Хлудков С.С., Толбанов О.П., Вилисова М.Д., Прудаев И.А. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами

Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. — 258 с. — ISBN 978-5-94621-556-5 Монография является обобщением результатов обширных исследований структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами, проводимых в Томском государственном университете, Сибирском физико-техническом институте и Научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов. Изложены методы легирования GaAs примесями переходных металлов Fe, Cr, Mn и описаны его свойства. Большое внимание уделено анализу электронных процессов в сложных структурах на основе этого материала. Приведены характеристики целого ряда разработанных приборов: переключающих лавинных S-диодов, фотоприёмников УФ- и ИК-диапазонов, детекторов ионизирующих излучений, генераторов прямоугольных и мощных дельта-импульсов. Рассмотрены перспективы использования GaAs, легированного переходными металлами, в спинтронике.
Для специалистов в области материаловедения полупроводников и полупроводниковой электроники, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.