М.: ИНХ им. Николаева А.В. СО РАН, ИК им. Борескова Г.К. СО РАН,
2010. — 3 с.
Аннотация:
К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO2. Дальнейшая миниатюризация требует
замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «high-k»-диэлектрик.
К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO2. Дальнейшая миниатюризация требует
замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «high-k»-диэлектрик.