• формат djvu
  • размер 4.58 МБ
  • добавлен 25 февраля 2010 г.
Жалуд В., Кулешов В.Н. Шумы в полупроводниковых устройствах
Шумы в полупроводниковых устройствах. Под общей ред. А. К. Нарышкина. Совместное советско-чешское издание. М., «Сов радио», 1977, 416 с.

Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства усилитетей в интегральном исполнении. Книга предназначена для специалистов, занимающихся теоретическими и прикладными вопросами построения приемно-усилительных и передающих устройств. Она может быть также полезна студентам вузов.

Содержание:
Методы описания шумов и анализ преобразований сигнала и шума.
Случайные процессы и их вероятностные характеристики.
Спектральные характеристики случайных процессов.
Взаимная корреляция и взаимные спектры.
Линейные преобразования случайных процессов.
Примеры стационарных случайных процессов и их линейных преобразований.
Основные источники шума в электрических цепях и активных элементах.
Шумы двухполюсников и их характеристики.
Шумы трехполюсников и их характеристики.
Коэффициент шума усилительного каскада.
Коэффициент шума многокаскадного усилителя.
Интенсивность шума. Шумовая температура. Шумовое число.
Коэффициент шума преобразователя частоты и других линейных устройств.
Представление шума в виде суммы двух квадратурных колебаний. Спектры флуктуации амплитуды и фазы суммы гармонического сигнала и шума.
Спектр колебаний с малыми стационарными флук туациями амплитуды и фазы.
Преобразование колебания с флуктуирующими ампли тудой и фазой линейными системами.
Преобразование колебания с флуктуирующими амплитудой и фазой безынерционными нелинейными системами.
Периодически нестационарные б-коррелированный шум и шум типа 1/f.
Шумы приемно-усилительных устройств на биполярных транзисторах.
Эквивалентная шумовая схема биполярных транзисторов.
Шумовые параметры биполярных транзисторов в области средних частот.
Шумовые параметры биполярных транзисторов в области низких частот.
Шумовые параметры биполярных транзисторов в области высоких частот.
Проектирование низкочастотных малошумящих усилителей на биполярных транзисторах.
Двухкаскадный низкочастотный усилитель по схеме ОЭ-ОЭ.
Низкочастотная каскадная схема с параллельно включенными входными транзисторами.
Проектирование высокочастотных малошумящих усилителей на биполярных транзисторах.
Круговые диаграммы для высокочастотного усилителя.
Высокочастотный усилитель с параллельно включенными транзисторами.
Однокаскадный усилитель сигнала с частотой 100 МГц.
Смеситель переключателя телевизионных каналов.
Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.
Эквивалентная шумовая схема полевых транзисторов с плоскостным затвором.
Шумовые параметры полевого транзистора с плоскостным затвором в области средних частот.
Шумовые параметры полевых транзисторов с плоскостным затвором в области низких частот.
Шумовые параметры полевых транзисторов с плоскостным затвором в области высоких частот.
Шумовые параметры полевых транзисторов с барьером Шоттки.
Шумовые параметры МОП-транзисторов.
Определение элементов эквивалентной цепи для схемы с общим истоком.
Схемы с общим затвором и стоком.
Проектирование малошумящих видеоусилителей на полевых транзисторах.
Предусилитель для конденсаторного микрофона.
Видеоусилитель.
Усилитель на МОП-тетроде сигнала частотой 400 МГц.
Высокочастотный усилитель по схеме с заземленной промежуточной точкой.
Шум монолитных интегральных схем.
Эквивалентная шумовая схема интегрального транзистора.
Коэффициент шума интегрального транзистора.
Коэффициент шума каскада на двух транзисторах в интегральной схеме.
Шум интегрального транзистора в низкочастотной области. Дифференциальный усилитель.
Влияние обратной связи на шум.
Шумы транзисторных усилителей большого сигнала и умножителей частоты.
Представление сигнала и шумов в каскаде с шумящим нелинейным трехполюсником.
Символические выражения для шумов на выходе каскада.
Спектральные характеристики шумов на выходе обобщенного каскада.
Характеристики невозмущенного режима усилительного каскада на биполярном транзисторе.
Шумы биполярного транзистора при большом гармоническом сигнале на его входе.
Шумы простейшего усилителя большого сигнала на биполярном транзисторе.
Влияние эмиттерного автосмещения на шумы усилителя.
Влияние отрицательной обратной связи по току на шумы усилителя.
Шумы, вносимые умножителями частоты на биполярных транзисторах.
Прохождение внешних флуктуации через усилители и умножители частоты на биполярных транзисторах.
Шумы усилителей большого сигнала и умножителей частоты на полевом транзисторе.
Преобразование флуктуации амплитуды и фазы сигнала в усилителях и умножителях частоты на полевых транзисторах.
Расчет шумов многокаскадных устройств.
Шумы транзисторных автогенераторов.
Функциональная схема и символическое уравнение автогенератора с источниками шумов.
Укороченные уравнения автогенератора.
Стационарный режим автогенератора и его зависимость от параметров.
Флуктуационные уравнения автогенератора и символические выражения для флуктуации амплитуды и фазы.
Энергетические спектры и другие характеристики флуктуации амплитуды и фазы колебаний.
Энергетический спектр колебания автогенератора и отношение шум/сигнал при заданной расстройке от частоты колебаний.
Шумы автогенератора с идеальным активным элементом и относительные характеристики шумов реальных автогенераторов.
Шумы одноконтурного автогенератора на биполярном транзисторе.
Влияние отрицательной обратной связи на шумовые характеристики транзисторного автогенератора.
Шумы одноконтурного автогенератора на полевом транзисторе.
Шумы одноконтурного кварцевого автогенератора.
Сравнение вкладов шумов автогенератора и усилителя в простейшем источнике колебаний.
Измерение шумовых свойств полупроводниковых приборов и устройств.
Рекомендации МЭК по измерению коэффициента шума транзисторов.
Измерение коэффициента шума в области средних частот с помощью шумового генератора с регулируемой шумовой мощностью.
Измерение коэффициента шума в области низких частот с помощью генератора синусоидального сигнала.
Измерение коэффициента шума в области высоких частот шумовым генератором с неуправляемым вы-ходом.
Автоматическое измерение коэффициента шума.
Измерение четырех шумовых параметров.
Измерение шума диодов.
Измерение шумовых свойств операционных усилителей.
Квадратичные вольтметры.
Приложения.
Предусилитель для конденсаторного микрофона.
Предусилитель для магнитофонной приставки.
Предусилитель для операционного усилителя.
Монолитный усилитель с подавленным шумом типа 1/f.
Условия применения флуктуационных уравнений автогенератора.
Смотрите также

Ван дер Зил. Шум: Источники, измерения, описание

  • формат djvu
  • размер 1.92 МБ
  • добавлен 18 мая 2010 г.
Ван дер Зил А. Шум. Источники, измерения, описание. (пер. с англ. ) - Москва Сов. радио, 1973 - 228 стр. В книге приводятся теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в в полупроводниковых приборах. Содержание: Введение. Математические методы. Описание шумов. Измерение шума. Тепловой шум и шум генерации-рекомбинации. Дробовой шум, шум токораспределения и фликкер-шум. Шум в конкретных устройствах. Смесители. Приложение.

Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение

  • формат djvu
  • размер 5.32 МБ
  • добавлен 20 сентября 2010 г.
Издательский дом Додэка-XXI, 2001. -384с. Представлена эволюция развития основных семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и рассмотрены особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии. Для специалистов, занимающихся применением силовых полупроводниковых ключей, и разработчи...

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 01 июля 2011 г.
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Курносов А.И. Материалы

  • формат djvu
  • размер 859.78 КБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 625 КБ
  • добавлен 28 сентября 2011 г.
Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

Лабораторная работа - Описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с эскизами поперечных сечений

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 65.19 КБ
  • добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ цели: 1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС. 2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту. 3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту...

Митяшев Б.Н. Электронные приборы

  • формат pdf
  • размер 1.15 МБ
  • добавлен 02 сентября 2011 г.
М.: МФТИ. - 85 с. Данное учебное пособие написано на основе раздела курса лекций "Электронные приборы", предназначенного для студентов факультета радиотехники и кибернетики МФТИ. Особенностью курса является его направленность на изучение физических процессов в полупроводниковых приборах с целью обоснования их статических, частотных и временных характеристик, предельных возможностей, а также адекватного поведения приборов в устройствах с помощью л...

Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы

  • формат djvu
  • размер 907.3 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 2.81 МБ
  • добавлен 14 сентября 2007 г.
Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавро...

Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 14.32 МБ
  • добавлен 05 января 2010 г.
Издательство М: Энергоатомиздат, 1990 576 страниц Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника...