Ковалев А.Н. Гетероструктурная наноэлектроника

Учебное пособие. — М.: Изд. Дом МИСиС, 2009. — 155 с. Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников
излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника». Введение
Новое направление полупроводниковой электроники – гетероструктурная наноэлектроника
Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Ge_хSi_1–x и A^IIIB^V
Биполярный транзистор. Общая характеристика
Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
Принцип действия биполярного гетеротранзистора
Биполярные гетеротранзисторы на Si/Ge_xSi_1–x
Углеродное ограничение профиля бора в базе SiGe-БГТ
Биполярные гетеротранзисторы на A^IIIB^V
Биполярные гетеротранзисторы на основе нитридов III группы
Сравнение достигнутых результатов с теоретическими оценками
Полевые гетеротранзисторы на А^IIIB^V
Псевдоморфные AlGaAs/InGaAs PHEMT на GaAs
InP НЕМТ и метаморфные GaAs МНЕМТ
HEMT с каналами из InAs и InSb
Полевые гетеротранзисторы на материалах А^IIIN
Квантоворазмерные структуры и их применение
Квантовые точки Ge/Si
Квантовые точки в системе InAs/GaAs
Механизмы формирования гетероэпитаксиальных
структур с квантовыми точками
Самоорганизация при эпитаксии
Теоретические представления о достижении
равновесного состояния в системе гетеронаноостровков
Приборы на основе использования массивов квантовых точек
Фотоприемники на основе квантово-размерных структур
Лазерные структуры на квантовых точках
Полупроводниковые нанотрубки
Заключение
Библиографический список