М., Техносфера, 2006 г. , 200 стр. В монографии проведена
классификация процессов и оборудования химического осаждения из
газовой фазы (ХОГФ, CVD), используемых в технологии производства
интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития.
Приведены основные характеристики элементов микро- и наноструктур
ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические
характеристики самих процессов и используемых реагентов.
Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и
проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при
осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные
электрофизические характеристики осаждаемых пленок (Si, SiGe, SiO2,
Si3N4, HfO2, ZrO2, TaN и т. д. ) и металлов (W, Cu, Ta и т. д. ).