Асессоров В.В., Быкадорова Г.В., Ткачев А.Ю. Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD

формат pdf
размер 647.49 КБ
добавлен 14 декабря 2010 г.

Учебное пособие для вузов. Воронеж, 2007, 27 с.
Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.
Основы теории МДП транзисторов.
Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD.
Для специальности: 010803 (014100) - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы.
Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а также практикующим инженерам, желающим освоить азы приборно-технологического моделирования.

Похожие разделы

Смотрите также

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 3.81 МБ
добавлен 01 июля 2011 г.

Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат djvu
размер 1.48 МБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ

формат djvu
размер 11.57 МБ
добавлен 04 октября 2009 г.

2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки). Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекто...

Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы

формат djvu
размер 2.48 МБ
добавлен 07 июля 2010 г.

-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

Курносов А.И. Материалы

формат djvu
размер 859.78 КБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Минайчев В.Е. Нанесение плёнок в вакууме

формат djvu
размер 1.06 МБ
добавлен 31 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы

формат djvu
размер 23.41 МБ
добавлен 05 марта 2010 г.

М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы

формат djvu
размер 3.05 МБ
добавлен 22 февраля 2011 г.

Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1993. - 224с. В данном пособии приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и у...

Семёнов Ю.Г. Контроль качества

формат djvu
размер 989.06 КБ
добавлен 31 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...