Воробьев Ю.В. и др. Методы исследования полупроводников

формат djvu
размер 2.5 МБ
добавлен 28 марта 2011 г.

/ Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха.
К.: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 232 с. , 125 ил. - Библиогр. : 35 назв.
ISBN 5-11-000230-4
В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). Изложены физические принципы методик исследования полупроводников, приведены схемы экспериментальных установок, проанализированы условия применимости различных методик и основные источники их погрешнстей.
Особое внимание уделено проблеме использования ЭВМ в исследованиях полупроводников.
Для студентов физических и радиофизических специальностей вузов.

Похожие разделы

Смотрите также

Анохин В.З., Гончаров Е.В. и др. Практикум по химии и технологии полупроводников: Учебное пособие для студентов ВУЗов

формат djvu
размер 2.97 МБ
добавлен 02 февраля 2011 г.

(Под общей редакцией Угая Я. А. ) М.: Высш. школа, 1978. - 191 с., ил. В книге дано описание лабораторных работ по химии и технологии полупроводников. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химических исследования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построение P-T-x диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различных методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристалло...

Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н. и др. Методы исследования полупроводников

формат djvu
размер 3.12 МБ
добавлен 20 июня 2010 г.

Киев, "Выща школа", 1988 - 232 стр. , 125 илл. В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника).

Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы

формат djvu
размер 7.97 МБ
добавлен 29 сентября 2010 г.

- М.: Металлургия. 1991. — 407 с. Обобщены данные по широкому спектру исследований практически всех известных подклассов стеклообразных полупроводниковых сплавов: халькогенидных, оксидных, сплавов систем АII-ВIV-В2V и др. Проанализированы существующие концепции стекло-образования. Выявлены периодические закономерности стеклообразования, осуществлен прогноз и поиск новых халькогенидных стеклообразующих систем. Рассмотрены методы получения, структу...

Полупроводники (презентация)

формат ppt
размер 326 КБ
добавлен 11 февраля 2007 г.

Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.36 МБ
добавлен 15 августа 2011 г.

М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов

формат pdf
размер 4.92 МБ
добавлен 17 мая 2010 г.

М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...

Федорова С.С. Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода

Дисертация

формат pdf
размер 1.55 МБ
добавлен 25 сентября 2011 г.

- Москва, - ГОУ ВПО «МАТИ», - 2005, – 140 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность: 05.27.06. Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. (На правах рукописи). Научный руководитель: доцент, доктор технических наук Елинсон В.М. Аннотация. Цель работы – исследование влияния наноразмерного покрытия на основе углерода, нанесенного на поверхность...

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе

формат djvu
размер 4.45 МБ
добавлен 17 января 2010 г.

М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.

Электроника и микроэлектроника

формат pdf
размер 87.71 МБ
добавлен 26 февраля 2011 г.

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...

Kasper Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices. 2005

формат pdf
размер 6.16 МБ
добавлен 21 декабря 2009 г.

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).