• формат djvu
  • размер 642.02 КБ
  • добавлен 27 декабря 2009 г.
Покорный Е.Г. Номографический метод расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств
Работа содержит новую систематизированную методику расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств, основанную на использовании специальных номограмм и графиков, облегчающих и значительно ускоряющих процесс расчета по сравнению с обычным аналитическим методом. Представленные номограммы и графики могут применяться также для теоретического анализа функциональных связей между термоэлектрическими параметрами, для анализа выбранного режима, поиска оптимальных решений и т. д. Впервые описаны новые практические режимы работы термоэлементов.
Смотрите также

Каменская А.В. (сост.) Технология материалов и изделий электронной техники

  • формат pdf
  • размер 986.12 КБ
  • добавлен 07 августа 2011 г.
Учебное пособие, НГТУ,Новосибирск, 1999, 58 с. Учебное пособие для студентов заочной и дневной форм обучения. Специальность 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". В учебном пособии изложены основы технологических схем получения и очистки важнейших полупроводниковых материалов, используемых в электронной технике. Содержание: Технологические методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплавов. Тигельные методы. Бестигель...

Козырь И.Я. и др. Общая технология

  • формат djvu
  • размер 2.4 МБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С. Пономарев А.С. Общая технология. Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .1. - М.: Высшая школа, 1989. -223 с.: ил. Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено авто...

Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 625 КБ
  • добавлен 28 сентября 2011 г.
Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

Лабораторная работа - Описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с эскизами поперечных сечений

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 65.19 КБ
  • добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ цели: 1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС. 2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту. 3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 22

  • формат djvu, txt
  • размер 4.54 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Полупроводниковая электроника в технике связи. Сборник статей под ред. И. Ф. Николаевского. Выпуск 22, 1982 год. Рассматриваются вопросы проектирования и исследования цифровых и оптоэлектронных линий связи и устройств, КБ и УКВ передатчиков и генераторов, аттенюаторов, импульсных устройств, источников питания. Приводятся справочные данные о новых полупроводниковых приборах. Для инженерно-технических работников, занимающихся исследованием, рас...

Покорный Е.Г., Щербина А.Г. Расчет полупроводниковых охлаждающих устройств

  • формат djvu
  • размер 2.24 МБ
  • добавлен 18 мая 2010 г.
Л.: Наука, 1969, 206 с. В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств. Издание рассчитано на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой...

Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 2.36 МБ
  • добавлен 15 августа 2011 г.
М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы

  • формат djvu
  • размер 4.96 МБ
  • добавлен 02 ноября 2010 г.
М., Мир, Пер. с англ. , 1988 г. , 585 стр. Приводится теория работы и технология изготовления полупроводниковых приборов (БТ, МДП, ПТШ и др. ), методика расчета, анализа характеристик и топологии схем на операционных усилителях (ОУ) и дифференцирующих каскадах. Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов.

Федоров М.А. Полупроводниковые диоды и триоды

  • формат djvu
  • размер 210.35 КБ
  • добавлен 06 февраля 2010 г.
Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами огромного количества физических и радиотехнических приборов. Если Вы б...