Строшио М., Дутта М. Фононы в наноструктурах

Подождите немного. Документ загружается.

Дополнительная

литература

311

la[rate

о. Г:

Stroscio

М.

А.

Application of

quantum-based

devices:

trends

and challenges //

IEEE

Trans.

E!ectron. Dev. 1996.

V.43,

Р.1621-1625.

Кlemens

Р.

о.

Anharmonic

decay of optica!

phonons

in diamond / /

Phys.

Rev.

1975. V. 11,

Р.3206-3207.

Kwon

J.,

Lee

У.

Н,

Miki

О.,

Уатаnо

Н,

Yoshida

А.

Raman

scattering

indium

nitride

thin

films

grown

Ьу

microwave-excited

meta!organic

vapor

phase

epitaxy

оп

(0001) sapphire

substrates

/ /

Арр!.

Phys.

Lett. 1996.

V.69,

Р.

937

-939.

Lyubomirsky 1.,

Ни

Energy

[еуе!

schemes

for far-infrared quan-

tum

well

!asers

/ /

Арр!.

Phys.

Lett. 1998.

V.73,

Р.300-302;

see

a!so Dutta

М.,

Stroscio

М.

А.

Comment

оп

'Energy

[еуе!

schemes

for far-infrared

quantum

well!asers'

Арр!.

Phys.

Lett. 1999.

V.74,

Р.2555.

McNeil L.E., Grimsditch

М.,

French R.

Vibrationa!

spectroscopy

a!uminum

nitride

/ / J. Amer.

Ceram.

Soc. 1993.

V.76,

Р.

1132-

1136.

Miwa

к.,

Fukumoto

А.

First-princip!es calcu!ation of

the

struc-

tura!, e!ectronic, and vibrationa!

properties

of gallium

nitride

and

a!uminum

nitride

/ /

Phys.

Rev.

1993.

V.48,

Р.

7897-7902.

Nusimovici

М.

А.,

Birman

L. Lattice

dynamics

wurtzite:

CdS / /

Phys.

Rev. 1967. V. 156,

Р.925-938.

М.

А.,

Littlejohn

М.

А.

Conservation

!aw

for

confined po!ar-optica! phonon influence functiona!s / /

Phys.

Rev.

1991.

V.44,

Р.3850-3857.

Ridley

В.

К.

E!ectrons

and

Phonons

Semiconductor

Multi!ay-

ers. - Cambridge:

Cambridge

University

Press,

1997.

Shapiro S.

М.,

Ахе

Raman

scattering

from po!ar phonons / /

Phys.

Rev.

1972.

V.6,

Р.2420-2427.

Siegle

Н,

Kaczmarczyk

о.,

Filippidis L., Litvinchuk

А.

Р.,

ноtt

тапп

А.,

Thomson

С.

Zone-boundary

phonons in hexagona! and

cubic

GaN

Phys.

Rev.

1997.

V.55,

Р.7000-7004.

Stroscio

М.

А.,

Ют

К.

Rudin

Boundary

conditions for

e!ectron-LO-phonon interaction in po!ar

semiconductor

quantum

wires

/ /

Super!attices

and

Microstructures

1991. V. 1

О,

Р.55-58.

Stroscio

М.

А.,

Ют

К.

la[rate

о.

з..

Dutta

М.,

ОгиЫn

Reduction and contro! of ine!astic !ongitudina!-optica! phonon

scat-

tering

in nanosca!e

and

mesoscopic device

structures

/ /

Proceedings

the

1991 Internationa! Device Research

Symposium,

Р.

-89,

ISBN

1-880920-00-Х

-Char!ottesville:

University

of Virginia Engi-

neering

Academic

Outreach

Publication, 1991.

312

Добавлено

при

переводе

Stroscio

М.

А.,

/a[rate

о.

J.,

Ют

К.

Уи

5.,

Mitin

V.,

Ваппоо

Scattering of carriers from confined acoustic modes in nanostruc-

tures

// Proceedings of the 1993 International Device Research

Symposium,

Р.873-875,

ISBN 1-880920-02-6 - Charlottesvil1e:

University of Virginia Engineering Academic Outreach Publication,

1993.

Sun

J.-P., Teng

Н.

В.,

Haddad

о. Е,

Stroscio

М.

А.,

/a[rate

о.

Intersubband relaxation in step quantum well

structures

// Interna-

tional Conference

оп

Computational Electronics, University of Notre

Dame, 28-30

Мау

1997, private communication.

Turley

Р.

J.,

Wallis

С.

к..

Teitworth 5. W Effects of localized

phonon modes

оп

magnetotunneling spectra in double-barrier struc-

tures

Phys. Rev.

1991.

У.44,

Р.

12959-12963.

Хи

В.,

Ни

о..

Mellock

М.

R. Electrically pumped tunable terahertz

етШег

based

оп

intersubband transition / /

Аррl.

Phys. Lett. 1997.

У.

71,

Р.440-442.

Уи

Р.

У.,

Cardona

М.

Fundamentals of Semiconductors. Berlin:

Springer-Verlag, 1996.

Добавлено

при

переводе

Нанотехнологии

полупроводниковой

электронике:

Сб.

статей

А.

Л.

Асеев

Новосибирск:

2004, 368

с.

Воробьев

Л.

Е.,

Ивченко

Е. л.,

Фирсов

Д.

А.,

Шалыгин

В.

А.

Оптические

свойства

наноструктур.

СПб:

Наука,

2001, 192

с.

Ильинский

ю.

А.,

Келдыш

Л.

В.

Взаимодействие

электромагнит

ного

излучения

веществом.

М.:

Изд-во

МГУ,

1989, 304

с.

Уханов

ю.

И.

Оптические

свойства

полупроводников.

М.:

Наука,

1977, 368

с.

Ельяшевич

М.

А.

Атомная

молекулярная

спектроскопия.

М.:

Физматлит,

1962, 892

с.

Нанофотоника

Материалы

совещания,

Н.

Новгород,

11-14

марта

2002. -

Н.

Новгород:

Изд-во

ИФМ

РАН,

2002.

Paraschuk

Уи.,

Kobryanskii

М.

Coherent electron-lattice vi-

brations in

trans-polyacetylene probed

Ьу

Raman scattering // Phys.

Rev. Lett. 2001.

У.87,

207402.

Adachi

Sh.,

Kobryanskii

М.,

Kobayashi

Т.

Excitation of

breather mode of bound soliton pairs in

trans-polyacetylene

Ьу

sub-five-femtosecond optical pulses / / Phys. Rev. Lett. 2002.

У.89,

,N'Q027401.

Добавлено

при

переводе

313

Zaluzny

М.,

Zietkowski

Nalewajko

С.

Resonant coupling

Ье

tween metal surface plasmons and intersubband plasmons and its

manifestation in

attenuated

total reflection

spectra

// Phys. Rev.

2002.

V.65,

235409.

Кашкаров

П.

К:

Лисаченко

М.

Г':

Шалыеина

о. А.,

Тимошен

ко

В.

Ю.,

Каменев

Б.

В.,

Schmidt

М.,

Неитапп

Г;

Zacharias

М.

Фотолюминесценция

ионов

Er3+

слоях

квазиупорядоченных

кремниевых

нанокристаллов

матрице

диоксида

кремния

/ /

ЖЭТФ

2003.

Т.

124,

Вып.

12,

с.

1255-1263.

Antonyuk

В.

Р.

Strong

effects of

weak

electron-phonon coupling. -

У.:

Nova Science Publishers, 2004.

Drachev V.

Р.,

Khaliulin

Е. н..

Ют

Alzoubi F., Rautian S. G.,

Sa[onov

Р.,

Armstrong R. L., Shalaev

М.

Quantum

size effect

in two-photon excited luminescence from silver nanoparticles //

Phys. Rev.

2004.

V.69,

035318.

Головань

Л.

А.,

Константинова

А.

Ф.,

Имангаэиева

К.

Б.,

Круткова

Е.

Ю.,

Тимошенко

В.

Ю.,

Кашкаров

П.

К.

Дисперсия

оптической

анизотропии

пленках

наноструктурированного

кремния

Кристаллография

2004.

Т.49,

С.I51-156.

Осминкина

Л.

А.,

Курепина

Е.

В.,

Павликов

А.

В.,

Тимошен

ко

В.

Ю.,

Кашкаров

П. К.

Взаимодействия

инфракрасного

излу

чения

со

свободными

носителями

заряда

мезопористом

крем

нии

/ /

Физ.

техн.

полупроводн.

2004.

Т.38,

Вып.5,

С.603-609.

Раитиан

с.

Г.

Радиационное

трение

во

фрактальных

кластерах

/ /

Опт.

спектроск.

2004.

Т.97,

С.

444-452.

Csurgay

А.

1.,

Porod W Surface plasmon waves in nanoelectronic

circuits // Int.

J. Circ. Theor. Appl. 2004,

V.312,

Р.339-361.

Предметный

указатель

J\кустические

моды,

локализован

ные,

128

акустические

фононы

- -

гетероструктурах

двумя

поверхностями

раздела,

123

- -

изолированном

слое,

120

- -

квантовых

проволоках

пря-

моугольного

сечения,

128

- -

квантовых

точках,

150

- -

наноструктурах,

55, 74, 78

- -

проволоках,

- -

сверхрешетках,

118, 253

- -

свободном

слое,

120

- -

структурах

квантовыми

ямами,

247

- -

тонкой

металлической

фоль

ге,

цилиндрических

квантовых

проволоках.

205

- -

цилиндрических

структурах,

136

- -

цилиндрическом

волноводе,

136

амплитуды

нормальных

мод

фоно-

нов,

ангармоническая

связь

фононов,

ангармонические

члены,

ангармонические

эффекты

струк-

турах

решеткой

вюрцита,

ангармонический

потенциал

третье

го

порядка,

ангармонический

распад

фононов,

249

ангармоническое

взаимодействие,

22, 46, 63

антисимметричные

сдвиговые

вер

тикальные

моды,

125

Безвихревые

решения,

бимодальная

зависимость,

бинарный

полярный

полупроводник,

Валентная

зона,

веер

Ландау,

236

вектор

поляризации,

векторный

потенциал

, 77

взаимодействие

носителей

оптиче-

скими

фононами,

100

взаимодействие,

описываемое

де

формационным

потенциалом,

47,

59, 133

взаимодействие,

описываемое

де

формационным

потенциалом

квантовых

проволоках

прямо

угольного

сечения,

212

вихревые

решения,

волновая

функция

Кане,

228

волноводные

моды,

259

волновой

вектор,

22, 51

волновые

уравнения,

77, 144

волновые

функции

носителей,

волны

сжатия

растяжения,

78, 121

волны,

сохраняющие

объем,

восприимчивость

второго

порядка,

времена

жизни

фононов,

Предметный

указатель

315

время

жизни

продольных

оптиче-

ских

фононов,

16, 66

время

распада

фононов,

193

время

термализации

носителей,

высокотемпературная

электроника,

Гамильтониан

гармонического

ос

циллятора,

гамильтониан

фрёлиховского

взаи

модействия,

- - -

для

двумерной

пластины,

168

- - -

для

квантовой

точки,

197

- - -

для

полярного

одноосного

кристалла,

164

гармонические

взаимодействия,

гармонические

моды,

гармонический

осциллятор,

гетероструктура

двумя

барьерами,

109

горячие

фононы

полярных

кванто

вых

проволоках,

191

гранецентрированные

кубические

решетки,

граничные

условия

для

закреплен

ной

поверхности,

208

граничные

условия

на

свободной

поверхности,

208

Двухатомная

решетка,

динамическое

экранирование

по

лярных

квантовых

проволоках,

191, 193

дисперсионные

кривые

структурах

решеткой

вюрцита,

47, 98, 99

дисперсионные

соотношения,

23, 41

- -

макроскопических

образцах,

125

диэлектрическая

континуальная

мо

дель,

69, 79, 114

- - -

на

основе

комбинированных

мод,

диэлектрическая

поляризуемость,

258

диэлектрическая

функция,

долинный

ток,

235, 252

Закон

Гука,

22, 74

закон

сохранения

энергии,

170

затухающие

сферические

акустиче-

ские

моды,

253

золотое

правило

Ферми,

55, 64

зона

Бриллюэна,

зона

проводимости,

Изгибно-толщинные

акустические

моды

квантовой

точке,

154

изгибные

волны,

121

изгибные

моды,

122, 150

изолированная

цилиндрическая

структура,

211

изотопная

масса,

изотропная

среда,

ИК-активные

моды,

ИК-активные

оптические

фононы

поперечного

типа,

166

ИК-активные

оптические

фононы

продольного

типа,

166

инверсионная

симметрия,

инверсия

населенности,

219

инверсия

населенности,

увеличение

за

счет

фононных

процессов,

240

интерфейсные

моды

- -

пластине,

- -

оптических

фононов,

84, 87,

101, 104

- - -

гамильтониан

взаимодей

ствия,

ионная

связь,

исследование

ангармонического

рас

пада

фононов

методами

КРС,

Канал

Клеменса,

16,63,

192

канал

Ридли,

каноническое

преобразование,

квантовые

проволоки

круглыми

эллиптическими

сечениями,

190

классическая

акустика,

208

когерентные

фононы,

253

колебательные

уравнения

вынуж-

дающей

силой,

комбинационное

(рамановское)

рас

сеяние

света

(КРС),

18, 41, 85,

114

316

Предметный

указатель

комбинированные

моды,

85, 259

конденсация

Бове-Эйнштейна,

константа

деформационного

потен-

циала,

202

континуальные

модели

фононов,

концентрация

носителей,

коротковолновые

оптоэлектронные

устройства,

короткодействующие

силы,

260

коэффициент

Пуассона,

123, 143

коэффициент

передачи

фототока,

239

коэффициенты

упругости

третьего

порядка,

кристаллы

решеткой

цинковой

об

манки,

критические точки

полупроводни

ках,

КРС-активные

моды,

118

КРС

кристаллах

решеткой

вюр

цита,42

КРС

кристаллах

решеткой

цин

ковой

обманки,

КРС

ультрафиолетовом

диапазоне,

крутильная

мода

сферических

квантовых

точках,

153, 154

кубические

кристаллы,

кулоновское

взаимодействие,

Лазер

на

квантовых

каскадах,

228

лазер

на

квантовых

ямах,

лазеры

на

межподзонных

переходах,

226, 252

легирование,

локализованные

акустические

моды,

248

Макроскопическая

теория

полярных

мод,

массив

квантовых

точек,

253

металл-полупроводник,

194, 253

метод нейтронного

рассеяния,

118

методы

комбинационного

рассеяния

света,

методы

микро-КРС,

механизм

диссипации,

253

микроскопическая

модель

фононов,

111

микротрубки,

148, 251

мода

Е\,

модель

Вендлера,

256

модель

Лаудона,

29, 30, 39, 71

модель

на

основе

матриц

перехода

для

структур

множеством

по

верхностей

раздела,

100, 107

модель

упругого

континуума,

74,

206

модуль

Юнга,

74, 123, 144

моды

Хуан

Куня-}Ку,

85, 263

моды

пластины,

79, 180, 259

- -

размерно-ограниченных

структурах

решеткой

вюрцита,

Наноразмерные

механические

структуры,

251

необыкновенные

волны,

неравновесные

фононы,

46, 66, 191

нитридные

материалы

АшВ

нитриды

АшВv,

нитриды

решеткой

вюрцита,

48,

118

нормальные

колебательные

моды,

Обыкновенные

волны,

одноосные

кристаллы,

одноосные

полупроводники,

одноосные

полярные

кристаллы,

операторы

рождения,

операторы

уничтожения,

оптические

фононные

моды

полу-

пространства,

180

оптические

фононы

нанострукту

рах,55

оптические

фононы

структурах

решеткой

вюрцита,

осесимметричная

крутильная

мода,

150

осесимметричные

радиально-акси

альные

моды,

140

Параметр

Грюнайэена,

переходы

участием

фононов,

244

Предметный

указатель

317

переходы

участием

фононов

между

ямами,

244

периодические

граничные

условия,

пикосекундная

спектроскопия

КРС,

плазменная

частота,

103

плаэмон-фононные

моды,

плаэмоны,

плотность

лагранжиана,

259, 264

плотность

объемного

заряда,

плотность

поверхностного

заряда,

плотность

поляризационного

заряда,

подвижность

носителей,

252

поле

смещений,

квантованное,

поляритон,

полярные

оптические

фононы,

полярные

полупроводники,

поперечная

акустическая

мода,

поперечные

волны,

поперечные

оптические

фононы,

постоянные

Ламе,

76, 123, 143

потенциал

пьезоэлектрического

вза-

имодействия,

О,

212

потери

энергии,

193

представление

числах

заполнения,

примеси,

примесные

состояния

запрещен

ной

зоне,

продольная

акустическая

мода,

23,

продольная

оптическая

мода,

23, 32

продольная

электромагнитная

вол

на,

продольное

электромагнитное

воз-

мущение,84

продольные

волны,

продольные

моды,

122

пространственная

группа,

пространственно-групповая

симмет-

рия,

процессы

переброса,

пульсирующая

мода

сферических

квантовых

точках,

153, 154

пьезоэлектрическая

поляризация,

61,203

пьезоэлектрическая

связь,

203

пьезоэлектрический

кристалл,

пьезоэлектрическое

взаимодействие,

пьезоэлектрическое

рассеяние

по

лупроводниковых

структурах,

203

Разложение

ряд

Фурье,

размерное

ограничение

(конфайн-

мент),

разупорядоченность

поверхности,

распад

горячих

фононов,

распад

фононов,

46, 66

распад

фононов

нитридных

мате

риалах,

распределение

Бозе-Эйнштейна,

54,

распределение

Больцмана,

распределение

Ферми,

смещенное,

249

распределение

горячих

электронов,

238

рассеяние

на

деформационном

по

тенциале,

202

рассеяние

носителей

на

фононах,

рассеяние

электронов

на

акустиче

ских

фононах

квантовых

про

волоках

прямоугольного

сече

ния,

136

рассеяние

электронов

на

акустиче

ских

фононах

цилиндрических

квантовых

проволоках,

206

растяжение

среды,

резонансное

комбинационное

рассе

яние

света,

118

релаксация

носителей,

Сверхрешетка

на

основе

квантовых

проволок,

253

сверхрешетки

со

структурой

вюрци

та,

связанные

радиально-продольные

моды,

146

связь

деформации

напряжением,

318

Предметный

указатель

сдвиговые

волны,

78, 121

сдвиговые

горизонтальные

моды,

127

симметричные

сдвиговые

вертикаль-

ные

моды,

125

симметрия

кристалла,

117

скалярный

потенциал,

78, 138

скорость

межподзонных

электрон-

ных

переходов

участием

фоно

нов,

218

скорость

насыщения,

скорость

поперечных

звуковых

волн,

скорость

потери

энергии,

скорость

продольных

звуковых

волн,

74, 77

- - -

тонкой

пластине,

149

«сложенные»

акустические

моды

полупроводниковых

сверхрешет

ках,

слой

бинарного

полупроводника,

смещение,

собственные

моды

смещения,

120

собственные

состояния

фононов,

соотношение

Лиддейна-Сакса-

Тел-

лера,

28, 30,

101, 255, 258

соотношение

между

энергией

вол

новым

вектором,

118

спектроскопия

КРС

временным

разрешением,

спектры

магнитотуннелирования,

233

структуры

решеткой

вюрцита,

20,

структуры

решеткой

цинковой

об

манки,

субпикосекундная

спектроскопия

КРС,47

Тензор

комбинационного

рассеяния

света,

тензор

упругого

напряжения,

120

теория

сверхпроводимости

Бардина-Купера-Шриффера,

теория

упругого

континуума,

теория

упругости,

толшинные

моды

квантовых

про

волоках

прямоугольного

сече

ния,

130, 133

тонкопленочные

сверхпроводники,

18, 247, 252

трехкомпонентные

полярные

полу-

проводники,

трехкомпонентные

сплавы,

трехфононный

процесс

распада,

туннелирование

участием

фоно-

нов,

233, 236

туннельно-инжекционные

лазеры,

туннельный

ток,

235

Угловые

моды

квантовых

прово

локах

прямоугольного

сечения,

183

унимодальная

зависимость,

упругая

деформация,

44, 74, 125

упругое

напряжение,

74, 125

уравнение

Пуассона,

261

уравнение

Штурма-Лиувилля,

261

уравнения

Хуан

Куня-Борна,

35, 71,

255

уравнения

Эйлера-Лагранжа

, 260

условие

нормировки,

80, 102, 260

условия

Вендлера

для

двухслойной

системы,

Фемтосекундные

лазеры,

253

фононные

матричные

элементы,

фононные

операторы,

фононные

технологии,

252

фононный

потенциал,

104

форм-фактор,

266

фрёлиховский

гамильтониан

для

двумерной

пластины,

фрёлиховское

взаимодействие,

47,

~илиндрическая

квантовая

прово-

лока,

205

цилиндрический

волновод,

136

цилиндрический

слой,

136

- -

погруженный

жидкость,

148

цитоскелетальные

волоконца,

150

Предметный

указатель

319

Частота

внутриподзонного

рассея

ния,

113

частота

внутриподзонных

перехо

дов,

218

частота

межподзонного

рассеяния,

113

частота

рассеяния

на

интерфейсных

фононах

квантовых

проволо

ках,

182

частота

рассеяния

электронов

на

продольных

фононах

- - -

квантовых

точках,

197

- - -

полупроводниках

решет-

кой

вюрцита,

164

- - -

полупроводниках

решет

кой

цинковой

обманки,

158

- - -

структурах

квантовыми

проволоками,

174, 178

- - -

структурах

квантовыми

ямами,

имеющих

решетку

вюр

цита,

174

- - -

структурах

квантовыми

ямами,

имеющих

решетку

цин

ковой

обманки,

168

частота

фононов

центре

зоны,

160

черенковское

излучение,

247, 250,

252

четырехкомпонентные

сплавы,

число заполнения

фононных

состоя

ний,

53, 249

чистая

крутильная

мода,

146

Ширинные

моды

квантовых

прово

локах

прямоугольного

сечения,

133

ширины

фононных

линий,

Экранирование

при

кулоноподобном

взаимодействии,

161

экситонные

состояния,

электрон-фононное

взаимодействие,

- -

пластинах,

электронная

поляризуемость,

электронная

проницаемость,

249

электростатические

граничные

усло-

вия,

85, 101, 180

элементарная

ячейка,

31, 70

эмиссия

плазмонов,

238

эмиссия

фононов,

238

эффект

узкого горла

для

горячих

фононов,

193

эффект

узкого

фононного

горла,

эффективный

заряд,

эффекты

неоднородного

уширения,

эффекты

размерного

ограничения

фононов

тонкопленочных

сверхпроводниках,

245

Научное

издание

СТРаШНО

Микаэль

ДУТТА

Митра

ФОНОНЫ

НАНОСТРУКТУРАХ

Редактор

НБ.

Бартошевич-Жагель

Оригинал-макет:

О.А.

Кузнецов

Оформление

переплета:

А.Ю.

Алехина

Подписано

печать

28.11.05.

Формат

60х90/16.

Бумага

офсетная.

Печать

офсетная.

Усл.

печ.

л.

20.

Уч.-изд.

л.

22,0.

Тираж

700

экз.

Заказ

Издательская

фирма

«Физико-математическая

литература»

МАИК

«Наука/Ингерпериолика-

117997,

Москва,

ул.

Профсоюзная,

E-таН:

fizmat@maik.ru, fm1sa1e@maik.ru;

http://www.fm1.ru

Отпечатано

готовых диапозитивов

ПФ

«Полиграфист,)

160001,

г.

Вологда,

ул.

Челюскинцев,

Тел.:

(8172) 72-55-31, 72-61-75,

факс:

(8172) 72-60-72

Ечпай:

form.pfp@vote1.ru

http://www.vo1ogda/~pfpv

ISBN 5-9221-0656-2

9785922

106566