В отличие от ∆ρ/ρ-эффекта (п.5.6), эффект Холла в неферромагнитных переход-
ных металлах имеет существенные специфические особенности. Нормальные коэф-
фициенты Холла в TM показывают сильные температурные зависимости, которые
в некоторых случаях немонотонны. Виды поведения R
0
(T ), как правило, подобны в
столбцах периодической таблицы. Эти зависимости показываются на Рисунках 5.18-
5.28. Слабая T -зависимость наблюдается только для Mo и W. Локальный минимум
зависимости R
0
(T ) в Mn (Рис.5.29) вероятно связан с антиферромагнетизмом этого
металла.
В принципе, сложное поведение R
0
(T ) можно объяснить присутствием несколь-
ких групп носителей. Использование (5.97) в случае двух групп дает
R =
¡
R
(1)
σ
2
1
+ R
(2)
σ
2
2
¢
/ (σ
1
+ σ
2
)
2
= ρ
2
¡
R
(1)
σ
2
1
+ R
(2)
σ
2
2
¢
(5.99)
где
R
(i)
= −
1
en
i
c
, σ
i
=
e
2
n
i
τ
i
m
∗
i
Результат (5.99) может дать сильную температурную зависимость только при усло-
вии, что зависимости σ
1
(T ) и σ
2
(T ) заметно различны. Это может происходить при
низких T , например, когда легкие носители тока (s-электроны) главным образом
рассеиваются на фононах, а тяжелые носители тока (d-электроны с большой плот-
ностью состояний) - из-за электрон-электронных столкновений. Например, этот ме-
ханизм может быть ответственен за максимум |R
0
(T )| в Cu при низких температурах
(Рис.5.30). Подобные (но заметно более явные максимумы) присутствуют в Pd и Pt.
Известно, что во всех этих трех металлах существуют две группы носителей тока
со значительно разными эффективными массами, которые относятся к поверхности
Ферми типа шейки или пояса. Займан [444] предположил, что увеличение |R
0
(T )| в
Cu ниже 100К связано с замораживанием процессов переброса, причем время жизни
состояний с легкой массой типа пояса становится гораздо большим по сравнением со
временем жизни состояний из области типа шейки , τ
B
/τ
N
À 1, тогда как τ
B
∼ τ
N
при комнатных температурах. Эти аргументы подтверждаются вычислениями [445].
Появление максимума |R
0
(T )| может быть связано с переходом к режиму сильного
поля ω
c
τ À 1 и с сильной анизотропией τ. Эта гипотеза видимо подтверждается
исследованиями монокристаллов (см. обсуждение в [443]). В то же самое время,
объяснение максимума в Pd и Pt при T ∼ 200K более сложно.
При высоких T ∼ 100 − 1000K электрон-фононный механизм преобладает для
всех носителей тока в парамагнитных металлах. Поэтому количественное объясне-
ние сильного изменения R
0
(T ) (в несколько раз в Sc, Ti, Zr, Hf, V, Re) едва ли
возможно на основе (5.99). Немонотонная зависимость R
0
(T) в V и Ta (Рис. 5.28)
обсуждается в [446]. Авторы утверждают, что обычные процессы переброса не объ-
ясняют минимума R
0
(T ) при T = 20 − 30K, так как температуры замораживания
процессов переброса в этих металлах составляют приблизительно 300 и 200К соот-
ветственно для замкнутых листов, а для открытых листов процессы переброса не
замораживаются до T = 0. Только процессы переброса между закрытыми дырочны-
ми листами h
N
(3) и открытой дырочной поверхностью в ΓNH плоскости, которые
имеют место в области минимального интервала между листами, дают приемлемые
135