сродство к электрону). Согласно данным [641], сечения в максимуме
равны 19,8-10~
18
(НС1), 18,910
17
(DBr) и 9,6-10
15
сж
2
(HJ). При энергии
электронов больше 13 эв наблюдается процесс е + НХ = Н
+
+ + е»
Сечения процессов е + СС1
4
= СС1
3
+ СГ и е + CF
S
J = CF
3
+ J"
в максимуме равны соответственно 1,3 Ю~
16
и 7,8 10~
17
см
2
[40]. Таким
образом, вероятности расщепления молекулы под действием электрона
с образованием отрицательного иона оказываются величинами порядка
от 1 до 0,001.
Зависимость вероятности диссоциации молекулы от энергии электрона
при одновременном образовании отрицательного иона получает истолко-
вание на основании кривых потенциальной энергии, приведенных на
рис. 99. Кривые АВ являются кривыми потенциальной энергии молекул
АВ, кривые АВ~— кривыми потенциальной энергии молекулярных ионов
АВ". Распад молекулы АВ по схеме
е + АВ = А + Б-
можно рассматривать как переход ее под действием электрона в состоя-
ние иона АВ" с последующей диссоциацией последнего на А + В" [980].
При этом несущественно, является ли состояние иона АВ~ неустойчивым
при любом расстоянии между А и В" или же ему отвечает кривая потен-
циальной энергии с минимумом (пунктирная кривая на рис. 99,6).
Если переход АВ-> АВ~ происходит из нулевого колебательного со-
стояния молекулы АВ (невысокие температуры), то максимальное сечение
процесса будет отвечать энергии электрона, определяющейся расстояни-
ем по вертикали (вертикальный потенциал) кривой АВ~ от минимума
кривой АВ (жирная стрелка на рис. 99, а и 99, б). В соответствии с видом
волновой функции нулевого колебательного состояния область перехода
АВ АВ~ определяется заштрихованной полосой на рис. 99, а и 99, б
и ограничивается со стороны малых энергий короткой стрелкой, а со сто-
роны больших энергий — длинной. Этой области и отвечает левая кривая
выхода ионов О" рис. 98. Как следует из рис. 99, вид этой кривой не должен
зависеть от того, в каком соотношении находятся теплота диссоциации мо-
лекулы АВ {DAB)
И
сродство к электрону атома (радикала) В {Ев), т. е. име-
ется неравенство DAB Е
В
(рис. 99, а) или же DAB <С ЕВ (рис. 99, б).
Заметим только, что во втором случае большую вероятность имеет процесс,
для которого кривая АВ" пересекает кривую АВ вблизи минимума и кото-
рый, очевидно, будет возможным энергетически уже при энергии тепловых
электронов. Максимальная вероятность процесса будет иметь место при
энергии электронов, равной или близкой к нулю. При увеличении энергии
вероятность процесса должна уменьшаться.
Такой случай реализуется, например, при взаимодействии с электро-
нами молекул иода: ионы J" здесь появляются при минимальной энергии
электронов 0,03 ± 0,03 эв [в интервале (0,03—1,09) ± 0,4 ее] [796, 808].
Наряду с образованием отрицательных ионов в результате диссоциа-
ции молекулы при взаимодействии ее с электроном (диссоциативный за-
хват электрона), наблюдаются также случаи захвата электрона молекулой
без ее распада. Так, Бионди [494] наблюдал образование отрицательных
молекулярных ионов кислорода О2 при захвате молекулами 0
2
тепловых
электронов. Из сопоставления измеренного сечения а = 1,2 -10~
22
см
2
{Р = 2-10"
7
) с вычисленным для процесса радиационного захвата элект-
рона [1209] следует, что О2 образуется по схеме
2
:
е + 0
2
-
О"
+ hv.
2
Заметим, что процесс радиационного захвата является обращением процесса фото-
отщепления электрона (см. [371, глава VIII, § 6 и 7]).