163
Эти индексы связаны с длиной отрезков, отсекаемых соответствую-
щей плоскостью на трёх осях кристаллографической системы координат.
Длины отрезков, отсекаемых любой атомной плоскостью кристалла на
осях координат, выраженные в постоянных решётки а, b, с, всегда являют-
ся целыми числами S
1
, S
2
, S
3
. Если обратные им величины привести к об-
щему знаменателю, а затем отбросить его, то полученные 3 целых числа
h=S
2
S
3
, k=S
1
S
3
, l=S
1
S
2
и есть индексы Миллера. Впрочем, иногда для до-
полнительных узлов в сложных ячейках используют обозначения [1/2 1/2 0] и
т.д. Обозначения прямых записываются в одинарных скобках [hkl], а плос-
костей – в круглых скобках. Например, [110] обозначают прямую, прохо-
дящую через начало координат [[000]] и узел [[110]], а (110) обозначают
плоскость, перпендикулярную направлению [110]. Отрицательные индек-
сы
)011(
−−
(минус 1, минус 1, нуль) обозначают плоскость, пересекающую-
ся с отрицательным направлением
−−
011 осей координат. Совокупности
плоскостей, симметрично равных друг другу, записывают в фигурных
скобках {h k l}.
Помимо кристаллографии, индексы Миллера используются также в
рентгенографии, электронографии и нейтронографии для обозначения
пучков, рассеянных соответствующими атомными плоскостями кристалла.
В реальных кристаллах, в отличие от идеальных, как правило, на-
блюдаются
дефекты структуры. Под дефектами понимают всякое откло-
нение от идеального строения кристалла. Дефекты подразделяются на:
–
точечные – протяженность не более межатомного размера в лю-
бую сторону: чужеродные атомы в узлах и междоузлиях (примесь), отсут-
ствие собственных атомов в узлах решетки (вакансия);
–
линейные – протяженность в одном из направлений больше меж-
атомного, в двух остальных порядка межатомного: краевые, винтовые и
смешанные (нарушение правильного чередования атомных плоскостей),
микротрещины;
–
двухмерные – границы зерен и двойников, межфазные границы,
стенки доменов, поверхность любого кристалла;
–
объемные – пустоты, включения иной фазы (в процессе кристал-
лизации).
Остановимся подробнее на дислокациях, так как механические свой-
ства ТТ во многом определяются наличием и плотностью N
D
– их числом на
единицу площади. В наиболее совершенных монокристаллах N
D
∼10
2
-10
3
см
-2
,
в сильно деформированных кристаллах N
D
∼10
11
-10
12
см
-2
.
Краевой дислокацией (рис. 14.3) называется отсутствие полу-
плоскости в кристалле (или лишняя полуплоскость)
. Линия, отделяю-
щая дефектную область кристалла от «нормальной», называется линией