М.: Техника, 1977. — 104 с.
Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы
полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и
интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы,
обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима
усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими
связями элементов.
Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью.
Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью.