Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 22

формат djvu, txt
размер 4.54 МБ
добавлен 18 марта 2011 г.

Полупроводниковая электроника в технике связи. Сборник статей под ред. И. Ф. Николаевского. Выпуск 22, 1982 год.

Рассматриваются вопросы проектирования и исследования цифровых и оптоэлектронных линий связи и устройств, КБ и УКВ передатчиков и генераторов, аттенюаторов, импульсных устройств, источников питания. Приводятся справочные данные о новых полупроводниковых приборах.
Для инженерно-технических работников, занимающихся исследованием, расчетом и конструированием различных устройств и систем связи на полупроводниковых приборах.

Смотрите также

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

формат djvu
размер 9.61 МБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree

формат doc
размер 2.46 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат pdf
размер 8.57 МБ
добавлен 05 марта 2010 г.

Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 13. Сборник статей

формат djvu
размер 3.74 МБ
добавлен 25 января 2010 г.

Издательство: Связь. Год: 1974. Страниц: 162. Материал сборника тематически разделен на две основные части. Первая содержит статьи по стабилизаторам: импульсным, с автоматическим возвратом, компенсационно-параметрическим, программируемым. Во вторую часть вошли статьи по усилителям на полупроводниковых приборах: УПТ, усилителям видеочастот, ограничителям, мощным усилителям ВЧ и СВЧ. Кроме того, в сборнике публикуются статьи по СВЧ фильтрам, преобр...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 15

формат djvu, txt
размер 5.6 МБ
добавлен 18 марта 2011 г.

Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 25

формат djvu, txt
размер 5.31 МБ
добавлен 18 марта 2011 г.

Полупроводниковая электроника в технике связи: Сб. статей. Вып. 25 / Под ред. И. Ф. Николаевского. — М.: Радио и связь, 1985. — 248 с, ил. Посвящен проектированию и исследованию узлов и блоков приемно-передающей аппаратуры, высоко- и низкочастотных генераторов и усилителей, измерительных приборов, источников электропитания и других аналоговых и цифровых устройств для систем связи и радиоэлектронной аппаратуры. Даны результаты исследований полупр...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 27

формат djvu, txt
размер 5.55 МБ
добавлен 18 марта 2011 г.

Полупроводниковая электроника в технике связи: Сб. статей. Вып. 27 / Под ред. И. Ф. Николаевского. — М.: Радио и связь, 1988. — 251 с, ил. Редакция литературы по радиотехнике Приведены схемы, электрические и конструкционные характеристики, результаты исследований КВ и УКВ передатчиков, СВЧ и НЧ усилителей, аппаратуры цифровой обработки информации, вычислительных устройств, источников вторичного электропитания, а также справочные данные микросхем...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

формат djvu
размер 3.46 МБ
добавлен 24 октября 2010 г.

Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

формат djvu
размер 6.23 МБ
добавлен 03 апреля 2010 г.

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...