Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров

Презентация: Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров. В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо- или гете-ропереходом; излучательная рекомбинация инжектированных носителей в активной области структуры. Явление инжекции неосновных носителей служит основным механизмом введения неравновесных носителей в активную область структуры светоизлучающих диодов . Когда в полупроводнике создается р—n-переход, то носители в его окрестностях распределяются таким образом, чтобы выровнять уровень Ферми.