Учебное пособие. — М.: Изд. Дом МИСиС, 2009. — 155 с.
Пособие посвящено анализу нового направления электроники –
гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного
направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку
полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны
примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе
гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами
активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия
получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в
системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при
эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен
созданием фотоприемников и источников
излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника». Введение
Новое направление полупроводниковой электроники – гетероструктурная наноэлектроника
Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/GeхSi1–x и AIIIBV
Биполярный транзистор. Общая характеристика
Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
Принцип действия биполярного гетеротранзистора
Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1–x
Углеродное ограничение профиля бора в базе SiGe-БГТ
Биполярные гетеротранзисторы на AIIIBV
Биполярные гетеротранзисторы на основе нитридов III группы
Сравнение достигнутых результатов с теоретическими оценками
Полевые гетеротранзисторы на АIIIBV
Псевдоморфные AlGaAs/InGaAs PHEMT на GaAs
InP НЕМТ и метаморфные GaAs МНЕМТ
HEMT с каналами из InAs и InSb
Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN
Квантоворазмерные структуры и их применение
Квантовые точки Ge/Si
Квантовые точки в системе InAs/GaAs
Механизмы формирования гетероэпитаксиальных
структур с квантовыми точками
Самоорганизация при эпитаксии
Теоретические представления о достижении
равновесного состояния в системе гетеронаноостровков
Приборы на основе использования массивов квантовых точек
Фотоприемники на основе квантово-размерных структур
Лазерные структуры на квантовых точках
Полупроводниковые нанотрубки
Заключение
Библиографический список
излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника». Введение
Новое направление полупроводниковой электроники – гетероструктурная наноэлектроника
Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/GeхSi1–x и AIIIBV
Биполярный транзистор. Общая характеристика
Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
Принцип действия биполярного гетеротранзистора
Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1–x
Углеродное ограничение профиля бора в базе SiGe-БГТ
Биполярные гетеротранзисторы на AIIIBV
Биполярные гетеротранзисторы на основе нитридов III группы
Сравнение достигнутых результатов с теоретическими оценками
Полевые гетеротранзисторы на АIIIBV
Псевдоморфные AlGaAs/InGaAs PHEMT на GaAs
InP НЕМТ и метаморфные GaAs МНЕМТ
HEMT с каналами из InAs и InSb
Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN
Квантоворазмерные структуры и их применение
Квантовые точки Ge/Si
Квантовые точки в системе InAs/GaAs
Механизмы формирования гетероэпитаксиальных
структур с квантовыми точками
Самоорганизация при эпитаксии
Теоретические представления о достижении
равновесного состояния в системе гетеронаноостровков
Приборы на основе использования массивов квантовых точек
Фотоприемники на основе квантово-размерных структур
Лазерные структуры на квантовых точках
Полупроводниковые нанотрубки
Заключение
Библиографический список