Ситуация при температуре T
1
отвечает рассмотренному выше при выводе бинарной
диаграммы с одной эвтектикой (см. рис. 3.36, сечение T
3
). Как видно из G-x и T-x
диаграмм, в области составов от а до точки 1 (G
L
1
) минимумом свободной энергии
обладает расплав, и для этого диапазона составов расплав представляет единственную
стабильную фазу. Для составов от точки 1 до b минимумом свободной энергии обладает
двухфазовое равновесие L + B (x
L
G
L
+ x
B
G
B
= G
min
), которое и является стабильным.
Дальнейшее понижение температуры, согласно уравнению (3.26) dG = - SdT + μ
a
dx
a
+
μ
b
dx
b
приводит к повышению G-потенциала фаз системы, причем большему для расплава,
чем для твердых фаз (напомним: S
L
a
> S
A
, S
L
b
> S
B
), и в результате возникнет ситуация,
изображенная на рис. 3.51 для T
2
. В области составов от b до точки 3 устойчива
двухфазовая ассоциация L + B. В области составов от a до точки 3, где x
A
G
A
+ x
L
G
L
3
=
min, стабильна ассоциация L + A. Между точками 2 и 3 устойчив расплав, но для точки ab,
где G
AB
= G
L
ab
, ΔG
AB-L
= 0, из этого (только из этого) состава при отводе тепла от системы
начнется кристаллизация соединения АВ. Согласно правилу фаз n
p
=k + 1-r=2 + 1-2=1
состояния L + A, L + B и L + AB - моновариантны; в системе происходит понижение
температуры и кристаллизация фаз A, B и AB в соответствующих диапазонах составов.
Появление в системе твердой фазы соединения AB приводит к разбиению системы на две
подсистемы L + A + AB и L + B + AB. На кривой GL появляется особая, сингулярная
точка G
L
ab
, образуемая пересечением двух кривых G
L
a
-G
L
ab
и G
L
b
-G
L
ab
, причем G
L
ab
> G
AB
.
Такая ситуация изображена для изотермы T
3
. Проведя на диаграмме G-x касательные из
точек G
B
и G
AB
к кривой G
L
b
-G
L
ab
получим составы расплавов, находящихся в равновесии
с твердыми фазами B и AB (соответственно, точки G
L
4
и G
L
5
на G-x диаграмме и,
проектируя, точки 4 и 5 на T-x диаграмме). Аналогично, проведя касательные из точек G
A
и G
AB
к кривой G
L
a
-G
L
ab
, получим составы расплавов сосуществующих с фазами A и AB
(точки G
L
7
и G
L
6
на G-x диаграмме, и точки 7 и 6 на T-x диаграмме). Пересечение кривых
ликвидуса плавления AB в подсистемах L + A + AB и L + B + AB (кривые 5-T
AB
m
и 6-
T
AB
m
) образует сингулярный максимум T
AB
m
, отвечающий температуре плавления чистой
фазы AB, имеющей, как отмечалось, постоянный состав.
Наконец, на изотерме T
4
в правой части системы получим единую касательную G
AB
-G
B
к
кривой G
L
b
-G
L
ab
, которая будет отвечать эвтектической точке в подсистеме AB-B
(значение G
L
E
на G-x диаграмме и E
2
в T-x системе). В подсистеме A-AB касательные из
G
A
и G
AB
к кривой G
L
a
-G
L
ab
определяют составы расплавов, сосуществующих с твердыми
фазами A и AB, - соответственно точки G
L
9
и G
L
8
на G-x диаграмме и точки 9 и 8 на T-x
диаграмме.
По аналогии легко представить, что при температуре T
E
единственная касательная,
проведенная из G
A
и G
AB
будет определять состав расплава в точке E
1
. В подсистеме ab-b
стабильны две твердые фазы AB и B. Получившаяся в итоге T-x диаграмма имеет две
эвтектические точки, и ее можно представить как две диаграммы с одной эвтектикой, если
выбрать ab в качестве независимого компонента.
Рассмотрим в качестве примера диаграмму плавкости бинарной системы Na
2
SiO
3
-SiO
2
(рис.3.52). В этой системе существует соединение постоянного состава Na
2
Si
2
O
5
, которое
плавится конгруэнтно при T=874
о
C. Соответственно на кривой плавления Na
2
Si
2
O
5
имеется сингулярный максимум, и кристаллизация составов, менее богатых кремнеземом,
чем Na
2
Si
2
O
5
, будет заканчиваться в эвтектической точке E
1
, а более богатых
кремнеземом, чем Na
2
Si
2
O
5
, - в точке E
2
. В остальном схема кристаллизации аналогична
простым диаграммам с эвтектикой. Как отмечалось, рассматриваемую диаграмму можно
представить как две диаграммы, каждая с одной эвтектикой, если в качестве компонентов