Учебное пособие. — М.: МИЭТ, 2011. — 204 с.
Рассмотрены с физико-химических позиций развитие систем
металлизации кремниевых интегральных схем, выбор материалов
функциональных слоев металлизации и процессы формирования элементов
металлизации. Приведены закономерности взаимодействия в различных
силицидообразующих системах металл - кремний и особенности
формирования силицидных контактных слоев; принципы выбора
материалов диффузионно-барьерных
слоев; различные физико-химические методы заполнения узких траншей и контактных колодцев проводящим материалом для создания межсоединений посредством технологии «Damascene».
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, соответствующей тематическому направлению деятельности ННС Наноэлектроника.
Для студентов, изучающих дисциплину Металлизация в системах с наноразмерными элементами, а также аспирантов, инженеров и научных работников, занимающихся вопросами технологии интегральных микросхем.
слоев; различные физико-химические методы заполнения узких траншей и контактных колодцев проводящим материалом для создания межсоединений посредством технологии «Damascene».
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, соответствующей тематическому направлению деятельности ННС Наноэлектроника.
Для студентов, изучающих дисциплину Металлизация в системах с наноразмерными элементами, а также аспирантов, инженеров и научных работников, занимающихся вопросами технологии интегральных микросхем.