Введение; Анализ структуры; Анализ маршрутных технологических
процессов производства типовых ИМС; Разработка структурной схемы
технологического процесса; Анализ методов производства; Анализ
оборудования для производства структуры; Анализ методов контроля и
условий производства; Разработка технологической документации на
маршрут структуры; Разработка технологического процесса на
операционный процесс; Охрана труда и окружающей среды; Заключение;
Литература; Нормативная документация; МГПК, специальность
Микроэлектроника.
Курсовой проект - Разработка технологического процесса изготовления толстоплёночной ГИС
Курсовая работа
- формат doc
- размер 1.16 МБ
- добавлен 22 сентября 2008 г.
Смотрите также
Антонов Ю.Н. Математическое моделирование лазерной подгонки пленочных резисторов
Дисертация- формат doc, pdf
- размер 754.35 КБ
- добавлен 16 апреля 2011 г.
- Ульяновск, - УГТУ, - 2009, – 38 стр. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Специальность: 05.13.18 Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ. (На правах рукописи). Аннотация. Объектом исследования диссертационной работы является физический процесс воздействия лазерного излучения на пленочные РЭ, применяемого для подгонки сопротивления в целях увеличения выхода годных гибридных...
Выпускная работа бакалавра - Транспортные свойства туннельных джозефсоновских структур Nb/AIOx/Nb
degree- формат pdf
- размер 2.67 МБ
- добавлен 12 апреля 2011 г.
МФТИ, Черноголовка, 2009. 22с. Работа состоит из разделов: Введение и постановка задачи. Литературный обзор. Технология изготовления экспериментальных образцов. Экспериментальная установка. Экспериментальные результаты. Выводы. Литература.
Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- формат djvu
- размер 3.83 МБ
- добавлен 01 июня 2009 г.
3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.
Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов
Курсовая работа- формат doc
- размер 425.63 КБ
- добавлен 27 июня 2010 г.
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.
Курсовой проект - Разработка конструкции триггера Шмитта
Курсовая работа- формат doc
- размер 430.85 КБ
- добавлен 22 сентября 2008 г.
Введение; Анализ задания на проектирование; Анализ схемы принципиальной электрической; Выбор структуры подложки; Расчет параметров элементов; Выбор навесных компонентов; Разработка коммутационной схемы; Разработка эскиза топологии; Оценка качества разработанной ИМС; Описание технологического процесса изготовления ГИС; Защита ИМС от внешних воздействий; Заключение; Литература; Нормативная документация МГПК, специальность Микроэлектроника.
Курсовой проект - Расчет себестоимости изготовления триггера Шмидта
Курсовая работа- формат doc
- размер 90.06 КБ
- добавлен 12 октября 2008 г.
Введение; Расчет стоимости основных материалов; Расчет стоимости вспомогательных материалов; Расчет трудоемкости изготовления изделия; Расчет фонда заработной платы работающих участка; Расчет себестоимости изготовления изделия; Заключение; Литература; МГПК, специальность Микроэлектроника.
Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов
Лабораторная- формат doc
- размер 225.99 КБ
- добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.
Могэб К., Фрейзер д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Стейдел К., Бертрем У. Технология СБИС (книга 2)
- формат djvu
- размер 5.5 МБ
- добавлен 02 октября 2009 г.
В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986 г. , 453 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС (биполярная технология...
Пирс К., Адамс А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС (книга 1)
- формат djvu
- размер 4.45 МБ
- добавлен 02 октября 2009 г.
В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. /Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986г. , 404 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, дифузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикр...
Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы
- формат djvu
- размер 4.96 МБ
- добавлен 02 ноября 2010 г.
М., Мир, Пер. с англ. , 1988 г. , 585 стр. Приводится теория работы и технология изготовления полупроводниковых приборов (БТ, МДП, ПТШ и др. ), методика расчета, анализа характеристик и топологии схем на операционных усилителях (ОУ) и дифференцирующих каскадах. Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов.