оглавление:
Введение.
Структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников.
Электронно-дырочный переход.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью.
Силовые транзисторы.
Тиристоры.
Элементы интегральных схем.
Общие сведения об усилителях и усилительные каскады на транзисторах.
Интегральные логические элементы.