Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2010. - 72 с.
В данном пособии рассмотрены перспективные методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники. В первом разделе пособия представлен обзор современных литографических методов, рассмотрены альтернативные методы нанолитографии, основанные на использовании сканирующего зондового микроскопа, описаны структуры устройств наноэлектронки. Во втором разделе представлены результаты анализа механизмов локального анодного окисления металла, представлена математическая модель расчета условий и режимов формирования наноструктур методом ЛАО на основе тонких пленок металлов.
Учебное пособие может использоваться студентами при изучении курсов "Зондовые технологии наноэлектроники", "Технологические процессы микро- и наноэлектроники", "Материалы и методы нанотехнологии", а также при проведении опережающей профессиональной подготовки и переподготовки специалистов, ориентированных на инвестиционные проекты ГК "РОСНАНОТЕХ" в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм.
В данном пособии рассмотрены перспективные методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники. В первом разделе пособия представлен обзор современных литографических методов, рассмотрены альтернативные методы нанолитографии, основанные на использовании сканирующего зондового микроскопа, описаны структуры устройств наноэлектронки. Во втором разделе представлены результаты анализа механизмов локального анодного окисления металла, представлена математическая модель расчета условий и режимов формирования наноструктур методом ЛАО на основе тонких пленок металлов.
Учебное пособие может использоваться студентами при изучении курсов "Зондовые технологии наноэлектроники", "Технологические процессы микро- и наноэлектроники", "Материалы и методы нанотехнологии", а также при проведении опережающей профессиональной подготовки и переподготовки специалистов, ориентированных на инвестиционные проекты ГК "РОСНАНОТЕХ" в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм.