Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. OrCAD. Моделирование

формат pdf
размер 39.68 МБ
добавлен 01 ноября 2009 г.

Издательство "СОЛОН-Пресс", 2005 г. , 200 с.
Книга посвящена описанию моделирования в среде OrCAD с помо-
щью специального языка EUL (Environment User's Language), который
позволяет в краткой формализованной записи отображать ре-
шения конкретных задач, которые возникают перед пользователем в про-
цессе работы со средой. В книге приводятся функциональные характери-
стики OrCAD 9.2, описание языка EUL и около 360 «рецептов», реко-
мендаций и приемов работы со средой. Часть «рецептов» сопровождается
примерами. В приложениях приводится информация, которая может
быть полезна пользователям.
Приведенная в книге информация может быть также использована при
работе с версией OrCAD 10.0.

Купить книгу

Смотрите также

Антонетти П. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов

формат djvu
размер 6.34 МБ
добавлен 28 марта 2010 г.

МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1988. - 496 с: ил. Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и электрических характеристик их основных элементов -...

Антонов Ю.Н. Математическое моделирование лазерной подгонки пленочных резисторов

Дисертация

формат doc, pdf
размер 754.35 КБ
добавлен 16 апреля 2011 г.

- Ульяновск, - УГТУ, - 2009, – 38 стр. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Специальность: 05.13.18 Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ. (На правах рукописи). Аннотация. Объектом исследования диссертационной работы является физический процесс воздействия лазерного излучения на пленочные РЭ, применяемого для подгонки сопротивления в целях увеличения выхода годных гибридных...

Асессоров В.В., Быкадорова Г.В., Ткачев А.Ю. Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD

формат pdf
размер 647.49 КБ
добавлен 14 декабря 2010 г.

Учебное пособие для вузов. Воронеж, 2007, 27 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Основы теории МДП транзисторов. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD. Для специальности: 010803 (014100) - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а...

Иванов А.Г., Белов Г.А., Сергеев А.Г. Системы управления полупроводниковыми преобразователями

формат pdf
размер 91.19 МБ
добавлен 26 февраля 2011 г.

Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2010. - 448 с. Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники. Оглавление. введение. Системы управления и регулирования преобразователями силовой электроники. Особенности современной полупроводниковой элементной базы, классификация и примеры применения преобразователей силовой электроники в электроприводе. Системы управления тири...

Компьютеры на СБИС: в 2-х кн., кн. 1. (Пер. с япон.)

формат djv
размер 3.74 МБ
добавлен 23 июля 2010 г.

Мотоока Т., Хорикоси X., Сакаути М. и др. - M.: Мир, 1988. - 392 с. Книга является переводом восьмого тона 11-тонной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования компьютеров па основе наиболее перспективных СБИС. Значительное внимание уделено структурным решениям построения процессоров, запоминающих устройств, систем ввода-вывода данных. Даны рекомендации по использованию для этих целей систем...

Лекции - Системное проектирование производства БИС и СИС

Статья

формат doc
размер 1.3 МБ
добавлен 05 мая 2009 г.

Классификация интегральных микросхем, Подготовительные операции, Базовые элементы бис и сис, Особенности производства и применяемых расходных материалов. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов бис и сис. Анализ и синтез технологических маршрутов. Моделирование производства кристаллов бис и сис. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций. Методы и алгоритмы численного физико-Топологического моделирования полу...

Миллер Д. Моделирование Полупроводниковых Приборов и Технологических Процессов

формат djvu
размер 5.51 МБ
добавлен 16 июня 2010 г.

М., Мир, 1989 г. , 280 стр. В книге рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой...

Реферат - Электрический взрыв проводников

Реферат

формат doc
размер 81.5 КБ
добавлен 29 апреля 2011 г.

Содержание. Электрический взрыв проводников. Моделирование ЭВП. Процессы протекающие при ЭВП. Основные направления работ по ЭВП. Применение ЭВП. Заключение. Список использованной литературы.