или косвенными методами по g – фактору эталона, детали, касающиеся
формы линии (ширина, амплитуда, первая производная) вы можете уз-
нать из литературы /Оджаев В.Б. и др., Рембеза С.И., Вилков Л.В. и др./.
Ранее упоминалось, что при поглощении частотного кванта происхо-
дит переход электрона на более высокий энергетический уровень. Об-
ратный процесс передачи избыточной энергии электронов колебаниям
решётки с установлением равновесия называют спин-решёточной релак-
сацией и характеризуют временем спин-решёточной релаксации T
1
. Оно
ограничивает время жизни для всей системы на каком-либо из подуров-
ней.
При больших значениях мощности СВЧ – излучения возбуждённый
электрон не взаимодействует с решёткой вследствие возмущающего
влияния высокочастотного поля и излучает квант энергии, возвращаясь в
исходное состояние. Такие переходы уменьшают время жизни в исход-
ном и возбуждённом состоянии и также приводят к уширению линии ре-
зонансного поглощения. Каждый электрон является магнитным диполем
и создаёт в местах нахождения других парамагнитных частиц локальные
поля, искажающие резонансную частоту. Ширина огибающей отдельных
линий значительно больше каждой из них и определяется временем ди-
поль-дипольного взаимодействия Т
2
или спин-спиновой релаксацией.
Информацию о временах релаксации парамагнитных центров полу-
чают из зависимости параметров сигнала ЭПР от мощности СВЧ – излу-
чения.
Величину малоинтенсивного сигнала ЭПР в ряде случаев можно уве-
личить за счёт генерации неравновесных носителей заряда посредством
дополнительного энергетического воздействия, например, освещением
образца или повышением температуры регистрации. Так, например, ин-
тенсивный световой поток с энергией, близкой к ширине запрещённой
зоны, может вызвать образование электронно-дырочных пар. Фотоинду-
цированные парамагнитные состояния нестабильны даже при низких
температурах, но индуцированный светом сигнал может быть легко от-
делён от шумовых сигналов путём модуляции света с определённой час-
тотой, синхронизированной с детектором.
Ряд структурных дефектов кристаллов полупроводников могут быть
парамагнитными только в определённом зарядовом состоянии. В частно-
сти, оптически можно возбуждать структурные дефекты в триплетное
состояние: если основное состояние синглетное (s = 0), то при освещении
может быть возбуждено триплетное состояние с s = 1. Так удалось за-
фиксировать A – центр (кислород + вакансия) в кремнии.
26