М., Мир, 1989 г. , 280 стр. В книге рассматриваются вопросы
моделирования электрофизических характеристик приборов и
технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое
внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов
прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного
моделирования различных полупроводниковых приборов, а также
процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной
диффузионно-дрейфовой моделью в ряде работ для анализа
характеристик приборов используются гидродинамическая модель и
метод частиц. Основное внимание уделяется кремниевым приборам, но в
ряде работ рассматриваются свойства, характерные для приборов на
основе соединений А3В
5. Кратко затрагиваются вопросы схемотехнического анализа, моделирования литографии, травления, осаждения, ионной имплантации, воздействия светового и ионизирующего излучений.
5. Кратко затрагиваются вопросы схемотехнического анализа, моделирования литографии, травления, осаждения, ионной имплантации, воздействия светового и ионизирующего излучений.