Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ

формат djvu
размер 11.57 МБ
добавлен 04 октября 2009 г.

2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984.
Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники.
Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки).
Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей).
Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, а также для студентов старших курсов вузов.

Смотрите также

Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.31 МБ
добавлен 28 мая 2009 г.

Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат djvu
размер 1.48 МБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы

формат djvu
размер 2.48 МБ
добавлен 07 июля 2010 г.

-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

Курносов А.И. Материалы

формат djvu
размер 859.78 КБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Минайчев В.Е. Нанесение плёнок в вакууме

формат djvu
размер 1.06 МБ
добавлен 31 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы

формат djvu
размер 23.41 МБ
добавлен 05 марта 2010 г.

М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Семёнов Ю.Г. Контроль качества

формат djvu
размер 989.06 КБ
добавлен 31 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...

Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы

формат djvu
размер 4.96 МБ
добавлен 02 ноября 2010 г.

М., Мир, Пер. с англ. , 1988 г. , 585 стр. Приводится теория работы и технология изготовления полупроводниковых приборов (БТ, МДП, ПТШ и др. ), методика расчета, анализа характеристик и топологии схем на операционных усилителях (ОУ) и дифференцирующих каскадах. Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов.

Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров

формат djvu
размер 1.79 МБ
добавлен 01 марта 2010 г.

Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 208 с.: иллюстрации Обобщены результаты в области дискретных силовых полупроводниковых приборов. Вопросы проектирования увязаны с существующими и перспективными процессами изготовления мощных тиристоров. Рассмотрена работа новых типов приборов: запираемых тиристоров, гибридов полевого транзистора с тиристором, МОП-транзисторов с встроенной областью пространственного заряда. Для широкого круга специалистов...