
Резюме §55
1. Возмущение, наложенное на квантовую систему, находившуюся
в
некотором стационарном состоянии, вызывает переход из этого
состояния в другие стационарные состояния. Вероятность перехода
за единицу времени из состояния α в состояние β равна
.
Ε
φ)-Ε (α)
t
w^(t)e
η
dt
Если возмущение не зависит от времени, то
w(a
9
β
)=
=^|1Τ
βα
|
2
δ[£(β)~£(α)].
(55. lp)
(55.2ρ)
Матричный элемент вычисляется с помощью волновых функ-
ций стационарных состояний
ψβ (г)
и γ
α
(г).
2. Для сферически симметричного воз- /
мущения вероятность перехода (55.2р) по- /·
зволяет выразить дифференциальное эффек-
тивное сечение рассеяния:
2
σ(θ, φ) =
2/я* С τ
7 /
ч sin кг j
(55.Зр) Рис. 80. Связь между κ и
' " углом рассеяния θ
где V (г) характеризует энергию электрона в поле сферически сим-
метричного рассеивающего центра, а κ =
|κ
—к'
|.
Так как согласно
(55.37)
/с
=
/с',
то .
x = 2/csiny,
где θ— угол рассеяния (рис. 80).
(55.4р)
§ 56. РАССЕЯНИЕ НА ИОНАХ ПРИМЕСИ
Применим общую теорию квантовых переходов, изложенную
в
предыдущем параграфе, для определения эффективного сечения
рассеяния электронов и дырок на ионах' примеси." Для этого необ-
ходимо записать энергию возмущения в виде
(56.1)
V(r) = ±
Z
4.
Плюс относится к случаю, когда заряды рассеиваемой частицы
и
иона одинаковые, минус означает, что носитель заряда и ион имеют
Различные знаки. Заряд иона обозначен через Ze, расстояние между
ионом и частицей равно г. Чтобы обобщить результаты, рассмотрим
Рассеяние частиц на центрах с экранирующим потенциалом:
(56.2)
357