Шпаргалка
- формат doc, jpg, dwg, gif
- размер 3.97 МБ
- добавлен
04 октября 2011 г.
НУК, 2011 г. Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности, применения. Силовые полевые транзисторы (MOSFET). области их применения, преимущества перед биполярными транзисторами, характеристики. Силовые биполярные транзисторы (ВТ). Их параметры, характеристики; особенности работы в ключевом режиме, применение Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особенности, параметры, применен...