Федорова С.С. Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода

Дисертация

формат pdf
размер 1.55 МБ
добавлен 25 сентября 2011 г.

Федорова С.С. Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода

- Москва, - ГОУ ВПО «МАТИ», - 2005, – 140 стр. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специальность:
05.27.06. Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. (На правах рукописи). Научный руководитель: доцент, доктор технических наук Елинсон В.М.

Аннотация.
Цель работы – исследование влияния наноразмерного покрытия на основе углерода, нанесенного на поверхность пленки ПЭТФ ионноплазменным методом, на электрофизические свойства полимера.

Содержание.
Анализ электрофизических свойств пленки ПЭТФ, ионно-плазменных способов получения нанослоев на основе углерода и процессов электризации пленки под воздействием частиц газоразрядной плазмы.
Объекты и методы исследования.
Применение пленки ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода в приборах электронной техники.

Похожие разделы

Смотрите также

Айнспрук Н. Браун Д. Плазменная технология в производстве СБИС

формат pdf
размер 68.06 МБ
добавлен 09 января 2012 г.

Монография, Москва, МИР, 1987, 471 с. Книга ведущих специалистов из США и Японии, в которой рассмотрены вопросы физики, химии и технологии применения плазменной обработки в производстве СБИС. Это своеобразная энциклопедия по физики, химии процессов осаждения, литографии и травления с применением ионно плазменных методов. Книга предназначена для специалистов в области физики и химии плазмы, технологии микроэлектроники, а также для студентов соотве...

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

формат djvu
размер 2.77 МБ
добавлен 28 марта 2011 г.

/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Каменская А.В. (сост.) Технология материалов и изделий электронной техники

формат pdf
размер 986.12 КБ
добавлен 07 августа 2011 г.

Учебное пособие, НГТУ,Новосибирск, 1999, 58 с. Учебное пособие для студентов заочной и дневной форм обучения. Специальность 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". В учебном пособии изложены основы технологических схем получения и очистки важнейших полупроводниковых материалов, используемых в электронной технике. Содержание: Технологические методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплавов. Тигельные методы. Бестигель...

Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов

Курсовая работа

формат doc
размер 425.63 КБ
добавлен 27 июня 2010 г.

Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Мамедов Р.К. Контакты Металл-Полупроводник с Электрическим Полем Пятен

формат pdf
размер 2.48 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводник...

Миллер Д. Моделирование Полупроводниковых Приборов и Технологических Процессов

формат djvu
размер 5.51 МБ
добавлен 16 июня 2010 г.

М., Мир, 1989 г. , 280 стр. В книге рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой...

Могэб К., Фрейзер д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Стейдел К., Бертрем У. Технология СБИС (книга 2)

формат djvu
размер 5.5 МБ
добавлен 02 октября 2009 г.

В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986 г. , 453 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС (биполярная технология...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

формат djvu
размер 3.46 МБ
добавлен 24 октября 2010 г.

Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Реферат - Пассивные элементы полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем

Реферат

формат doc
размер 191.58 КБ
добавлен 27 января 2009 г.

Обзорный реферат. Рассматриваются некоторые особенности технологии изготовления резисторов (диффузионные резисторы, пинч-резисторы, эпитаксиальные резисторы, эпитаксиальные пинч-резисторы, ионно-легированные резисторы, пленочные резисторы) и конденсаторов (МДП – конденсаторы и диффузионные конденсаторы)

Wang M. Lithography

Статья

формат pdf
размер 83.03 МБ
добавлен 07 декабря 2011 г.

InTech, 2010. - 656 pages. Michael Wang, Editor. ISBN 978-953-307-064-3. Сборник статей по новейшим методам литографии. Рассматриваемые темы включают ионно- и электроннолучевую литографию, лазерную литографию, иммерсионную фотолитографию, литографию в дальней ультрафиолетовой области спектра, наноимпринтную литографию, методы коррекции эффекта близости, изготовление проекционных объективов сверхвысокого разрешения, новейшие достижения в технологи...