3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed)
(2007)
Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники.
В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей), физика приборов наноэлектроники и транзисторов на гетеропереходах и с высокой подвижностью носителей (HEMT).
Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, а также для студентов старших курсов вузов.
Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники.
В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей), физика приборов наноэлектроники и транзисторов на гетеропереходах и с высокой подвижностью носителей (HEMT).
Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, а также для студентов старших курсов вузов.