Слабухин Александр. Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния

формат pdf
размер 390.55 КБ
добавлен 20 мая 2010 г.

Компоненты и технологии № 2'2005
Повышение производительности, достигающееся при использовании высоковольтных
выпрямителей на основе карбида кремния в бустерных преобразователях, может
использоваться для увеличения выходной мощности, частоты коммутации в устройствах
небольших размеров или для повышения их надежности. Диоды Шоттки на основе
карбидакремния компании Cree отлично подходят для повышения производительности,
к тому же, сих помощью можно значительно понизить электромагнитные помехи.

Смотрите также

Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов

формат pdf
размер 949.27 КБ
добавлен 15 марта 2011 г.

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2001. - 70 с. В настоящем учебном пособии рассмотрены радиационные эффекты, происходящие в полевых транзисторах, выпрямительных диодах, солнечных батареях. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния...

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ

формат djvu
размер 11.57 МБ
добавлен 04 октября 2009 г.

2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки). Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекто...

Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов

формат doc
размер 71.5 КБ
добавлен 19 декабря 2006 г.

измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов

Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа

формат doc
размер 625 КБ
добавлен 28 сентября 2011 г.

Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

Реферат - Полупроводниковые диоды

Реферат

формат doc
размер 88.8 КБ
добавлен 06 мая 2009 г.

Содержание, введение, плоскостной выпрямительный диод, кремниевый стабилитрон, туннельный диод, точечный диод, импульсный диод, варикапы, диоды Шоттки, список литературы,

Родерик Э.Х. Контакты Металл-Полупроводник

формат djvu
размер 2.42 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов ра...

Фалькевич Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния

формат djvu
размер 4.95 МБ
добавлен 02 декабря 2009 г.

М.: Металлургия, 1992, - 408 с. Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его...

Электроника и микроэлектроника

формат pdf
размер 87.71 МБ
добавлен 26 февраля 2011 г.

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...

Электронные компоненты. Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения

формат pdf
размер 746.5 КБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Электронные компоненты. Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения. Номенклатура, описание, схемы применения. 2010 г. Гамма Санкт-Петербург. 13 с.

Sze, Ng. Physics of Semiconductor Devices

формат pdf
размер 34.86 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов...