Рассмотрим сначала двухкомпонентные системы. На рис. 3.68 представлен вывод Т-х
диаграммы бинарной системы с ликвацией обычным путем, при помощи изотермических
G-x диаграмм. Пусть при температуре T
1
во всем диапазоне составов существует
гомогенный расплав. G-потенциал расплава будет представлен вогнутой кривой,
обладающей минимумом в любой точке состава от a до b. Его значение, как было
показано выше, равно . При понижении температуры, в
точке 2 (при T
2
) на кривой G
L
возникнет возмущение, приводящее к увеличению G-
потенциала расплава, которое при дальнейшем понижении температуры будет
распространяться на прилежащие к точке 2 составы. Так, при T
3
установятся
соотношения, при которых G-потенциал расплава (G
L
mst
) между значениями G
3
L
1
и G
3
L
2
окажется выше, чем сумма G-потенциалов расплавов, ограничивающих эту область (G
L
mst
> x
L
1
G
3
L
1
+ x
L
2
G
3
L
2
). Вследствие этого полученный расплав в этой области будет
термодинамически неустойчивым и распадется на два несмешивающихся расплава L
1
3
и
L
2
3
. Проведя на G-x диаграмме касательную к кривой G
L
в точках L
1
3
и L
2
3
на пересечении
с осями координат получим, как обычно, значения химических потенциалов компонентов
a и b в сосуществующих расплавах.
Перенесем изотермические G-T-x сечения (T
1
, T
2
и T
3
) на T-x диаграмму, расположенную
в основании фигуры. При T
1
во всем диапазоне составов существует гомогенный расплав.
При T
2
на T-x диаграмме появляется единственная точка 2, отвечающая началу ликвации в
системе и фиксирующая вершину кривой расслаивания. При T
3
на T-x диаграмму
проектируются две точки l
1
3
и l
2
3
, обозначающие сосуществующие составы двух
жидкостей L
1
и L
2
. Соединив l
1
3
и l
2
3
с точкой 2, получим верхнюю часть области
расслаивания (или купола расслаивания, если рассматривать систему в пространстве G-T-
x). Кривая, ограничивающая область расслаивания называется бинодальной кривой, а ее
вершина - критической точкой бинодали.
При понижении температуры область расслаивания будет увеличиваться, в то же время в
других частях системы возможны и иные фазовые изменения. Так, при T
4
значения G
4
L
1
и
G
4
L
2
будут ограничивать область расслаивания расплава. На T-x диаграмме
соответствующие сосуществующие составы обозначены как l
1
4
и l
2
4
. В области составов,
обогащенных компонентом b, термодинамический потенциал фазы B (G
B
) имеет меньшее
значение, чем G
b
L
. Тогда, построив касательную из точки G
B
к кривой G
L
, получим
значение G-потенциала расплава L (G
4
L''
2
), находящегося в равновесии с твердой фазой B.
Обозначив состав этого расплава через получим точку на кривой ликвидуса фазы B (при
T
4
), а, проведя линию l
2''
4
T
B
m
, обозначим верхнюю часть ликвидуса фазы B.
Последняя ситуация, имеющая принципиальное значение для бинарной системы с
ликвацией, отвечает температуре T
5
. При этой температуре прямая, проведенная на
диаграмме G-x из точки G
B
, касается одновременно кривой G
L
2
(точка G
5
L
2
) и кривой G
L
1
(точка G
5
L
1
). Это означает, что в этой части системы в равновесии будут находиться три
фазы B + L
2
+ L
1
и система окажется в нонвариантном состоянии: n = k + 1 - r = 2 + 1 - 3 =
0. В нонвариантном состоянии будет происходить кристаллизация расплава L
2
с
выделением твердой фазы B и расплава L
1
. Это хорошо видно на T-x диаграмме, где на
изотерме T
5
состав расплава L
2
(точка L
2
5
) разлагается на фазу B (x
b
=1) и расплав L
1
(точка L
1'
5
): L25 → B + L1'5 1. Эта реакция будет продолжаться до исчезновения расплава
l
2
5
, после чего в системе происходит обычная кристаллизация, завершающаяся в
эвтектической точке: L → B → L → A + B. Нетрудно вообразить, что этот тип диаграммы
"получается", когда область расслаивается, "садится" на кривую ликвидуса фазы B.