Твердотельная электроника

Хабаровск : Изд-во ДВГУПС, 2006. – 68 с. Пособие соответствует дисциплине «Физические основы электроники» и «Электроника» по государственному образовательному стандарту направления 190400 «Системы обеспечения движения поездов» высшего профессионального образования специальности 190402 «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транспорте». Рассмотрены физические процессы, контактные явления, характеристики и параметры наиболее широк...

Курс лекцій для студентів спеціальностей 6.090803 «Електронні системи», 6.090802 «Електронні прилади і пристрої», 6.090804 «Фізична електроніка» заочної і денної форм навчання. Суми: СумДУ, 2011. - 280 с. Навчальний посібник має сім розділів. Перший присвячений елементам фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів, другий – будові, характеристикам і параметрам напівпровідникових діодів, третій – будові, принципу дії, характеристика...

InTech. 2011. 222 p. Following the targeted word direction of Opto- and Nanoelectronics, the field of science and technology related to the development of new display technology and organic materials based on liquid crystals ones is meeting the task of replacing volume inorganic electro-optical matrices and devices. An important way in this direction is the study of promising photorefractive materials, conducting coatings, alignment layers, as w...

Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы., М.: Высшая школа, 1990. - 208 с. Книга содержит вопросы и задачи, решение которых способствует закреплению и углублению представлений о физических процессах и явлениях в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах, приобретению практических навыков по эффективному использованию материалов при разработке электронных устройств и п...

В брошюре рассказывается о свойствах и характеристиках электролюминесцентных конденсаторов, приводится описание некоторых конструкций экспериментальных электролюминесцентных приборов, рассматриваются возможности использования явлений электролюминесценции совместно с явлениями фотопроводимости и сегнетоэлектричества твердых тел в приборах осветительной техники, телевидения, техники кинопоказа, вычислительной техники. Брошюра рассчитана на подготов...

В книге дано описание принципа построения и работы различных транзисторных стабилизаторов напряжения с непрерывным регулированием; проведена их сравнительная оценка. Приведены основные соотношения по расчету элементов стабилизаторов и практические схемы стабилизаторов различных типов. Даны рекомендации по конструированию и налаживанию стабилизаторов.

Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-тр...

Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодо...

Cambridge University Press, 2011, 470 pages Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors. A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in nanoscale MOSFET design. Key areas covered include: Transport in arb...

М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8. В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные области применения активных приборов и интегральных схем....

Учебно-контролирующий комплекс по электротехническим материалам / Электронный ресурс. - М.: МЭИ, 2004. - (171+5) с. В данном комплексе представлены материалы курса лекций "Электротехнические материалы" (лектор В.А. Воронцов), предназначенные для студентов 2-го курса института электротехники МЭИ(ТУ). Оглавление: Диэлектрические материалы. Электропроводность диэлектриков. Поляризация диэлектриков. Потери в диэлектриках. Электрическая пр...

Воронеж: ВГУ, 2006. - 43 с. Учебно-методическое пособие, посвященное элементам и устройствам твердотельной электроники, подготовлено на кафедрах электроники и радиофизики физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 3, 4 курсов физического факультета специальностей "Радиофизика и электроника", "Физика" (очная форма обучения), 4, 5 курсов физического факультета специальности "Радиофизика и электро...

Ульяновск: УлГТУ, 2008. - 56 с. Указания содержат описания лабораторных работ по изучению свойств и характеристик элементов и устройств твердотельной электроники, подробно не рассматриваемых в курсе "Электроники". Описанию лабораторных работ предшествуют разделы, указывающие порядок подготовки к работе, правила выполнения работ в лаборатории, требования к оформлению отчета и порядок получения зачета по работе, правила техники безопасности при вы...

Конспект лекций. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. В 2-х частях. - Ч.1, 66 с. Ч.2. 47 c. В пособии приводятся основные физические явления в полупроводниках и активных диэлектриках, описываются их электрические, физико-химические и механические свойства. Методическое пособие предназначено для изучения курса "Материалы электронной техники" студентами специальностей 210200, 210600, а также может быть полезно студентам других специальностей. Пособие под...

Пер. с англ. Макарова В.В. Л., "Энергия", 1975 г. 304 стр. с ил. Книга охватывает широкий круг вопросов, начиная от физических принципов работы полевых приборов различных типов (транзисторов с управляющим p-n- переходом, МОП- транзисторов, плёночных полевых транзисторов) и кончая методами расчёте электронных схем, выполненных на этих приборах. Вопросы теории сопоставлены с данными исследований реальных устройств, рассмотрены ограничения, определя...

М.: МИРЭА, 2011. - 61 с. Данное учебное пособие по курсу "Магнитоэлектроника" предназначено магистрам, обучающимся по направлению 210100 "Микроэлектроника". В нем рассмотрены недавно открытые физические эффекты, которые легли в основу бурного развития этой отрасли электроники, начавшегося с 90-х годов ХХ века и продолжающегося в настоящее время. Учащиеся знакомятся с принципиальной конструкцией магнитоэлектронных устройств, созданных на основе...

Национальная академия наук Беларуси, Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению", Фонд фундаментальных исследований Республики Беларусь. - Минск : А. Н. Вараксин, 2010. - 220 с. В монографии весьма подробно изложены методы получения, представлены кристаллографические и термодинамические характеристики, отражены особенности химической связи, приведены элек...

М.: Техносфера, 2008. - 512 с. - ISBN: 978-5-94836-187-1 (3-е изд., доп.) В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролет...

Шифраторы и дешифраторы. Цель работы: изучить шифраторы и дешифраторы, составить их таблицы истинности. Рабочая среда: электронная программа «Electronics Workbench»

– Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. – 44 с. – 300 экз. Содержит указания к выполнению лабораторных и практических работ по изучению структуры, механических, электрических и магнитных свойств металлов и сплавов. Позволит разобраться студентам в методах прогнозирования свойств металлических и неметаллических материалов с помощью равновесных диаграмм состояния, а также по изменению их структуры с помощью различных видов термообработки....

/ В. А. Пилипенко, В. Н. Пономарь, В. А. Горушко, А. А. Солонинко -Мн.: БГУ, 2003. - 171 с.: ил. ISBN 985-445-950-0. В монографии систематизированы физические методы исследования структуры, фазового состава, электрофизических свойств материалов и многослойных тонкопленочных структур, используемых в микроэлектронике для создания СБИС, а также функционального контроля микросхем. Представлены результаты по применению различных методов контроля на ра...

М.: Просвещение, 1989. - 128 с.: ил. - (Мир знаний). Книга знакомит читателя с историей развития электроники, возникновением микроэлектроники. В ней даны основные понятия о видах микросхем - полупроводниковых интегральных и гибридных (тонкопленочных и толстопленочных). Даны элементарные понятия о физике полупроводников и основных элементов ИМС. Объясняется сущность основных технологических процессов изготовления ИМС: фотолитографии, вакуумного на...

Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность кремниевых лавинных вентилей большой площади, связь этих характери...

Введение. Современные литографические процессы в технологии ППП и ИС. Фоторезисты. Фотошаблоны. Контактная фотолитография. Дефекты при проведении процесса контактной фотолитографии. Бесконтактная фотолитография. Рентгеновская литография. Электронно-лучевая литография. Описание технологического процесса. Выбор и описание технологического оборудования. Оценка технологического процесса. Ведомость технологической документации. Ведомость оборудования....

М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Оглавление. Основные понятия физики полупроводниковых материалов. Диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

СПб: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 2002. Курс лекций для бакалавров. Оглавление. Этапы производства и оптимизация ИС. Предельные возможности интегральной микроэлектроники. Приборы с зарядовой связью. Гетеропереход и двумерный электронный газ. Сверхбыстродействующие транзисторы на основе гетероперехода. Микроэлектроника СВЧ.rn

УГАТУ, 2008 год. 94 страницы. Содержание: Неметаллические материалы Диэлектрики Основные процессы в диэлектриках в электрическом поле Электропроводность диэлектриков Поляризация диэлектриков Электронная поляризация Ионная поляризации Дипольная поляризация Спонтанная поляризация Активные диэлектрики Диэлектрические потери Зависимость тангенса угла потерь от температуры Зависимость тангенса угла потерь от частоты Пробой диэлектриков Электричес...

Курсовой проект по курсу: «Проектирование интегральных микросхем» Тема проекта: « Разработка конструкции гибридной интегральной микросхемы генератора» Пояснительная записка содержит введение, аналитический обзор, разработка технических требований на микросхему, выбор и обоснование конструктивно-технологического исполнения микросхемы, расчет элементов и выбор навесных компонентов, разработка топологии ИМС, разработка и обоснование технологическог...

Издательство: СПбГУ ИТМО-2010г. В учебном пособии рассмотрены элементы кристаллофизики, а также основные виды проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов электронных средств.

В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые усилители и генераторы, приборы с переходами Джозефсона и детекторы гравитационных волн. Книга отличается ясностью и полнотой изложения материа...

В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения. Книга рассчитана на инженеров, техников и подготовленных радиолюбителей.

Изложены физико-химические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Проанализировано влияние размерных эффектов в твердом теле и в процессах его формирования на развитие микроэлектроники, обсуждены предельные возможности миниатюризации и интеграции полупроводниковых приборов. Рассмотрены механизмы неравновесных процессов формирования структуры приборов. Систематизированы известные селективные физико-химические явления, ис...

Шкаев, А. Г. Твердотельная электроника: конспект лекций / А. Г. Шкаев. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. Зонная структура полупроводников Термины и определения Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в полупроводни...

Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно изложена физика эффекта Ганна и описаны его многочисленные применения. Главное внимание уделено анализу работы полевого транзистора. С единой точки зрения проанализ...

Книга посвящена вопросам проектирования аналоговых СВЧ монолитных схем и устройств. (на англ. языке). Изд-во - Wiley-Int. 2003. - p. 906, ISBN 0-471-20755-1 Contents: Introduction. Transmission Lines and Lumped Elements. Resonators. Impedance Transformation Techniques. Hybrids and Couplers. Filters. Active Devices. Passive Devices. Oscillators. Amplifiers. Detectors and Mixers. Microwave Control Circuits. Frequency Multipliers and Dividers. RF...

Расчет усилительного каскада по постоянному току. Расчет усилительного каскада по переменному току.

Усилительный каскад с общим эмиттером. Расчет усилительного каскада по постоянному току. Расчет усилительного каскада по переменному току.

Х. К. Арипов, Г. Н. Кузьмина, А. М. Абдуллаев, А. М. Афанасьева. Микроволновые полупроводниковые приборы. Конспект лекций - Ташкент: ТУИТ 2003. В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине " Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций пре...

Раздел Микроэлектроника. Ташкент, Электротехнический институт связи, 2002 г. Конспект лекции В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «микроэлектроника» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций предназначен для бак...

Специальная редакция для журнала «РАДИО». Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала Радио. – Таганрог, 2004. – 121 стр. Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович. Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные за- мечания при подготовке рукописи. Автор выражает благодарность своему учителю – Александру Владимировичу Кнышу.

Р-n переход. Электрические модели р-n переход. Ёмкости р-n переход. ВАХ реальных диодов. Стабилитрон. Применение диодов и стабилитронов. Биполярные VT.

Для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптическое аппаратостроение», «Медицинская электроника», Минск, БГУИР, 2004 г. 100 экз. 35 стр. Оригинальный pdf-файл (не скан с книжки). По каждой теме есть задачи с ответами и примеры решения задач. Содержание: Химическая связь и строение вещества. Проводниковые материалы. Полупроводниковые материалы. Диэлектрические материалы. Магнитные материалы.

Учеб. для студ. вузов по спец. электронной техники. 3-е изд. — СПб.: Издательство «Лань», 2001. — 368 с, ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). В книге изложены основы строения материалов и физики явлений, происходящих в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах, их электрические и магнитные свойства, а также сведения о технологии производства важнейших материалов и их применении.

Учеб. для студентов вузов М. - Высшая Школа, 1986. - 304 с. структура кристаллов. дефекты в кристаллах. тепловые колебания атомов кристалла. основы зонной теории. статистика в полупроводниках. кинетические явления. магнитные свойства твердых тел. контакт металл-полупроводник.

Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока базы транзистора и его зависимость от режима и температуры. Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический университет))

В данном справочнике можно найти информацию начиная от общего сведения о биполярных и полевых транзисторах и заканчивая их габаритными чертежами.

Физическая природа свойств твёрдых тел. Фазовые диаграммы и твердые растворы. Структура твердотельных интегральных микросхем. Диффузионные процессы в твердых телах. Основы ионного легирования. Технологические основы микроэлектроники. /124 стр. // BSUIRrn

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как н...

В реферате рассматриваются терморезисторы, варисторы (принцип действия, основные характеристики, типовые схемы включения). Также приведено задание к этой работе(подразумевается выполнение задания и проведение эксперимента с помощью таких программ, Electronics Workbench или Proteus). Введение 1. Терморезисторы (применение и основные схемы включения, принцип действия, основные характеристики и параметры). 2. Варисторы (принцип действия, применение...

Полупроводниковые приборы. Высокочастотные диоды. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы. 592 страницы. Формат djvu

Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов

ПП4. Лабораторная работа "Исследование статических характеристик, статических и дифференциальных параметров полевых транзисторов" для студентов специальности "Промышленная электроника"

ПП2. Лабораторная работа "Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов" для студентов специальности "Промышленная электроника"

ПП1. Лабораторная работа по курсу "Твердотельная электроника" для студентов специальности "Промышленная электроника". Вывод не лучший, но сдать можно :)

Шпоры к экзамену по ТТЭ. Содержание по лекциям.

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов. Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника Неравновесное состояние полупроводника. Электрические переходы в полупроводниковых приборах. Электрические переходы. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный перехо...

Расчетно-графическая работа по твердотельной электронике №3. Вариант 11.