
Это
означает требование
более
низких температур, чем некото-
рая
граничная
температура туннелирования:
knd
m
(9.70)
полученная В. И. Гольданским в 1959 г.
Этот
критерий (Tt) оказался
пригодным
как для максвелл-
больцмановского распределения при симметричных барьерах с
параболической формой вблизи
вершины,
так и для дискретно-
го распределения по уровням (включая и уровень нулевых ко-
лебаний), когда симметричный барьер образуется наложением
двух встречных морзевских
кривых.
При
характерных для химических реакций значениях £~
~1эВ
и d~lA формула для расчета температуры туннелиро-
вания
дэет
для атомов водорода
Г*=320
К и для атомов дейте-
рия
Г,=240
К. Для
более
тяжелых атомов и всевозможных мо-
лекул эта температура ниже и поэтому обнаружение и иссле-
дование реакций в условиях, когда туннельные переходы пре-
обладают
над активационными, требовало продвижения в
криохимическую область.
Подставляя
в формулу для расчета температуры туннели-
рования (T
t
) массу электрона при £~1эВ и d~
1
А, получаем
для процессов переноса электрона
7\=13600К,
т. е., казалось
бы, все такие процессы должны происходить по туннельному
механизму. Однако туннелирование электронов в химических
реакциях включает наряду с переносом электронов также не-
которое
смещение ядер.
Поэтому
для адекватного описания не-
обходимо
учитывать
нарушение
принципа
Франка—Кондона.
В
результате этого явление низкотемпературных взаимосвя-
занных туннельного переноса электрона и слабого (порядка
амплитуды колебаний) смещения ядер (без перестройки хими-
ческих связей) получило название электронно-ядерного тунне-
лирования. Это явление, скорее, бли-
же
к электронике твердого тела, чем
к химическим превращениям.
Физическую природу туннель-
ного
эффекта
можно пояснить, рас-
сматривая движение частицы с мас-
сой
т и энергией U в направлении
энергетического барьера, высота
которого равна Е (рис.
9.22).
Р.
Белл «сследовал поведение
частицы при прохождении через
параболический барьер
(В),
который
отличается от естественного барьера
тем,
что последний имеет расщирен-
ное
основание при низких значениях
энергии. Однако эта область, по-
Расстоямие
Рис.
9.22.
Симметричный
барьер
Эккарта (А) и параболический
барьер (В). Кривизна у
верши-
ны одинаковая
138.