М.: Мир, 1969. - 451 с.: ил. (пер. с англ. под ред. В. Н.
Мордковича и Ф. П. Пресса).
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
Книга полезна разработчикам и технологам полупроводниковых приборов, физикам, физикам-химикам и химикам, изучающим явления в полупроводниковых устройствах, а также специалистам, применяющим интегральные схемы.
Ее можно рекомендовать в качестве учебного пособия студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников.
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
Книга полезна разработчикам и технологам полупроводниковых приборов, физикам, физикам-химикам и химикам, изучающим явления в полупроводниковых устройствах, а также специалистам, применяющим интегральные схемы.
Ее можно рекомендовать в качестве учебного пособия студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников.