М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области
фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и
радиационного материаловедения. Московский государственный институт
электроники и математики, 2000. - 102 с.
Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы); рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах.
Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы); рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах.