М., Мир, 1989 г. , 630 стр. Монография известных американских
специалистов, которые в популярной форме излагают азы физики,
рассматривают технологии формирования кремниевых ИС. В книге
рассмотрены также принципы их действия, поднимаются проблемы
расчета, создания конструкции, приведены прочие математические
модели, которые применяют в целях проектирования самих элементов и
цифровых (аналоговых) ИС на их базисе. В книге сделан акцент на
математических моделях элементов ИС, которые ориентированы на
системы автоматизированного проектирования. Описаны некоторые
специфических для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной
изоляцией, КМОП-структуры. Целевая аудитория - специалисты по
проектированию полупроводниковых ИС, инженеры-технологи
полупроводникового производства. Книгу рекомендуют использовать и
учащимся – студентам, аспирантам соответствующих специальностей.