Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат

формат rtf, doc, docx
размер 416.79 КБ
добавлен 30 марта 2009 г.

Содержание.
Введение.
Электронно-дырочный p- n- переход.
Классификация биполярных транзисторов.
Устройство и принцип действия биполярного транзистора.
Схемы включения биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы.
Принцип действия и устройство полевого транзистора.
Схемы включения полевых транзисторов.
Усиление тока.
Частотные свойства транзисторов.
Шумовые характеристики транзисторов.
Система обозначений биполярных и полевых транзисторов.
Заключение.
Список литературы.

Смотрите также

Барсуков С.Н., Кравчук А.С. Элементная база радиоэлектроники. Часть 2. Биполярные транзисторы. Тиристоры. Учеб. пособие

формат pdf
размер 897.45 КБ
добавлен 27 мая 2010 г.

Рассмотрены физические основы работы биполярных транзисторов и тиристоров. Приведены основные параметры, характеристики и описаны особенности применения электронных приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

формат djvu
размер 9.61 МБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

формат djvu
размер 2.88 МБ
добавлен 29 июня 2010 г.

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Ответы по Силовым полупроводниковым устройствам автоматики

Шпаргалка

формат doc, jpg, dwg, gif
размер 3.97 МБ
добавлен 04 октября 2011 г.

НУК, 2011 г. Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности, применения. Силовые полевые транзисторы (MOSFET). области их применения, преимущества перед биполярными транзисторами, характеристики. Силовые биполярные транзисторы (ВТ). Их параметры, характеристики; особенности работы в ключевом режиме, применение Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особенности, параметры, применен...

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат

формат doc
размер 287.85 КБ
добавлен 15 ноября 2010 г.

Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

Ржевкин. Пособие для студентов по полупроводниковым приборам

формат doc
размер 1.92 МБ
добавлен 03 января 2009 г.

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Светцов В.И., Холодков И.В. Физическая Электроника и Электронные Приборы

формат pdf
размер 11.07 МБ
добавлен 07 июля 2010 г.

М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр. В монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумная и эмиссионная электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ФЭУ, ЭОП, ЭЛТ и т. д. ), газоразрядная электроника (клистроны, ЛОВ, индикаторы, разрядники, газовые лазеры и т. д. ), твердотельная электроника (диоды, биполярные транзисторы, полевые транзис...

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

формат doc
размер 63.69 КБ
добавлен 16 января 2010 г.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Электроника и микроэлектроника

формат pdf
размер 87.71 МБ
добавлен 26 февраля 2011 г.

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...