Киреев П.С. Физика полупроводников

Подождите немного. Документ загружается.

При малых скоростях β

1 имеем

eE'=f[vB], (84.13)

т. е. неоднократно использовавшееся нами выражение для силы

Лоренца.

Теперь рассмотрим случай, когда в «неподвижной» системе коор-

динат существует только электрическое поле: Е=^0, В = 0.

Проводя вычисления, получим:

^1 =

^41,

или

Е'

= Е

fli-TT-Snrr, или E^jr^—, (84.14)

или

-ΟΊΖβδρΤϊ·

п/ ^43 С' ^ Ζ

"~(l_P»)Vi'

ИЛИ

2==

(ΐ_β2)1/2· ·

Для пространственно-подобных компонентов найдем:

= —

^о2\1/2 ^42» ИЛИ Д£ = Т:

^"-(Π^ϊ^

или

= (84Л5)

£23 = 0, или =

В трехмерных обозначениях можем записать

Таким образом, в «движущейся» системе координат существует маг-

нитное поле, хотя в «неподвижной» системе координат оно отсутствует.

Если частица имеет магнитный момент μ, то при движении она

будет взаимодействовать с электрическим полем, которое будет

выступать как взаимодействие с магнитным полем В. Энергия вза-

имодействия

^ = -(μΒ') = -

ΤΓ

(μΕΕν]). (84.17)

Выразим магнитный момент μ частицы через механический момент

или спин:

84Л8

где g

—

гиромагнитное отношение, представляющее фактор Ланде

в общем случае. Выражая скорость через импульс, запишем:

117

= -

(«[Ер])

= ~ rw <

84Л9

При последнем преобразовании мы >чли, что га

(1— β

) = mo-

Для гиромагнитного отношения, связывающего собственный маг-

нитный и механический моменты, необходимо взять значение, рав-

ное 2. Однако, положив g = 2, придем к выражению для W, кото-

671.

рое в два раза превосходит третий член в (84.1). Чтобы исключить

различие с точным выражением, следует считать g=l (поправка

Томаса

—

Френкеля). Поправка Томаса

—

Френкеля свидетельствует

о том, что по отношению к трансляционному движению собственный

магнитный момент подобен орбитальному, для которого g = 1, в то

время как для собственных моментов должно быть g = 2. Учитывая

Поправку Томаса —Френкеля, запишем энергию взаимодействия спи-

нового магнитного момента с электрическим полем Ε в виде:

^ = -^HEp])=4^HVt/p]). (84.20)

Применим выражение (84.20) к движению электронов в атомах.

Напряженность электрического поля ядра можно выразить в виде

(Z-yM

. (84.21)

где σ

—

константа экранирования; (Ζ

—

)

| —

эффективный заряд

ядра, экранируемого внутренними электронными оболочками.

Подставляя (84.21) в (84.20), получим

-,(.[2=3^,. р])_

4т;,

(84.22)

где L

—

орбитальный механический момент, выраженный в й, т. е.

[rp] = M = ftL. (84.23)

- Переходя к квантовомеханическому описанию, следует заменить

W на оператор W по обычным правилам и найти среднее значение

в состоянии с волновой функцией ψ.

Если использовать водородоподобные волновые функции

Ц =

(Г)

= Rni (г) Υш (0, Ф), (84.24)

то можно получить

w w

_ **Ry (Ζ -

σ„)4 / (/

+1) -

/ (/

+1)

•- S (s

+1) -

w = Wmj Jjs

(/+1/2) (/+1) · <

)

где α =

= 7,29717· 10

я^ 1/137 —постоянная тонкой структуры;

Ry— 13,6 эВ —ридберг, равный энергии ионизации атома водорода;

—

главное,

/ —

орбитальное,

/ —

полное или внутреннее, квантовые

числа.

В электронвольтах W

ij запишется в виде:

Ц^у. ЭВ = 0,362.(84.26)

Спин-орбитальное расщепление должно наблюдаться для всех

состояний, кроме s, поскольку в s-состоянии орбитальный момент

равен нулю и согласно (84.27)

= 0.

Для водородоподобных или, в общем случае, для одноэлектрон-

ных атомов

= /±1/2, поэтому все уровни, кроме s, становятся

572.

дублетными. Для более сложных атомов следует заменить одноэлек-

тронные квантовые числа /, /, s на квантовые числа всей электрон-

ной оболочки J, L, S.

Невозбужденное состояние электронной оболочки атомов IV и

VI групп подгруппы В имеет S=

и L— 1, поэтому полное кван-

товое число может принимать три различных значения: J =

О,

1, 2

в соответствии с тремя различными ориентадиями моментов L, S.

Ориентационный множитель имеет три различных значения: —4/3;

— 2/3 и 2/3 соответственно для 7 = 0, 1 и 2. Расстояния между

уровнями тонкой структуры относятся как 1:2. На рис. 143 пока-

зана схема спин-орбитального расщепления исходного уровня на

три подуровня при нормальном (а) и обращенном (б) расположении

их. Ориентационный множитель определяет число компонентов тон-

кой структуры, а величина расщепления зависит от номера оболочки

и константы экранирования. j j

В пределах одного ряда пе- 2 о

риодической таблицы Менделеева η /

и о η постоянны, a Ζ возрастает,'

поэтому величина спин-орбиталь- 0 i

—Ζ

ного расщепления растет. Напри- α) δ)

мер, расщепление уровней энергии

Рис< 143< Схема

расположения уров-

пар атомов С

—

О, Si

—

S, Ge

—

Se, ней тонкой структуры в атомах

—

Те близко, но у элементов

VI В группы оно больше, чем у элементов IV группы. Для эле-

ментов одной группы η растет с ростом номера периода (для валент-

ных электронов), одновременно с этим растут Ζ и а

. Однако σ

растет медленнее, чем Ζ, поэтому в пределах одной группы эффек-

тивный заряд растет с ростом Ζ быстрее, чем η. Это приводит к тому,

что для атомов одной группы величина спин-орбитального расщеп-

ления возрастает с ростом порядкового номера элемента. В табл. 26

приведены примеры величин спин-орбитального расщепления основ-

ного состояния атомов некоторых элементов. У большинства атомов

из табл. 26 основным является состояние

, однако у селеца

имеет место инверсное расположение подуровней энергии, а у тел-

лура основным является уровень

» а верхние уровни имеют «нор-

мальное» расположение. Правило интервалов выполняется прибли-

женно для германия и кремния, а для теллура имеет место прак-

тически «дублетное» расщепление, поскольку расстояние

—

составляет 0,586 эВ, а

—

всего 0,006 эВ.

Как видно из таблицы, расщепление уровней атомов элементов

одной и. той же группы действительно возрастает с ростом Z, и

у таких сравнительно тяжелых элементах, как теллур, оно может

составлять 0,6 эВ.

При образовании кристаллов спин-орбитальное расщепление зон

энергии обусловливается взаимодействием магнитного момента элек-

трона с электрическим полем решетки Е=

—

у Vf/. Величина рас-

щепления зоны энергии определяется в основном спин-орбитальным

573.

расщеплением тех уровней энергии, из которых возникает зона.

Поскольку к полю ядра данного атома добавляется поле взаимодей-

ствия ядер и электронов, то величина расщепления зон отличается

от величины расщепления уровней энергии атомов. Опыт и расчет

показывают, что, как правило, величина спин-орбитального расщеп-

ления зон энергии несколько больше расщепления соответствующих

уровней энергии. Однако основные закономерности в изменении

величины расщепления зон энергии с ростом заряда ядер атомов,

кристалла сохраняются. В настоящее время известны величины

спин-орбитального расщепления зон энергии многих полупроводни-

ков. Величина расщепления зон в точке Г, т. е. при

= 0, обычно

обозначается через Δ

, в точке L, т. е. в точке, лежащей на границе

зоны Бриллюэна в направлении типа [III], через А

при этом во

многих случаях А

= у Δ

Спин-орбитальное расщепление зон энергии, образованных из

р-уровней, может быть только дублетным, «чистые» s-зоны не имеют

спин-орбитального расщепления. В полупроводниках IV группы

и в соединениях элементов типа Α

ΠΙ

и A

спин-орбитальное

расщепление наблюдается для валентной зоны. При фиксированном

элементе В величина расщепления остается практически постоянной.

Это находится в хорошем соответствии со сказанным в § 26

о характере образования зон энергии соединений Α

ιν

Таблица 26

Спин-орбитальное расщепление основного состояния атомов элементов четвертой

и шестой групп. За начало отсчета принята энергия наиболее глубокого уровня

Элементы

Энергия уровня

см-1, эВ

см~1, эВ

см-*, эВ

*Ρ*-*Ρι

эВ

Углерод, С . .

Кремний, Si .

Германий, Ge

Кислород, О .

Сера, S . . . .

Селен, Se . . .

Теллур, Те .

0,00

2534

4707

0,00

0,317

0,580

16,4 0,0020

77,15 0,009

557,1 0,069

68,9 0,0084

176,8 0,0216

1990 0,244

4751 0,586

43,5 0,0054

223,2 0,0276

1409,9 0,174

157,5 0,019

396,8 0,049

0,00 0,00

27,1

146,2

852,8

88,6

220,0

—545

— 44

0,0033

0,018

0,101

0,011

0,027

—0,073

—0,006

Таблица 27

Величина спин-орбитального расщепления валентной зоны в точке Г (Г

)

некоторых полупроводников, эВ

Полупроводник

Ge ZnS

ZnSe

ZnTe CdTe

InSb

Эксперимент . . .

0,03

0,09

0,07

0,43

0,93 0,92

0,82

Расчет

0,03

0,29

0,08

0,42

0,93 0,90

0,82

Основные условные обозначения

χ, у, г, г, г —координаты, радиус-вектор и оператор координаты.

Av> Ру» Ρζ* Р> Ρ —компоненты импульса, импульс и его оператор,

ρ —концентрация дырок, показатель степени зависимости времени

релаксации от энергии.

Р, Ρ ,Р

, Л/, Р

—квазиимпульс, его оператор и компоненты.

Ρ —обобщенный импульс и квазиимпульс.

Рф

0Н

—квазиимпульс фононов.

ν, ν, υ

> υν

—скорость, оператор и компоненты скорости.

Ε —полная энергия.

Ε, Е, Е

ХУ

Еу, Ε

—

напряженность- электрического поля.

Η —напряженность магнитного поля.

Η —функция Гамильтона, коэффициент и магнетосопротивления.

Η —оператор Гамильтона.

—дрейфовая скорость.

θ —диффузионная скорость.

τ —время релаксации, время свободного движения, коэффициент

Томсона.

τ/, τ —время жизни.

/ —длина свободного пробега.

Mtf»

\*>п>

р —подвижность дрейфовая, электронов и дырок,

μπ —подвижность Холла,

μ —магнитная проницаемость.

—концентрация электронов, концентрация носителей заряда,

η —коэффициент преломления,

η —вектор трансляции.

ί» j χ* iy> ίζ —плотность тока и ее компоненты.

σ, σ

, Op —удельная электрическая проводимость, электронная и дырочная

проводимости.

σ*, σ —эффективное сечение рассеяния и поглощения.

т —масса свободного электрона.

ш*"

, т* —тензор обратной эффективной массы, тензор

эффективной

массы.

т* —скалярная эффективная масса.

772/, ГП( —продольная и поперечная эффективные массы.

т*а —эффективная масса плотности состояний.

F, F* —уровень (энергия) и квазиуровень Ферми.

F - —сила.

Τ —температура абсолютная.

Τ, Τ —кинетическая энергия, оператор кинетической энергии.

Т(п), Τ (π) —оператор трансляции и его собственные значения.

£/, V, U, V —потенциальная энергия и оператор потенциальной энергии

u, Uij —тензор деформации и его элемент.

и —вектор смещения.

Ψ, W —возмущение, оператор возмущения.

W —истинная работа выхода.

—приведенные смещения.

W —плотность потока энергии.

Φ —термодинамическая работа выхода.

Фу (ξ) —интеграл Ферми порядка /.

' —контактная разность потенциалов, внешняя и внутренняя,

фн —угол Холла.

575.

k —константа Больцмана.

к —волновой вектор электрона.

кф

он

—волновой вектор фонона.

—кинетический коэффициент.

L —число Лоренца, диффузионная длина.

а —абсолютная дифференциальная термо-э. д. е., коэффициент

поглощения.

R —коэффициент Холла, скорость рекомбинации.

G, G —скорость генерации, объем основной области.

LD —дебаева длина экранирования,

g —волновой вектор фотона.

D —индукция электрического поля.

Dnjtmi —элементы динамической матрицы.

s —скорость поверхностной рекомбинации.

5*, S —интегральное эффективное сечение.

Wy —матричный элемент оператора возмущения.

w ' —вероятность перехода.

е —заряд частицы.

, е~ —заряд электрона.

, е

—заряд дырки.

b —отношение модулей подвижностей электрона и дырки,

b —вектор обратной решетки.

А (г) —вектор-потенциал.

с —скорость звука, скорость света,

θ —температура Дебая.

Ζ —статистическая сумма, заряд ядра, заряд иона/в

h,1i = ~ —постоянная Планка.

2л

V —оператор Гамильтона (оператор набла).

Предметный указатель

Аккумуляция 446, 476, 477

Акцептор 35, 36, 121, 122, 124

Алмаза решетка 31

Антисимметричный единичный тензор

третьего ранга 320

Батареи солнечные 552

Беккереля соотношение 562

Блоха волна 52, 53, 354

Бозе—Эйнштейна статистика 388

Больцмана кинетическое уравнение

218, 220, 227

— функция распределения 20, 21, 165,

175, 177, 234

Бора магнетон 210

Бриллюэна зоны 72, 74, 86, 87, 95, 105,

133, 139, 153, 154, 164, 179, 180,214,

391, 431, 509

Бугера — Ламберта закон 487, 488, 546

Ванье функции 116

Вариационный принцип 146

В ар изо иные структуры 552, 553

Вектор

волновой

51, 52, 53, 57, 73, 80,

92, 101, 125, 133, 379, 509

Вектор обратной решетки 73, 80, 87,

91, 94

Вектор-потенциал 127, 128, 507, 523

Верде коэффициент 561

Вероятность захвата 434

— перехода 217, 354, 356, 403, 509, 525,

530

— рассеяния 337, 33.8

Видемана-Франца закон 286

Возмущение 81, 94, 113, 123, 351, 507,

508, 513, 523

Возмущения оператор — см. возмуще-

ние

Время жизни 424, 448

— мгновенное 452, 456, -426, 430

—^релаксации 10, 11, 221, 226, 346

—"релаксационное 427, 430

— свободного движения 9, 10, 11, 13,

15, 139

— стационарное 427, 430

— эффективное 453

Всестороннего сжатия тензор 323

Вульфа-брэгга уравнение 87, 94

Вымораживание 205

Вырождения фактор 106, 169, 182

Выход квантовый 539

Гамильтона функция 110, 127, 373

Гамильтониан 37, 43, 48, 67, 81, 107,

ИЗ, 128, 350

Гамма-функция 175

Ганна эффект 419

Гаусса эффект 252

Гейзенберга соотношения 164

Генерация 32, 213, 290, 422, 423, 537,

546

Германий 118, 120, 135, 153, 185, 334,

440, 518

Гиббса потенциал 18

Главные координаты 372

Граничные условия циклические 78

Гука закон 324

Дебаева длина экранирования 454, 465

Дебая температура 389, 392, 395, 396

Де-Бройля волна 82, 87, 128, 354

Дельта-функция 19, 77, 177, 212

Дембера эффект 547, 554

Деформации тензор 322 , 403

Диагональная матрица 372

Диамагнитный резонанс 506

Диэлектрик 26, 28, J34, 138

Дипольный момент /365

Диффузии коэффициент 303, 443, 448

Диффузия биполярная 549, 553

Длина диффузионная 445, 449

— дрейфа 476, 446, 449

— затягивания 476, 445, 449

— свободного пробега 9, 10, 13, 249,

253, 488

Донор 34, 36,121, 124

Допплера эффект 398

Дырка 33, 35, 138, 143

Дырка квантовомеханическая 69

Дюлонга-Пти закон 22, 393

•

Запирающий слой 475

Зинера эффект 112, 417

Значения собственные 37, 50, 52, 54,

63, 77, 114

Зона валентная 160, 134,138, 151

577.

Зона запрещенная 98, 100, 107, 110,

114, 137, 138, 156

— примесная 118, 124, 206

— проводимости 157, 134, 138, 150

— свободная 134, 138

— экситонная 162

— энергетическая 90, 93, 94, 101, 106

Зоны Бриллюэна — см. Бриллюэна

зоны

Зоны вырожденные 151, 186

Зон энергии искривление 111, 112, 454

Инверсия населенности 431

Инжекции уровень 439, 441

Инжекция 446, 477

Импульс обобщенный 127, 132

Интеграл перекрытия 97

Интеграл соударений 217

Ионизация ударная 417, 542

— электростатическая 418

.Истощение 191

Квазиимпульс 53, 54, 55, 57

Квазиимпульса оператор 54, 55, 57

Квазисвободного электрона теория 81

Квазисвязанного электрона теория 81,

Квазичастицы 33, 158, 162

Квантовые системы — см. системы вы-

рожденные

Кейна метод 147

— параметр 149

Келдыша — Франца эффект 536

Кикоина — Носкова эффект 554

Колебания акустические 383, 386

— оптические 405, 383, 385, 387

—; поперечные 380

— продольные 380

Концентрация избыточная 422, 423, 430

— критическая 203, 205

— неравновесная 422, 430

— носителей заряда 172

Контакт антизапирающий 475

— выпрямляющий 475

— запирающий 475

— омический 475

Координаты оператор 63, 67

Коэффициент биполярной диффузии

581, 549, 553

— кинетический 232

Конуэлл—Вайскопфа формула 362

Кристалл-фотоэффект — см. Дембера

эффект

Лармора частота 560

Лиувилля теорема 215

Ловушки захвата 433, 441

578.

Ловушки рекомбинационные 433, 441

Лоренца сила 222, 247

— условие 507

— число 286

Магнетопоглощение 537

Максвелла время релаксации 447

— уравнения 490

Масса приведенная 160

— эффективная 58

Матрица диагональная 372, 375

— динамическая 369, 375

— унитарная 371, 375

Металл 26, 27, 133, 138

Метод последовательных приближений

Методы расчета энергетической струк-

туры 143

Модуль упругости 324

Набор динамических величин полный

132

Напряжения тензор 324

Непрерывности уравнение 422, 430

Нернста—Эттингсгаузена эффект 247,

254, 255, 305, 307

Нернста эффект 247, 254, 255, 305

Нормальные координаты 370, 372, 373,

375 -

Нормировки условие 13, 16, 76, 96,

•344, 387

Носители заряда 7, 30, 33.

неосновные 34, 35, 191

неравновесные 430

основные 34, 35, 191

темновые 423

Область истощения примеси 191

Обменная энергия 100, 107

Обменный эффект 117, 124, 159

Обратной решетки вектор 74

Объемные поля 313

Оже процессы 432

Ома закон 10, 239, 414

Оператор Гамильтона — см. Гамиль-

тона оператор

— Лапласа 37

— квазиимпульса — см. квазиимпуль-

са оператор

— кинетической энергии 37

— координаты — см. координаты опе-

ратор

— потенциальной энергии 37

— скорости 62

— ускорения 66

Ортогонализованных плоских волн ме-

тод 144

Паули принцип 132

Пельтье коэффициент 246, 292

— поток 246, 292

Переходы вертикальные 509, 522

— запрещенные 515

— квантовые 350

— непрямые 548, 516, 522

— прямые 509, 519, 522

— разрешенные 514

Плоских волн метод 144

Плотность потока энергии 228, 284

— состояний 164, 206 ^

— электрического тока 10, 11, 17, 228,

239

Поверхность изоэнергетическая 59, 71,

92, 95

Поглощение внутризонное 489

— плазменное 489

— примесное 489, 528

— решеточное 549, 454, 489, 523

— свободными носителями заряда 489,

. 490

— собственное 489, 507

— фундаментальное — см. поглощение

собственное

— экситонное — 489, 520

Показатель поглощения 492

— преломления 492

Подвижность 9, 11, 14, 139, 142, 239,

245, 404, 416, 443

— биполярная диффузионная 549

дрейфовая 549

Поле самосогласованное 44, 46, 48

Полупроводники 26, 27, 134, 138

— атомарные 28

— вырожденные 25, 175, 179, 202,

236

— дырочные 33

— ионные 28

— невырожденные 25, 175, 177, 179,

234

— скомпенсированные 35, 197

— собственные 33, 183

— электронные 28

Порядок ближний 158, 163

— дальний 158, 163

Потенциал деформации 330, 396, 403

— ионизации 136, 160

— самосогласованный 44

— химический 18

— экранирующий 123, 357

Потока вероятности плотность 355

Предел квантовый 211

Приближение адиабатическое 39

— Борна—Оппенгеймера 39

— квазисвободного электрона 42, 81

— квазисвязанного электрона 42, 95

— нулевое 81, 94, 95, 98

— одноэлектронное 44

— первое 82, 94, 98

Присоединенных плоских волн метод

145

Проводимость примесная 34

— световая 545

— собственная 33

— темновая 545

— удельная электрическая 10, 11, 239,

503

Псевдопотенциала метод 145

Пуассона интеграл 21, 175, 467

Пуля эффект 416

Работа выхода истинная 83, 466, 469

— термодинамическая 467, 469

Расстояние прицельное 358

Резерфорда формула 358

Резонанс диамагнитный 132

— циклотронный 132, 499

Рекомбинация 32 , 290, 425

— безызлучательная 432

— излучательная 432

— квадратичная 426, 431

— линейная 424, 427, 431

— плазменная 432

— поверхностная 449

— прямая 433

— тепловая 423

— фотонная 432

Решетка обратная 72

Риги—Ледюка—Маджи эффект 305

Риги—Ледюка эффект 305

Ричардсона формула 467

Связь вакантная 30, 32

Сдвига тензор 324

Сечение эффективное дифференциаль-

ное 344, 349, 357, 363

интегральное 344, 349

поглощения 488

транспортное 426, 343, 349

Сжатие всестороннее 329

— объемное 329

— одностороннее 331

Системы вырожденные 20

— невырожденные 20

Скобки Пуассона квантовые 62

Скорость 66

— биполярной генерации 550

— генерации 422

— групповая 64, 379, 381, 385

— диффузионная 445

— дрейфа 9, 416

— звука 381, 385

— рекомбинации 422

— фазовая 379, 381, 385

Слой антизапирающий 475

579.

Слой запирающий 475

— инверсный 465

Слзтера определитель 47

Смещения приведенные 369

— вектор 322, 368

Соединения полупроводниковые 28,

Соударение 9, 10, 216, 220

Сохранения законы 53

Спектр отражения 486

— поглощения 486

Спин-орбитальное расщепление 148,

152, 153, 568

Столкновение — см. соударение

Сумма статистическая 416, 387

Температура вырождения 23, 25,

205

— истощения 193

— отрицательная 431

— характеристическая 395

. Тензочувствительность 328

Теплопроводность 284

— фононная 285

— электронная 284

Термозонд 297

Термомагнитные явления 305

Термоэлектрический эффект 291

Термо-э. д. с. абсолютная 295

— относительная 296

Термоэлектронной эмиссии плотность

тока 467

Ток диффузионный 443, 448

— дрейфовый 443, 448

— поляризации 500

Томсона соотношения 301, 304, 305

— эффект 293

Удельное сопротивление продольное

327

Упругости коэффициент 369 ,

Уравнение вековое 85, 113

— движение квантовое 109

— секулярное — см. уравнение веко-

вое

Уровни акцепторные 124

— глубокие 122

— дискретные 124

— донорные 121

— Ландау 132

— мелкие 122

— поверхностные 127

— примесные 124

— Тамма 127

Усиления коэффициент 541

Условие трансляционное 51

Фарадея эффект 559

Ферми —Дирака функция 18, 25, 165,

172, 173, 222

Ферми интеграл 173, 174

— квазиуровень 431, 432, 441

— поверхность 180, 240

— уровень 18, 22, 179, 183, 184, 189,

190, 192, 195, 196, 198, 204, 211,

293, 437, 468, 470 , 473, 479

— энергия — см. Ферми уровень

Фононы 374, 375, 395, 396

Фотогальванический эффект 551, 554

Фотомагнитноэлектрический эффект

554

Фотоответ 545

Фотоотклик 545

Фоторезистивный эффект 537, 545

Фоточувствительность 545

Функция распределения 12, 16, 17, 25,

195

Функция собственная 37, 44, 49

Фурье интеграл 491

— компонент 491

— ряд 82

Характеристическое соотношение пер-

вое 539, 546

второе 541, 546

Хартри уравнение 47

Хартри — Фока уравнение 47

Холла коэффициент 251, 255, 258, 265,

269, 276

— подвижность 257, 258, 260, 263,

275

— проводимость 280, 563

— угол 250, 257, 258, 280

— фактор 260, 263

— эффект 249, 255, 256, 263

Холла — Шокли — Рида теория 434

Центры окраски 534

Циклоида 248

Частота осциллятора 129

— собственная 398, 129

— циклотронная 129, 132, 206, 503

Число

состояний

эффективное 173, 174,

179

Шредингера уравнение 37, 44

Штарк-эффект 418

Экситон 160

Эксклюзия 446, 477

Экстракция 446, 477