М., Техносфера, 2007 г. , 360 стр. Монография посвящена
рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для
создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны
представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их
проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических
ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические
возможности формирования наноразмерных кремниевых структур (ГФЭ,
МЛЭ, ХОГФ, ионный синтез). Рассмотрены технологические,
электрические и оптические свойства систем Ge/Si и GeSi/Si
(квантовые точки, квантовые проволоки и тонкие пленки). Отдельно
рассмотрены возможности моделирования квантовых свойств и
энергетического спектра кремниевых наносистем и приборов
(нанотранзисторы, одноэлектронные транзисторы и т. д. ).