возможных фаз системы: L (расплав), L + Di, L + An, Di + An. Фазовые границы - линии
T
m
Di
E и T
m
An
E - кривые плавления, соответственно Di и An, описываемые уравнением
Шредера. Легко видеть, например, что чистый Di плавится или кристаллизуется при T
m
Di
= 1390
o
C. По мере увеличения в системе содержания An температура плавления Di
понижается вплоть до эвтектики (Е), в которой одновременно кристаллизуются Di и An.
Рассмотрим в качестве примера кристаллизацию расплава, обозначенного фигуративной
точкой 1
L
. Составы расплава и закристаллизовавшейся из него смеси фаз определяются по
правилу барицентрических координат: опустив из точки 1 перпендикуляр (линия 1
L
1
S
),
отсечем на оси абсцисс отрезки пропорционально содержанию An и Di: отрезок Di 1
S
показывает содержание An в расплаве (An
L
1), отрезок Аn1
S
- содержание Di(Di
L
1). При
температуре, отвечающей точке 1
L
(T
1
), система, состав которой задан этой точкой,
существует в виде одной гомогенной фазы - расплава. Согласно правилу фаз (n
p
=k + 1-r=2
+ 1-1=2) система дивариантна, т.е. не нарушая фазового состава, можно изменять
температуру и мольные соотношения компонентов. Следовательно, однофазовое
состояние системы 1
L
в виде расплава будет сохраняться при понижении температуры
вплоть до точки 2
L
, расположенной на кривой плавления An. При достижении
температуры Т
2
An
, отвечающей температуре плавления An в системе заданного состава, из
расплава начнет кристаллизоваться An в данной системе как фаза постоянного состава.
При кристаллизации анортита расплав будет обедняться этим компонентом. В
соответствии с правилом фаз (n
p
= k + 1-r=2 + 1-2=1) система моновариантна, т.е.
изменение состава расплава должно сопровождаться изменением температуры и
наоборот. Следовательно, при кристаллизации An состав расплава будет изменяться вдоль
кривой плавления 2
L
-Е (показано стрелками). В любой момент моновариантной
кристаллизации, т.е. при любой температуре между T
2
и Т
E
, пользуясь свойствами
барицентрических координат, можно определить состав и количество фаз. Например, для
Т
3
: проекция точки 3
1
на ось абсцисс показывает состав расплава; отношение отрезков 3 3
5
/ 3
L
3
5
отвечает количеству расплава, а 3 3
L
/ 3
L
3
5
количеству An. Моновариантная
кристаллизация L + An будет продолжаться до достижения эвтектики. В эвтектике из
расплава кроме анортита будет кристаллизоваться также диопсид, система нонвариантна
(n
p
=k + 1-r=2 + 1-3=0), температура и состав расплава будут оставаться неизменными до
полной раскристаллизации расплава. Состав эвтектического расплава легко определяется
проектированием точки Е на ось составов (на рис. 3.38 отрезки An
E
Di
E
), относительные
количества кристаллизующихся фаз отвечают их соотношениям в расплаве.
Относительные количества расплава и твердых фаз в каждый момент эвтектической
кристаллизации по диаграмме вычислить нельзя, так как количество расплава, как
отмечалось, определяется теплосодержанием (или энтропией) системы, которое
графически не отражено на диаграмме (сравни выше рис. 3.37).
Рассмотренный процесс кристаллизации удобно записать в виде кратких схем. При этом
можно выбрать две формы записи. Одна из них (I) отражает смену фазовых равновесий по
мере отвода тепла и изменения температуры системы от точки 1 до точки Е. При этом для
полной характеристики можно обозначить интенсивные и экстенсивные параметры в
каждом состоянии системы. Другая форма записи (II) отражает процесс происходящий в
каждом состоянии системы. Приведем эти записи: