Наноэлектроника

Учеб. пособие. — М.: Можайский полиграфический комбинат оформление, 2011. — 184 с. — ISBN 978-5-8493-0202-7 Данное учебное пособие посвящено физическим, химическим и технологическим основам микро- и наноэлектроники. Подробно рассмотрены современные технологические процессы, используемые при создании электронных устройств: литография, травление, ионная имплантация, нанесение пленок диэлектриков, металлизация. Для каждого из процессов приводится фи...

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 05.27.01. – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. — Ярославский филиал Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН. — Москва, 2010. — 43 с. Целью работы являлось разработка физических основ плазменного микро- и наноструктурирования поверхности на основе исс...

2-е изд. — СПб.: Лань, 2010. — 288 c. — ISBN 978-5-8114-1060-6. Приведены основные сведения об электрических и магнитных свойствах твердых тел. Рассмотрены физические основы работы твердотельных устройств. Изложены физические процессы управления поведением электронов в твердых телах. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, а также для всех интересующихся новейшими материалами и электронными технологиями. Оглавление Типы...

Учебное пособие. - Москва, МИЭТ, 2010. - 98 с. Основные параметры МДП транзистора Структуры наноразмерных МДПТ Масштабирование МДП-транзисторов Влияние параметров транзисторов на характеристики ИМС Основные параметры идеализированного транзистора Ограничение скорости носителей в канале Модуляция длины канала Коэффициент усиления Подвижность носителей в канале Подпороговый ток Эффекты малых размеров Модель МДПТ в SPICE Учет техноло...

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. - Москва, МИЭТ, 2004. - 149 с. Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Оглавление Введение 1 Состояние вопроса по созданию планарных квантовых проводников на основе углеродных нанотрубок и квазиодномерных структур 1.1 Основные направления в нанотехнологии планарных одномерных провод...

Минск, БГУИР, 2004. - 88 с. Учебное пособие. В третей части учебного пособия рассмотрены основные направления в создании устройств с одноэлектронным переносом носителей заряда, их основные типы и принципы работы.

Минск, БГУИР, 2003. - 41 с. Учебное пособие. В первой части рассмотрена физическая природа и основные закономерности проявления фундаментальных явлений (квантовые ограничения, баллистический транспорт и квантовая интерференция, туннелирование).

Минск, БГУИР, 2003. - 76 с. Учебное пособие. Учебное пособие составлено на основе курса лекций "Нанотехнология", читаемого студентам специальности "Микроэлектроника" дневной формы обучени. Во второй части рассмотрены основные известные и нетрадиционные методы изготовления наноразмерных структур и функциональных слоев на их основе.

3-е изд. (эл.) — М.: Бином. Лаборатория знаний, 2013. — 366 с. — (Учебник для высшей школы). — ISBN 978-5-9963-2104-9 Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду...

Учебник для высшей школы. — 3-е издание. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. — 366 с. Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду с обновленным и расширенным...

Учебное пособие. — Тамбов, Изд-во ФГБОУ ВПО «ТГТУ», 2012. — 80 с. Учебное пособие посвящено материалам, применяемым в микро- и наноэлектронике. Рассмотрены типы химической связи, структура и свойства полупроводниковых соединений типа AIIIBV и A2VB3VI. Представлены типы основных магнитных оксидных материалов, применяемых в микро- и наноэлектронике, основы теории перехода материалов в жидкокристаллическое состояние, используемое для создания цифров...

Электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород, ННГУ, 2012. – 60 с. В учебно-методическом пособии рассматриваются современные базовые методы нанотехнологий металлической наноэлектроники - напыление в вакууме и вакуумная плазмохимическая обработка тонкопленочных структур. Излагаются основы вакуумной техники, необходимые для работы на современных напылительных установках. Приведены схемы компоновки вакуумных систем и изложены принципы п...

Опорный конспект лекций. - Санкт-Петербург, НИУ ИТМО, 2011. – 141 с. Опорный конспект лекций для бакалавров и магистров направлений 200500 "Лазерная техника и лазерные технологии", 200200 "Оптотехника", 223200 "Техническая физика", 200700 "Фотоника и оптоинформатика", 200100 "Приборостроение", а также для студентов специальностей 200201 "Лазерная техника и лазерные технологии", 210401 "Физика и техника оптической связи". Курс также может быть пол...

Нанотехнологии: наука и производство. 2012. №6, с.63-67. Изучена электролюминесценция пленок полидифениленфталида на переменном токе при введении в матрицу полимера квантовых точек PbS Ключевые слова: электролюминесценция, квантовая точка, полидифениленфталид, диод, генератор напряжения Введение Методы и объект исследования Результаты измерений

Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. - 712 с. В первой части книги излагаются основные вопросы физики твердотельных систем пониженной размерности, последовательно рассматриваются особенности энергетического спектра частиц, транспортных и оптических свойств и процессы переноса частиц в различных квантово-размерных структурах. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников соответствующего профиля, а также для студентов техническ...

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов. - М.: МИЭТ, 2011, 56 с. Рассмотрены особенности формирования пористого анодного оксида алюминия, а также особенности формирования полупроводниковых соединений катодным осаждением в матрицу пористого анодного оксида алюминия. Приведен пример расчета и построения диаграммы Пурбэ. Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника...

Конспект лекций по дисциплине. — М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. — ISBN 978-5-7256-0652-2 Рассмотрены электрохимические и химические процессы модифицирования поверхности и нанесения покрытий в технологии создания наноструктур. Особое внимание уделено процессам анодного окисления и растворения и катодного осаждения материалов, формирования пористых наноструктур. Отдельная лекция посвящена химическому методу формирования полупроводниковых соединений из во...

Лекции. - Владивосток, ДВФУ, 2007. - 182 с. 1 Физика объемных полупроводников Кристаллическая структура и зонная энергетическая структура основных полупроводников Теория донорных (акцепторных) уровней и статистика равновесных носителей. Электрические, оптические и тепловые свойства Максимальная дрейфовая скорость в полупроводниках: стационарная дрейфовая скорость, всплеск дрейфовой скорости 2 Полупроводниковые P-N переходы и гетеропереходы...

М., Техносфера, 2007 г. , 360 стр. Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур (ГФЭ, МЛЭ, ХОГФ...

Москва: Техносфера, 2007, 352с. Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерныхкремниевых структур.

М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. — ISBN 978-5-7256-0656-0 Рассмотрены применение плазменных процессов в производстве изделий микро- и наноэлектроники, технологические проблемы их использования при изготовлении ИС, тенденции развития плазменной технологии. Представлены современные системы высокоплотной плазмы. Приведены основные понятия процесса плазменного травления и его технологические параметры. Описаны процессы плазменного травления различных функцио...

Учебное пособие. — М.: МИЭТ, 2011. — 204 с. Рассмотрены с физико-химических позиций развитие систем металлизации кремниевых интегральных схем, выбор материалов функциональных слоев металлизации и процессы формирования элементов металлизации. Приведены закономерности взаимодействия в различных силицидообразующих системах металл - кремний и особенности формирования силицидных контактных слоев; принципы выбора материалов диффузионно-барьерных слоев;...

Учебное пособие. Томск, В-Спектр, 2011, 263 с. В учебное пособие включено описание новых технологических процессов, которые составляют основу современного производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств кремниевой наноэлектроники. К таким процессам относятся субмикронная литография, ионное легирование, быстрый термический отжиг, ионное и плазмохимическое травление наноструктур, атомно-слоевое и ионно-плазменное осаждение мет...

Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Эль Контент, 2011. — 96 c. Освещаются следующие разделы в области создания и исследования объектов наноэлектроники: нанолитография, оптическая литография, УФ-, КУФ-, ЭУФ- диапазоны, литография сканирующими электронными и ионными пучками, оборудование для получения остросфокусированных пучков электронов и ионов, наноимпринтинговая литография, технология наноразмерных...

Учебно-методический материал по программе повышения квалификации "Физико-химические основы нанотехнологий". Нижний Новгород, 2007, 160 с. Изложены основы новой быстроразвивающейся области физики и технологии – спинтроники. Вводятся понятия спинов электрона, многоэлектронного атома и фотона. Описан магнетизм как традиционных (переходных металлов группы железа), так и новых материалов: сильнолегированных марганцем элементарных полупроводников и сое...

Москва ФИЗМАТЛИТ 2010г, 408стр. Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для р...

Учебное пособие. - М.: Издательство МГТУ имени Н. Э. Баумана, 2011 - 128с.: ил. (Библиотека "Наноинженерия": в 17 кн. Кн. 6). ISBN 978-5-7038-3497-8 (кн. 6) ISBN 978-5-7038-3509-8 Методические материалы по дисциплине "Проектирование наносенсоров" содержат нормативную базу дисциплины, рекомендации по организации и проведению лекций и лабораторных работ, перечень слайдов, типовых плакатов и другие дидактические материалы для работы профессорско пре...

Нижний Новгород, ННГУ, 2011. – 81 c. Описаны основные свойства поляризованных электромагнитных волн, методы генерации и источники циркулярно-поляризованного излучения. Рассмотрены основные виды спиновых светодиодов, испускающих циркулярно-поляризованное излучение, геометрия и Конструкция диодов, материалы, наиболее часто используемые для изготовления. Описаны основные подходы и методики измерений циркулярной поляризации электролюминесценции на пр...

Новосибирск, НГТУ, 2000 г. , 340 стр. В монографии излагаются основные вопросы физики систем пониженной размерности, рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в многослойных структурах с резкими потенциальными границами (сверхрешётки, гетеропереходы и т. д. ), дополнительно освещаются вопросы энергетического спектра низкоразмерных систем с цилиндрической и сферической симметрией, вопросы влияния электрического поля на...

Учебное пособие. - М.: Логос. 2006. - 496с. Излагаются основные вопросы физики систем пониженной размерности, рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в многослойных структурах с резкими потенциальными границами. В отличие от первого издания (2004 г., НТГУ) дополнительно освещаются вопросы энергетического спектра низкоразмерных систем с цилиндрической и сферической симметрией, вопросы влияния электрического поля на э...

Учебное пособие. — 2-е изд. — М.: Логос, 2006. — 496 с. Излагаются основные вопросы физики систем пониженной размерности, рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в многослойных структурах с резкими потенциальными границами. В отличие от первого издания (2004 г., НТГУ) дополнительно освещаются вопросы энергетического спектра низкоразмерных систем с цилиндрической и сферической симметрией, вопросы влияния электрическог...

Учебное пособие. — Санкт-Петербург, СПбГПУ, 2008. — 122 с. В пособии обобщены результаты ведущихся в мире интенсивных исследований в области молекулярной электроники, рассмотрены основные физические свойства и электронное строение молекулярных материалов и углеродных наноструктур, основные принципы создания приборов молекулярной электроники. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям и специ...

Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2006. — 236 с. В книге изложены основные направления развития микро- и наноэлектроники: рассмотрены физические основы функционирования интегральных микросхем (ИС) и их структурных элементов, приведены конструктивно-технологические варианты исполнения ИС, проанализированы физические особенности отечественных и зарубежных промышленных технологических процессов формирования топологии полупроводниковых радиоэлектронных...

Учебное пособие. - М.: МИФИ, 2008. - 288 с. Распознано Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее100 нм. Предназначена для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в уч...

Учебное пособие. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. — 240 с. — ISBN 978-5-9963-0181-2 Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может б...

Новосибирск : СибГУТИ, 2007. — 53 с. Наноэлектроника как научное направление существует относительно недавно (с конца 20 века) и поэтому его точного исчерпывающего определения пока не существует. Наиболее часто под наноэлектроникой понимают совокупность электронных приборов, устройств и систем, принцип работы которых основан на использовании квантово-размерных эффектов. Некоторые из таких эффектов будут подробно рассмотрены в данных методических...

М., Техносфера, 2006 г. , 200 стр. В монографии проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ, CVD), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микро- и наноструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параме...

Учебное пособие. — М.: Изд. Дом МИСиС, 2009. — 155 с. Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных...

Монография. Одесса, 2015. — 535 с. — ISBN 978-617-7337-15-6 Книга посвящена современной наноэлектронике в концепции «снизу – вверх», основы которой были заложены еще Рольфом Ландауэром, а ныне активно развиваемой Суприе Даттой, Марком Лундстромом и другими исследователями. Подробно рассмотрена обобщенная модель транспорта электронов и переноса тепла в микро- и наноэлектронике, одинаково пригодная для 0D, 1D, 2D и 3D резисторов произвольного масшт...

Издание 2-ое, дополненное. — Киев: Издательство Стрельбицкого, 2016. — 544 с. — ISBN 978-617-7337-15-6. Книга посвящена современной наноэлектронике в концепции «снизу – вверх», основы которой были заложены еще Рольфом Ландауэром, а ныне активно развиваемой Суприе Даттой, Марком Лундстромом и другими исследователями. Подробно рассмотрена обобщенная модель транспорта электронов и переноса тепла в микро- и наноэлектронике, одинаково пригодная для 0D...

Учебно-методическое пособие для вузов. Бочаров Ю.И., Воронов Ю.А., Зебрев Г.И., Лапшинский В.А., Мочалкина О.Р., Орлов В.К., Подлепецкий Б.И. — М.: МИФИ, 2011. — 108 с. Нами добавлены 3 распознанных текстовых файла: Глава 1, где есть задания олимпиад 2009-10 годов и их решения. Тематика задач и творческих заданий олимпиады в 2009-10 гг (из главы 2). Темы творческих заданий для 3-й олимпиады «Наноэлектроника» в НИЯУ МИФИ в 2011 г.(из главы 2). Сбо...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 40 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего конспект лекций, лабораторный практикум, практикум, методические указания по выполнению расчетно-граф...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 29 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего учебную программу дисциплины, конспект лекций, лабораторный практикум, практикум, методические указан...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 137 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего учебную программу дисциплины, конспект лекций, лабораторный практикум, практикум, методические указа...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 321 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего учебную программу дисциплины, лабораторный практикум, практикум, методические указания по выполнению...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 120 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего учебную программу дисциплины, конспект лекций, практикум, методические указания по выполнению расчет...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 29 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего учебную программу дисциплины, конспект лекций, лабораторный практикум, практикум, методические указан...

Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике». - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 320 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Теоретические основы электрических цепей в электронике и наноэлектронике», включающего учебную программу дисциплины, конспект лекций, лабораторный практикум, методические указания по выпо...

Санкт-Петербург, Лань, 2008. — 336 с. Учебное пособие. 2-е изд. Данное пособие знакомит читателя с историческими этапами зарождения наноэлектроники, определяет роль микроэлектроники на современном этапе. Также приведены теоретические основы и особенности наноэлектроники, отражены особенности инструментального и технологического обеспечения ее развития. Рассматриваются достижения нанотехнологии в электронике, перспективы и тенденции ее дальнейшего...

Учебное пособие. 2-еизд.,испр. — СПб.: Издательство «Лань», 2008. — 336 с. Данное пособие знакомит читателя с историческими этапами зарождения наноэлектроники, определяет роль микроэлектроники на современном этапе. Также приведены теоретические основы и особенности наноэлектроники, отражены особенности инструментального и технологического обеспечения ее развития. Рассматриваются достижения нанотехнологии в электронике, перспективы и тенденции ее...

Собраны тезисы докладов студентов и аспирантов по твердотельной наноэлектронике Международной конференции "Ломоносов-2011": 1. Аль-Шедиват Маруан Файсал Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова Моделирование динамики поляризации фемтосекундных импульсов в условиях резонансного возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов 2. Антропов Илья Михайлович Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова Адсорбционная ч...

Методическое пособие для студентов 5-го курса МГТУ им. Н. Э. Баумана. Рукопись (не издавалось). 2007 г. Часть 1 - 36 стр., часть 2 - 34 стр. Настоящее издание методического пособия соответствует программе курса "Физические основы наноэлектроники". Рассматриваются электрические, оптические, механические и др. свойства наноструктур различных размерностей, важные для применения в РЭС. В первой части рассмотрены свойства двумерных наноструктур (нано...

Изд. 2-е, доп. - М.: Техносфера, 2009. - 368 с. (600dpi, b/w - текст, grayscale - рисунки, OCR) - ISBN 978-5-94836-209-0. В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-...

Москва: Техносфера, 2010. – 435 стр. В книге изложены результаты проведения фундаментальных и поисковых научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) полупроводниковой электроники (RTD, HEMT, PHEMT, MeFET на AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP, AlGaN/GaN), включая разработку гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для бортовых радаров, широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий с...

Выходные данные неизвестны, 11 слайдов. Презентация по дисциплине "Коллоидная химия нанотехнологий". Наноэлектроника Основные задачи наноэлектроники Углеродные нанотрубки Использование нанопроводов Создание жестких дисков Нанотранзисторы Структура транзисторов Заключение Использованные ресурсы

НИЯУ МИФИ, М., проф. Патрикеев Л.Н., 2012 г., 113 слайдов Кафедра 27 микро- и наноэлектроники От микро к наноэлектронике Фотолитография Изготовление фотошаблонов Структуры базовых ИЭТ Базовый технологический процесс создания ИМС на кремнии ( Si ) Резка, шлифовка и полировка кристаллов Si Легирование методом термической диффузии примесей

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. — 720 с. — (Электроника) В первой части книги излагаются основные вопросы физики твердотельных систем пониженной размерности, последовательно рассматриваются особенности энергетического спектра частиц, транспортных и оптических свойств и процессы переноса частиц в различных квантово-размерных структурах. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников соответствующего профиля, а также дл...

Навчальний посібник. – Вінниця: ВНТУ, 2016. – 199 с. У навчальному посібнику розглянуто квантово-механічні основи фізичних процесів в напівпровідникових наноструктурах. Описано основні методи дослідження наноструктурних об'єктів та матеріали, на основі яких виготовляються наноелектронні прилади. Розглянуто принципи роботи нанотранзисторів та функціональних елементів оптоелектроніки на основі квантово-розмірних ефектів. Навчальний посібник підгот...

Навчальний посібник. — Суми: Сумський державний університет, 2014. — 230 с. Посібник містить матеріал перекладу з англійської мови з коментарями та доповненнями вибраних розділів монографії «Розмірні ефекти в тонких плівках» відомих французьких вчених К. Тельє і А. Тоссе та додатки у вигляді перекладених українською мовою відомих праць із теми «Електрофізичні властивості тонких плівок». Навчальний посібник призначений для студентів вищих навчальн...

Навчальний посібник. — Суми: Сумський державний університет, 2014. — 212 с. Посібник містить матеріал перекладу з англійської мови з коментарями та доповненнями вибраних розділів монографії «Розмірні ефекти в тонких плівках» відомих французьких вчених К. Тельє і А. Тоссе та додатки у вигляді перекладених українською мовою відомих праць із теми «Електрофізичні властивості тонких плівок». Навчальний посібник призначений для студентів вищих навчальн...

УлГПУ, 2014, 27 стр Специальность - физика Наноэлектроника Квантовые эффекты Причины перехода к наноэлектронике Применение наноматериалов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (кафедра микро- и наноэлектроники), Москва, проф. Зебрев Г.И., 2011., 47 слайдов Дисциплина «Микро- и наноэлектроника» Кремниевая КМОП технология Кремниевый МОП транзистор - основа современной электроники Почему кремний? Почему МОП транзистор? МОП транзистор - классический прибор Почему КМОП технология? Барьер как необходимое условие цифровой электроники Альтернативные материалы для электр...

Подлепецкий Б.И., Гуменюк С.В., Никифорова М.Ю., Самотаев Н.Н. Учебное пособие. - М.: НИЯУ МИФИ, 2010. – 56 с. В практикуме содержатся введение и восемь лабораторных работ. Приведены описания измерительных стендов и макетов, перечень рабочих заданий, контрольные вопросы и требования к оформлению отчетов о лабораторных работах по курсу Датчики на основе микрои нанотехнологий, читаемому студентам факультета автоматики и электроники, высшего физичес...

Навч. посіб. – К.: НТУУ «КПІ», 2010. – 160 с. Розглянуто елементарні наукові засади та напрями розвитку твердотільної інтегральної електроніки (мікроелектроніки), фізичні основи нового напряму – наноелектроніки, що охоплює нову науково-технічну галузь – магнітоелектроніку (спінтроніку), а також численні біологічні й технологічні аспекти нанотехнологій. Посібник підготовлено на основі багаторічного досвіду читання лекцій з курсу та з використанням...

Навчальний посібник. – Поплавко Ю. М., Ільченко В.І., Якименко Ю.І. - К.: НТУУ КПІ, 2010. – 160 с. - Для студентів вищих навчальних закладів технічних і фізичних спеціальностей у галузях електроніки, мікроелектроніки та нанотехнологій. ISBN 978-966-622-350-3 Розглянуто елементарні наукові засади та напрями розвитку твердотільної інтегральної електроніки (мікроелектроніки), фізичні основи нового напряму – наноелектроніки, що охоплює нову науково-т...

Элективный курс в программу по физике для учащихся 10-11 классов В доступной форме описывается начало нового раздела физики полупроводников - наноэлектроники. Излагаются основные достижения наноэлектроники и нанотехнологии, сделанные к последнему времени. Презентация создана для привлечения интересов школьников 10-11 класса, углубления их знания о современном состоянии физики и ее перспективах.

Иркутск: Изд-во ИГУ, 2012. — 147 с. ISBN 978-5-9624-0624-4 Пособие содержит основы теории намагничивания ферромагнетиков, описание структуры и свойств магнитных материалов, включая классификацию методов записи информации для ЭВМ. Обсуждаются магнетики с гигантским магнитным сопротивлением и магнитоэлектрические материалы; приведены также основы логической магнитоэлектроники; отдельные главы посвящены преобразователям магнитного поля, классическо...

Учебное пособие. — Ульяновск: Ульяновский государственный технический университет (УлГТУ), 2016. — 137 с. — ISBN 978-5-9795-1606-6. В пособии рассмотрены теоретические основы и физические принципы работы элементов и устройств наноэлектроники. Описано современное состояние и перспективы развития технологий наноэлектроники. Основное внимание уделено проблемам практической реализации достижений современной науки в конкретных элементах и устройства...

Лабораторный практикум. - Томск, ТУСУР, 2010. - 97 с. Приведены четыре лабораторные работы, в основу которых положены четыре наиболее распространенных и перспективных физических метода контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем – спектрометрическое оценивание толщины тонких пленок, рамановская и ИК Фурье-спектрометрия, растровая электронная микроскопия. Для сл...

Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 115 с. Изложены описания основных современных методов исследования и диагностического оборудования для контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем. Раскрыты возможности этих методов. Показано, каким образом совместное использование нескольких методов позволяет получить достоверную информацию о физических свойствах исслед...

Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 95 с. Приведены сведения об основных понятиях теории и количественных показателях качества и надежности наногетероструктурных монолитных интегральных схем; рассмотрены методы контроля качества, расчета и оценки надежности, ускоренных испытаний на надежность и долговечность, а также вопросы прогнозирования и повышения показателей качества и надежности интегральных схем. Для слушателей программы переподготов...

М.: ИНХ им. Николаева А.В. СО РАН, ИК им. Борескова Г.К. СО РАН, 2010. — 3 с. Аннотация: К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO2. Дальнейшая миниатюризация требует замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «...

М., Физматлит, 2006 г. , 195 стр. В книге дан анализ современного состояния и тенденций развития вакуумной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены физико-химические основы процесса создания нового класса автоэмиссионных наноструктур на базе нанопористого анодного оксида алюминия. Приведены результаты исследований их геометрических параметров, элементного состава и эмиссионных характеристик. Представлена принципиально новая интегральная технология с...

Учебное пособие. - Санкт-Петербург, СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с. В учебном пособии рассмотрены физические основные наноэлектроники. Технологии создания твердотельных наноструктур, применение квантово-размерных структур в приборах наноэлектроники. Учебное пособие соответствует утвержденным учебным программам по направлениям 211000 – «Конструирование и производство электронно-вычислительных средств» для бакалавров и 210200.6805 – «Технологии и инстру...

Учебное пособие. - Томск, ТУСУР, 2010. - 88 с. Для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов. Физические основы наноэлектроники. Способы формирования квантово-размерных наноструктур. Квантовые эффекты. Устройства наноэлектроники.

Учебное пособие для студ. фак. Нано- и биомедицинских технологий. – Саратов, СГУ, 2007. - 84 с. Авторы: Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Изложены результаты теоретического описания взаимодействия СВЧ-излучения с полупроводниками, металлодиэлектрическими и металлополупроводниковыми структурами, положенные в основу различных СВЧ-методов измерения параметров полупроводников, микро- и наноструктур. Рассмотрены особенности п...

Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с. : ил. — Электронное издание. — ISBN 5-292-01986-0 Учебное пособие посвящено изложению физических основ наноэлектроники. Описаны явления переноса носителей заряда в гетероструктурах с селективным легированием. Рассмотрены квантовые эффекты в структурах с пониженной размерностью, описаны новые типы микро- и наноэлектронных и оптоэлектронных приборо...

Нижний Новгород, ННГУ, 2010. – 118 с. В пособии описаны процессы роста, особенности энергетического спектра, оптических и фотоэлектрических явлений в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si(001), а также приборные применения данных гетероструктур. Значительное внимание уделено исследованиям гетероструктур с самоформирующихся наноостровками GeSi/Si(001), выполненным в Нижегородском университете. Пособие рекомендуется студентам...

Липецк: ЛГПУ, 2012. - 72 с. Учебное пособие для студентов высших учебных заведений. Настоящее учебное пособие содержит 3 главы, посвященных описанию теоретических методов расчета электронных свойств низкоразмерных структур и моделированию квантово-энергетических параметров полупроводниковых наноструктур в рамках представлений квантовой механики. Пособие предназначено студентам высших учебных заведений при усвоении дисциплин: «Наноэлектроника», «...

М., Техносфера, 2005 г. 450 стр. В коллективной монографии представлен комплекс исследований, который позволяет уже сейчас применять их результаты для разработок, имеющих важное прикладное значение. Практическое применение принципов нанотехнологии демонстрируется на примерах создания оптических волокон с фотонно-кристаллической структурой, интегральных волноводов на основе субмикронных брэгговских решеток, нелинейно-оптических устройств преобразо...

М., Техносфера, 2005 г. 450 стр. В коллективной монографии представлен комплекс исследований, который позволяет уже сейчас применять их результаты для разработок, имеющих важное прикладное значение. Практическое применение принципов нанотехнологии демонстрируется на примерах создания оптических волокон с фотонно-кристаллической структурой, интегральных волноводов на основе субмикронных брэгговских решеток, нелинейно-оптических устройств преобраз...

M.: Техносфера, 2015. — 476 c. Представленная читателю книга составлена из научных работ сотрудников и выпускников Национального исследовательского университета «МИЭТ» и касается развивающихся направлений нанотехнологий в электронике. Материал условно разделен на крупные части: «Теория, Моделирование, Эксперимент», «Материалы, Технологии», «Методы исследований», «Приборы и устройства». Следует отметить, что каждая из статей сборника представляет...

Ярославль: Яросл. гос. ун-т., 2002. - 132 с. Учебное пособие является введением в физику и технологию микроэлектроники с субмикронными размерами. Наиболее подробно рассмотрены вопросы, связанные с физическими ограничениями, возникающими при увеличении степени интеграции. Рассмотрены также вопросы физики систем пониженной размерности и приборов наноэлектроники. Коротко затронуты вопросы, связанные с современной технологией производства микросхем...

Красноярск: ИПК СФУ, 2009. - 220 с. В данном издании представлены материалы, отражающие современное состояние микро- и наноэлектроники, а также перспективы развития этих отраслей. Предназначен для студентов направления подготовки магистров 210100.68 "Электроника и микроэлектроника" укрупненной группы 210000 "Электроника, радиотехника и связь", а также может быть использован всеми интересующимися электроникой и наноэлектроникой

Лабораторный практикум. — Тамбов: ТГТУ, 2013. — 60 с. Микроанализ структур интегральных устройств Синтез наноразмерных углеродных трубок для наноэлектроники Молекулярно-лучевая эпитаксия: методики, оборудование, технология Электронная микроскопия гетероструктур Микролитография Анализ топологии БИС методом оптической микроскопии Диффузия в технологии микросхем

Учебное пособие. — 2-е изд. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. — 408 с. — ISBN 978-5-9963-1443-0 В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпрово...

Учебное пособие: 2-е издание. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. — 408 с. В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборо...

Учебное пособие. - М.: МИЭТ, 2010. - 113 с. Пособие написано на основе курса «Наногетероструктурные монолитные интегральные схемы СВЧ диапазона и дискретные полупроводниковые приборы», читаемого магистрам МИЭТ кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника». В нем излагаются более углубленные сведения о СВЧ наногетероструктурных монолитных микросхемах. Подробно рассматриваются вопросы построения СВЧ схем, начиная от технологии получения гетерострукт...

Учебно-методическое пособие. — Москва, МФТИ, 2010. — 39 с. Теоретически рассмотрено два физических явления, связанных с протеканием электрического тока через проводники малых размеров. Первый рассматриваемый эффект — кулоновская блокада туннелирования электронов через островок малых размеров (одно- электронный транзистор), второй эффект — особенности протекания тока через сужение малого поперечного сечения (квантовый точечный контакт), в частнос...

М., Физматкнига, 2007 г. , 465 стр. Монография содержит подробный материал по пяти дисциплинам направления подготовки «Нанотехнология в электронике»: физико-химия наноструктурных материалов, материалы и методы нанотехнологии, методы диагностики и анализа микро- и наносистем, элементы и приборы наноэлектроники, квантовая и оптическая электроника.

М., Физматкнига, 2007 г. , 465 стр. Монография содержит подробный материал по пяти дисциплинам направления подготовки «Нанотехнология в электронике»: физико-химия наноструктурных материалов, материалы и методы нанотехнологии, методы диагностики и анализа микро- и наносистем, элементы и приборы наноэлектроники, квантовая и оптическая электроника.

Учебное пособие. — 2-е изд. - Москва, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. — 342 с. — (Нанотехнологии). — ISBN 978-5-9963-1055-5 Рассмотрены основные направления развития современной электроники, использующей физические эффекты, имеющие место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро- к наноэлектронным приборам, приведены описания нанотехнологических процессов, элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов, с которыми тесно...

Учебное пособие под редакцией Сигова А.С. — 2-е издание. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. — 342 с. Рассмотрены основные направлении развития современной электроники, использующей физические эффекты, имеющие место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро- к наноэлектронным приборам, приведены описания нанотехнологических процессов, элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов, с которыми тесно связано развитие при...

Лабораторный практикум. - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 120 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники», включающего учебную программу дисциплины, курс лекций, пособие по курсовой работе, методические указания по самостоятельной работе, контрольноизмерительные материалы «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники....

Методические указания по самостоятельной работе. - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 37 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники», включающего учебную программу дисциплины, курс лекций, лабораторный практикум, пособие по курсовой работе, контрольно-измерительные материалы «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники....

Пособие по курсовой работе. - Красноярск, ИПК СФУ, 2009. - 122 с. Настоящее издание является частью электронного учебно-методического комплекса по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники», включающего учебную программу дисциплины, курс лекций, лабораторный практикум, методические указания по самостоятельной работе, контрольноизмерительные материалы «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники....

World Scientific, 2011, 374 pages The scope of this book will be focused on the interface issues and problems in organic materials as electronic device applications. The organic material electronics is a rapidly progressing field for potential applications in flexible field effect transistors, plastic solar cells, organic luminescent devices, etc. However, the performance of these organic devices is still not sufficient. To enhance the under...

Springer, 2006. 368 p. ISBN: 0387233490 This book is designed as an introduction for graduate students, engineers, and researchers who want to understand the current status and future trends of micro- and nano-electronic materials and devices. It also serves as an essential reference for nanotechnology "gurus" who need to keep abreast of the latest directions and challenges in microelectronic technology. The viewpoints presented within the book...

CRC Press, 2007. - 912 pages. There are fundamental and technological limits of conventional microfabrication and microelectronics. Scaling down conventional devices and attempts to develop novel topologies and architectures will soon be ineffective or unachievable at the device and system levels to ensure desired performance. Forward-looking experts continue to search for new paradigms to carry the field beyond the age of microelectronics, and...

Springer Science+Business Media, 2006, pages: 307 Covers in detail promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction after first explaining the sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions from the first principles. Also treated are the resulting effects so the reader understands the effectiveness of leakage power reduction solutions under these different conditions. Case studies supply rea...

Springer-Verlag Berlin, 2011, 178 pages. This series of books contains selected and edited lectures from summer schools organized by the Center for Functional nanostructures (CFN) at the University of Karlsruhe. The mission of the CFN is to carry out research in the following areas: nanophotonics, nanoelectronics, molecular nanostructures and nanostructured materials. The aim of the summer schools is mainly to exchange new ideas and illustrate e...

Elsevier. 2007. 293 p. Metal-molecule-semiconductor junctions: an ab initio analysis Bio-molecular devices for teraherz frequency sensing Charge delocalization in (n,0) model carbon nanotubes Analysis of programmable molecular electronic systems Modeling molecular switches: A flexible molecule anchored to a surface Semi-empirical simulations of carbon nanotube properties under electronic perturbations Nonequilibrium Geen's function modeling of th...

Springer-Verlag, Berlin, 2011,326 pages This book demonstrates how the new phenomena in superconductivity on the nanometer scale (FFLO state, triplet superconductivity, Crossed Andreev Reflection, synchronized generation etc.) serve as the basis for the invention and development of novel nanoelectronic devices and systems. It demonstrates how rather complex ideas and theoretical models, like odd-pairing, non-uniform superconducting state, pi-sh...