Моряков О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн. 9. Сборка

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С. Пономарев А.С. Общая технология. Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .1. - М.: Высшая школа, 1989. -223 с.: ил. Рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено авто...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

В книге описаны современные методы литографии (фотолитография, рентгенолитография, электронолитография и ионоли-тография) и изготовления шаблонов при производстве полупроводниковых приборов и ИМС. Рассмотрено используемое автоматическое оборудование. Уделено внимание контролю размеров элементов изделий микроэлектроники. Приведены основные требования электронной гигиены и техники безопасности Издательство: Высшая школа Год издания: 1990 Страниц:...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .7. - М.: Высшая школа, 1990. - 128 с.: ил. В книге описаны процессы воздействия на твердое тело электронных, ионных и оптических пучков, применяемые в микроэлектронике для травления диэлектриков,полупроводников, металлов, нанесения их тонких слоев на подложки и модификации поверхностных слоев полупроводниковых пластин. Приведены сведения по ио...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .4. - М.: Высшая школа, 1989. - 95 с.: ил. В книге описаны технологические процессы механической и химической обработки полупроводниковых пластин: резка,шлифовка, полировка, скрайбирование, разламывание, химическая очистка и травление. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполн...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...