Киреев П.С. Физика полупроводников
Подождите немного. Документ загружается.
Энергия активации 26, 184, 198,
201
— ионизации примеси 119, 121
Энергии квантование 127, 131, 132
Эффективной массы метод 107, 112
Эффективности параметр 305
Эффекты адиабатические 254
'— изотермические 254
— нечетные 255
— поперечные 224
— продольные 224
Юнга модуль 328
Явления кинетические 214, 219
Явления переноса — см. явления кине-
тические
Ячейка фазовая 164
Оглавление
Стр.
Предисловие ко второму изданию 3
Предисловие к первому изданию . , 4
Глава I. Электронная теория проводимости . 7
§ 1. Электронная теория проводимости. Закон Ома » . . 7
§ 2. Функция распределения времен и длин свободного пробега . . 12
§ 3. Функция распределения электронов по состояниям. Средние зна-
чения физических величин 16
§ 4. Полупроводники. Классификация веществ по величине прово-
димости 25
§ 5. Модельные представления о проводимости полупроводников.
Понятие дырки . . . 30
§ 6. Собственная и примесная проводимость 33
Глава II. Основы зонной теории полупроводников ' 37
§ 7.-Уравнение Шредингера для кристалла 37
§ 8. Адиабатическое приближение 39
§ 9. Одноэлектронное приближение 44
§ 10. Периодическое поле решетки кристалла. Оператор трансляции 48
§ 11. Квазиимпульс 53
§ 12. Эффективная масса электрона 58
§ 13. Связь скорости с квазиимпульсом * 62
§ 14. Оператор ускорения 66
§ 15. Зоны Бриллюэна 72
§ 16. Нормировка в ящике и дискретность квазиимпульса 76
§ 17. Теория квазисвободного электрона 81
§ 18. Теория квазисвязанного электрона 95
§ 19. Метод эффективной массы. Влияние внешних полей на спектр
энергии кристалла 107
§ 20. Локализованные состояния . 113
§ 21. Элементарная теория примесных состояний 118
§ 22. Поверхностные состояния 124
§23. Квантование энергии электрона в магнитном поле. Уровни Ландау 127
§ 24. Принцип Паули. Понятие металла
}
полупроводника и диэлект-
рика 132
§ 25. Основные характеристики дырки 138
§ 26. Зонная структура некоторых полупроводников 143
§ 27. Понятие о квазичастицах 158
Глава III. Статистика электронов и дырок в полупроводниках 164
§ 28. Плотность состояний . . . 164'
§ 29. Концентрация электронов и дырок . 172
§ 30. Уравнение электронейтральности 180
§ 31. Собственный полупроводник 183
582.
§ 32. Примесный полупроводник. Примесь одного вида 187
-§ 33. Полупроводник, содержащий акцепторную и донорную примесь 197
§ 34. Вырожденный полупроводник 202
§ 35. Плотность состояний в магнитном поле 206
Глава IV. Кинетические явления в полупроводниках 214
§ 36. Кинетическое уравнение Больцмана 214
§ 37. Время релаксации 220
§ 38. Плотность электрического тока и плотность потока энергии . , 228
§ 39. Кинетические коэффициенты 232
§ 40. Электропроводность полупроводников 239
§ 41. Гальваномагнитные эффекты 247
§ 42. Эффект Холла в области примесной проводимости 256
§ 43. Эффект Холла в веществе с носителями заряда нескольких типов 263
§ 44. Зависимость коэффициента Холла от магнитного поля 269
§ 45. Магнитнорезистивный эффект 276
§ 46. Теплопроводность цолупроводникоь 284
§ 47. Термоэлектрические явления . 291
§ 48. Термомагнитные явления 305
§ 49. Общий анализ кинетических явлений 309
§ 50. О кинетических явлениях в полупроводниках с тензорной
эффективной массой 319
§ 5L Тензорезистивный эффект. Тензочувствительность 322
§ 52. Тензорезистивный эффект. Коэффициенты пьезосопротивления . 329
Глава V. Теория рассеяния носителей заряда 337
§ 53. Эффективное сечение рассеяния 337
§ 54. Связь времени релаксации с эффективным сечением 346
§ 55. Понятие о теории квантовых переходов 350
§ 56. Рассеяние на ионах примеси 357
§ 57. Рассеяние на нейтральных атомах примеси 364
§ 58. Колебания решетки. Нормальные координаты. Фононы ..... 368
§ 59. Акустические и оптические колебания решетки 376
§ 60. Теплоемкость решетки. Статистика фононов • 387
§ 61. Рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Метод потенциала
деформации 396
§ 62. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры . . 404
§ 63. Зависимость времени релаксации от внешних полей. Нарушения
закона Ома 414
Глава VI. Рекомбинация носителей заряда 421
§ 64. Уравнение непрерывности. Время жизни 421
§ 65. Механизмы рекомбинации. Линейная рекомбинация 431
§ 66. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда 442
§ 67. Поверхностная рекомбинация 449
Глава VII. Контактные явления в полупроводниках 454
§ 68. Дебаева длина экранирования 454
§ 69. Работа ьыхода 465
§ 70. Контактная разность потенциалов. Контакт металл —
металл
. 469
§ 71. Контакт металл —полупроводник 474
§ 72. Неоднородный полупроводник, р-п·переход 479
583.
Глава VIII. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках 486
§ 73. Спектр поглощения света 486
§ 74. Поглощение света свободными носителями заряда [ 49O
§ 75. Циклотронный резонанс [ 499
§ 76. Собственное поглощение света * | 507
§ 77. Поглощение света решеткой ) 523
§ 78. Поглощение света электронами в локализованных состояниях ' 528
§ 79. Влияние внешних условий на спектр поглощения [ 534
§ 80. Фоторезистивный эффект [ j 537
§ 81. Эффект Дембера. Фотогальванический эффект [ ' 546
Пр § 82. Фотомагнитноэлектрический эффект . . . [ [ 554
§ 83. Эффект Фарадея [ 559
Пр § 84. Спин-орбитальное расщепление энергетических зон 568
Основные условные обозначения 575
Гл Предметный указатель i 577
Петр Семенович Киреев
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Редактор Г. А. Сорокина. Художественный редактор Τ. Μ. Скворцова. Пере-
плет художника Ю. Д. Федичкина. Технический редактор JI. А. Муравьева.
Корректор Λί. Αί. Малиновская
Т-03108, Сдано в набор 10/ΙΧ 1974 г. Подп. к печати 9/1 1975 г. Формат 60Χ907ι
β
.
Бум . тип. № 3. Объем 36,5 печ. л. Усл. п. л. 36,5.32,55 уч.-изд. л. Изд. № ЭР-173,
Тираж 30 000 экз. Цена 1 р. 37 к. Зак. 1592. План выпуска литературы изда-
тельства «Высшая школа» (вузы и техникумы) на 1975 г. Позиция № 172»
Москва, К-51, Неглинная ул., д, 29/14, Издательство «Высшая школа»
Ордена Трудового Красного Знамени Ленинградское производственно-техниче-
ское объединение «Печатный Двор» имени А. М. Горького Союзполиграфпрома
при Государственном комитете Совета Министров СССР по делам издательств,
полиграфии и книжной торговли, 197136, Ленинград, П-136, Гатчинская ул., 26,
П. С. К и ρ е е в
ФИЗИКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
ИЗДАНИЕ ВТОРОЕ,
ДОПОЛНЕННОЕ
ДОПУЩЕНО МИНИСТЕРСТВОМ
ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО
ОБРАЗОВАНИЯ СССР
В КАЧЕСТВЕ УЧЕБНОГО ПОСОБИЯ
ДЛЯ СТУДЕНТОВ ВТУЗОВ
МОСКВА «ВЫСШАЯ ШКОЛА» 1975
lie